一种防反接电路的制作方法

本实用新型涉及一种电子电路，尤其涉及一种防止电池反接的电路。

背景技术：

随着社会的发展和技术进步，多种电子产品和多种电子消费品大量出现，进入到人们日常生活和生产工作中，但是电子产品中，特别是直流供电或交流转直流供电的电子产品中，其要求直流供电部分的电源极性一般是不能反接的，反接后会导致电源极性接反，则电路不能正常工作，甚至损毁电路。同时现有技术中的防反接电路都是较为复杂，成本也相对较高。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本实用新型目的在于提供一种成本低廉而且有效防止反接的电路。

本实用新型所述的一种防反接电路，其特征在于，包括场效应管和电阻；所述的场效应管栅极通过电阻连接电源负极，场效应管的电流输入端与电源正极连接，场效应管的电流输出端通过负载电路与电源负极连接。

优选的，所述的场效应管为P-MOS管；所述的P-MOS管栅极通过电阻连接电源负极，P-MOS管的源极与电源正极连接，P-MOS管的漏极通过负载电路与电源负极连接。

优选的，所述的场效应管为N-MOS管；所述的N-MOS管栅极通过电阻连接电源负极，N-MOS管的漏极与电源正极连接，N-MOS管的源极通过负载电路与电源负极连接。

本实用新型优点在于，通过简单的元件有效使电源反接的时候使负载电路与电源高度隔绝，避免反向电压烧坏负载电路的芯片。整体电路的成本低廉，适用于高精度低成本的电路器件。

附图说明

图1是本实用新型采用P-MOS管的结构示意图。

图2是本实用新型采用N-MOS管的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型所述的防反接电路，包括场效应管和电阻；所述的场效应管栅极通过电阻连接电源负极，场效应管的电流输入端与电源正极连接，场效应管的电流输出端通过负载电路与电源负极连接。

所述的场效应管可以采用P-MOS管或N-MOS管，根据场效应管的工作特性，如图1、图2所示，当所述的场效应管为P-MOS管；所述的P-MOS管栅极通过电阻连接电源负极，P-MOS管的源极与电源正极连接，P-MOS管的漏极通过负载电路与电源负极连接。当所述的场效应管为N-MOS管；所述的N-MOS管栅极通过电阻连接电源负极，N-MOS管的漏极与电源正极连接，N-MOS管的源极通过负载电路与电源负极连接。

其工作原理是，当电源的正负极正向接入时，场效应管的栅极电压为低电位，电流输入端为高电位，场效应管导通使负载电路与电源形成工作回路。当电源反向接入时，场效应管栅极为高电位，电流输入端为低电位，场效应管截止使负载电路与电源有效隔绝。最大限度地保护了负载电路的反向击穿，同时本实用新型的防反接电路成本非常低廉。

对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。