一种基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种耦合器电路，尤其是一种基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路。
【背景技术】
[0002]电火锅、电烤箱等其他用可控硅加热控温的电器中，均采用可控硅调压模块线路，这种模块需要与温控器配合使用或者外接电位器自行调整输出功率，使用温控器时成本较高体积较大，而普通的外接电位器有无法达到自动控温。
【发明内容】
[0003]针对现有技术的不足，本实用新型提供一种低成本的自动控温的可控硅调压模块，其通过在原有可控硅调压模块上进行改造即可。
[0004]本实用新型的技术方案为:
[0005]一种基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，包括可控硅调压模块、控温模块，其特征在于:所述可控硅调压模块连接有控温模块，所述控温模块包括电阻、电位器和热敏电阻，所述电阻输入端连接可控硅调压模块输出端，所述电阻输出端分别连接电位器第一脚和第二脚，所述电位器第三脚连接热敏电阻输入端，所述热敏电阻输出端连接可控硅调压模块输入端。
[0006]所述电阻的阻值为1000欧姆。
[0007]所述电位器的阻值为500000欧姆。
[0008]所述热敏电阻为负温度系数热敏电阻。
[0009]作为本实用新型的改进:所述热敏电阻采用正温度系数热敏电阻，热敏电阻与电阻互换位置。
[0010]本实用新型的工作原理:
[0011]可控硅调压模块，为本行业十分成熟的技术且具有多种变形，故本实用新型不再赘述，但应该指出的是，本实用新型所提到的可控硅调压模块包括任意一种在本实用新型申请日之前公开的可控硅调压模块；
[0012]控温模块并入调压模块后电位器调整为最小时，负温度系数热敏电阻两端分压比较大，此时可控硅满功率输出，当随着负载温度升高，负温度系数热敏电阻阻值降低，热敏电阻两端分压下降，可控硅输出变小，当可控硅的加热和负载的散热达到平衡时，负载温度不在升高，可以调整电阻的阻值来设定最高温度，而可以通过电位器来调整输出功率在0-最大之间进行调整，从而使负载的温度变化来加工不同的对象，尤其适合电火锅类的负载。
[0013]本实用新型的有益效果为:本实用新型结构简单，通过在原模块的基础上并入电位器和热敏电阻实现了可调温和自动控温，具有低成本、小体积和自动化的优点。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型结构示意图；
[0015]图2为本实用新型所述的控温模块电路图。
[0016]图中，丨、可控硅调压模块；2、控温模块；21、电阻；22、电位器；23、热敏电阻。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】作进一步说明:
[0018]实施例1
[0019]如图1、2所示，一种基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，包括可控硅调压模块1、控温模块2，其特征在于:所述可控硅调压模块1连接有控温模块2，所述控温模块2包括电阻21、电位器22和热敏电阻23，所述电阻21输入端连接可控硅调压模块1输出端，所述电阻21输出端分别连接电位器22第一脚和第二脚，所述电位器22第三脚连接热敏电阻23输入端，所述热敏电阻23输出端连接可控硅调压模块1输入端。
[0020]所述电阻21的阻值为1000欧姆。
[0021]所述电位器22的阻值为500000欧姆。
[0022]所述热敏电阻23为负温度系数热敏电阻。
[0023]实施例2
[0024]作为本实用新型的改进:所述热敏电阻采用正温度系数热敏电阻，热敏电阻与电阻互换位置，具体的:
[0025]一种基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，包括可控硅调压模块1、控温模块2，其特征在于:所述可控硅调压模块1连接有控温模块2，所述控温模块2包括电阻21、电位器22和热敏电阻23，所述热敏电阻23输入端连接可控硅调压模块1输出端，所述热敏电阻23输出端分别连接电位器22第一脚和第二脚，所述电位器22第三脚连接电阻21输入端，所述电阻21输出端连接可控硅调压模块1输入端。
[0026]所述电阻21的阻值为1000欧姆。
[0027]所述电位器22的阻值为500000欧姆。
[0028]所述热敏电阻23为正温度系数热敏电阻。
[0029]上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理和最佳实施例，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
【主权项】
1.一种基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，包括可控硅调压模块、控温模块，其特征在于:所述可控硅调压模块连接有控温模块，所述控温模块包括电阻、电位器和热敏电阻，所述电阻输入端连接可控硅调压模块输出端，所述电阻输出端分别连接电位器第一脚和第二脚，所述电位器第三脚连接热敏电阻输入端，所述热敏电阻输出端连接可控硅调压丰吴块输入端。2.根据权利要求1所述的基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，其特征在于:所述电阻的阻值为1000欧姆。3.根据权利要求1所述的基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，其特征在于:所述电位器的阻值为500000欧姆。4.根据权利要求1所述的基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，其特征在于:所述热敏电阻为负温度系数热敏电阻。5.根据权利要求1所述的基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，其特征在于:所述热敏电阻还可采用正温度系数热敏电阻，所述热敏电阻采用正温度系数热敏电阻时，热敏电阻与电阻互换位置。
【专利摘要】本实用新型涉及一种耦合器电路，尤其是一种基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，一种基于可控硅的热敏电阻自控温可调温电路，包括可控硅调压模块、控温模块，所述可控硅调压模块连接有控温模块，所述控温模块包括电阻、电位器和热敏电阻，所述电阻输入端连接可控硅调压模块输出端，所述电阻输出端分别连接电位器第一脚和第二脚，所述电位器第三脚连接热敏电阻输入端，所述热敏电阻输出端连接可控硅调压模块输入端，本实用新型结构简单，通过在原模块的基础上并入电位器和热敏电阻实现了可调温和自动控温，具有低成本、小体积和自动化的优点。
【IPC分类】G05D23/24
【公开号】CN205015761
【申请号】CN201520628708
【发明人】方成信, 李宏伟
【申请人】方成信, 李宏伟
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年8月20日