一种单向高压可控硅的制作方法
【专利摘要】本实用新型公布了一种单向高压可控硅，包括P型阳极区，所述P型阳极区上表面形成有N型长基区，所述P型阳极区下表面形成有阳电极；所述N型长基区上表面形成有P型短基区；所述P型短基区上表面局部依次形成有2个N+型发射区和3个N-型发射区，并且局部还设置有门级电极；所述N+型发射区和N-型发射区上表面设置有阳级电极；所述N型长基区和P型短基区上设置有内沟槽，所述内沟槽布置在所述门级电极、N+型发射区、N-型发射区和阳级电极的外围上。本实用新型的可控硅能在高电压、大电流条件下工作，其具有耐高压、容量大、体积小的特点。可广泛应用于漏电保护，固态继电器，家电控制器等众多领域。
【专利说明】—种单向高压可控硅
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种单向高压可控硅。
【背景技术】
[0002]自然界的静电放电(ESD)现象对集成电路的可靠性构成严重的威胁。在工业界，集成电路产品的失效30%都是由于遭受静电放电现象所引起的，而且越来越小的工艺尺寸，更薄的栅氧厚度都使得集成电路受到静电放电破坏的几率大大增加。因此，改善集成电路静电放电防护的可靠性对提高产品的成品率具有不可忽视的作用。
[0003]目前，生产可控硅芯片的厂家由于技术瓶颈，工艺只能做到600-800V，其他性能也达不到国际水平。现有技术中，可控硅的控制极触发电流只能做到10-60mA，反向重复峰值电压为600V，额定正向平均电流为1.0A，其耐压低、容量小、体积过大，成本过高。
实用新型内容
[0004]本实用新型目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种单向高压可控硅。
[0005]本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案:一种单向高压可控硅，包括P型阳极区，所述P型阳极区上表面形成有N型长基区，所述P型阳极区下表面形成有阳电极；所述N型长基区上表面形成有P型短基区；所述P型短基区上表面局部依次形成有2个N+型发射区和3个N-型发射区，并且局部还设置有门级电极；所述N+型发射区和N-型发射区上表面设置有阳级电极；所述N型长基区和P型短基区上设置有内沟槽，所述内沟槽布置在所述门级电极、N+型发射区、N-型发射区和阳级电极的外围上。
[0006]本实用新型的有益效果:本实用新型的可控硅能在高电压、大电流条件下工作，其具有耐高压、容量大、体积小的特点。可广泛应用于漏电保护，固态继电器，家电控制器等众多领域。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]图1所示，为一种单向高压可控硅，包括P型阳极区2，所述P型阳极区2上表面形成有N型长基区3，所述P型阳极区2下表面形成有阳电极I ;所述N型长基区3上表面形成有P型短基区6 ;所述P型短基区6上表面局部依次形成有2个N+型发射区8和3个N-型发射区9，并且局部还设置有门级电极7 ;所述N+型发射区8和N-型发射区9上表面设置有阳级电极10 ;所述N型长基区3和P型短基区6上设置有内沟槽5，所述内沟槽5布置在所述门级电极7、N+型发射区8、N-型发射区9和阳级电极10的外围上。
[0009]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种单向高压可控硅，其特征在于，包括P型阳极区(2)，所述P型阳极区(2)上表面形成有N型长基区(3)，所述P型阳极区(2)下表面形成有阳电极(I);所述N型长基区(3)上表面形成有P型短基区(6);所述P型短基区(6)上表面局部依次形成有2个N+型发射区(8)和3个N-型发射区(9)，并且局部还设置有门级电极(7);所述N+型发射区(8)和N-型发射区(9)上表面设置有阳级电极(10);所述N型长基区(3)和P型短基区(6)上设置有内沟槽(5)，所述内沟槽(5)布置在所述门级电极(7)、N+型发射区(8)、N-型发射区(9)和阳级电极(10)的外围上。
【文档编号】H01L29/06GK203491262SQ201320595332
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年9月23日 优先权日:2013年9月23日
【发明者】王国新 申请人:无锡市宏矽电子有限公司