一种启动电源的充电控制电路的制作方法

文档序号:12486675阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种启动电源的充电控制电路,其特征在于,包括升压保护芯片U9、充电输出电路和3个控制端:CTL-CHG、CTL-INA和CTL-INB;升压保护芯片U9为FP5139芯片;

(1)控制端CTL-CHG经依次串联的电阻R34和R33接地,电阻R34和R33的连接点接NMOS管Q12的G极;Q12的S极接地,Q12的D极为EN-19V端;

(2)控制端CTL-INB经依次串联的电阻R91和R90接地,电阻R91和R90的连接点接NMOS管Q7的G极;Q7的S极接地,Q7的D极为CTL-B端;

(3)控制端CTL-INA经依次串联的电阻R14和R13接地,电阻R14和R13的连接点接NMOS管Q3的G极;Q3的S极接地,Q7的D极为CTL-A端;

(4)直流电源VBOUT+接PMOS管Q14的S极,Q14的D极经热敏电阻RT4接储能模块的正输入端BAT+;Q14的G极和S极之间跨接有电阻R29,Q14的G极接CTL-A端;

(5)直流电源VBOUT+接PMOS管Q8的S极,Q8的D极经依次串接的电感L4和二极管D6接储能模块的正输入端BAT+;Q8的D极接升压保护芯片U9的供电端VCC;

Q8的G极和S极之间跨接有电阻R30,Q8的G极接CTL-B端;

(6)EN-19V端经电阻R57接升压保护芯片U9的控制端CTL;

(7)充电输出电路:

升压保护芯片U9的GATE端经电阻R15接NPN型三极管Q19的B极和PNP型三极管Q20的B极;Q19的E极和Q20的C极短接;Q19的C极经电阻R16接电源VCC-BAT;;

Q19的E极经电阻R43接NMOS管Q10的G极,Q10的D极接电感L4与二极管D6的连接点;Q10的S极和Q20的E极均接地。

2.根据权利要求1所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,USB接口的正输入端USB_IN经二极管D17接Q8的S极。

3.根据权利要求1所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,储能模块的正端BAT1+经二极管D16接Q8的S极。

4.根据权利要求1所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,NMOS管Q3、Q7和Q12均采用2N7002K型器件。

5.根据权利要求1所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,R14、R34和R91均为1K欧姆;R13、R90和R33均为100K欧姆。

6.根据权利要求1所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,升压保护芯片U9还连接有基于运算放大器的过流保护电路。

7.根据权利要求1所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,充电时,采用预充电工作模式和主充电工作模式交替工作的模式实施充电。

8.根据权利要求7所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,电源输入接口为储能模块充电的过程如下:

步骤1:使得CTL-INA高电平,经过Q3,CTL-A得到低电平,导致Q14导通,外部电压直接经人电子对储能模块充电;此为充电的第一阶段;此时,CTL-INB和CTL-CHG均为低电平;

步骤2:使得CTL-INA为低电平,且使得CTL-INB为高电平,经过Q7后CTL-B得到低电平,从而Q8导通,外部电压接通U9;

步骤3:保持CTL-INB为高电平,并使得CTL-CHG为高电平,经Q12后,在EN一19V得到低电平,U9d的CTL端电位被拉低,U9进入正常工作模式,输出恒压给储能模块充电。

9.根据权利要求1~8任一项所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,3个控制端均与MCU连接。

10.根据权利要求9所述的启动电源的充电控制电路,其特征在于,MCU采用集成有A/D转换器的SC8F2712芯片。

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