1.一种储能用单向主动均衡电路，其特征在于，包括若干基本均衡单元；所述基本均衡单元包括双端正激电路、连接所述双端正激电路的高频变压器及若干连接所述高频变压器的后级模块；所述后级模块包括调节电路、连接所述调节电路的反馈电路、连接所述反馈电路的控制电路、及二极管D5；所述储能用单向主动均衡电路设有正电源端、负电源端及若干输出端。
2.根据权利要求1所述的储能用单向主动均衡电路，其特征在于，所述双端正激电路包括电容C1、二极管D1、二极管D2、及开关管Q1、开关管Q2；所述双端正激电路设有正极连接端、负极连接端、同名原边连接端及异名原边连接端；全部所述基本均衡单元的双端正激电路的正极连接端汇合形成所述储能用单向主动均衡电路的正电源端；全部所述基本均衡单元的双端正激电路的负极连接端线汇合形成所述储能用单向主动均衡电路的负电源端。
3.根据权利要求2所述的储能用单向主动均衡电路，其特征在于，所述开关管Q1及开关管Q2分别设有第一开关端、第二开关端及第三开关端；所述电容C1的一端作为所述双端正激电路的正极连接端；所述电容C1的一端与所述二极管D1的阴极连接；所述电容C1的一端还与所述开关管Q1的第一连接端连接；所述开关管Q1的第三开关端作为所述双端正激电路的同名原边连接端，并与所述高频变压器连接；所述开关管Q1的第三开关端还与所述二极管D2的阴极连接；所述开关管Q2的第一开关端作为所述双端正激电路的异名原边连接端，与所述高频变压器连接；所述开关管Q2的第一开关端还与所述二极管D1的阳极连接；所述开关管Q2的第三开关端与所述电容C1的另一端连接；所述开关管Q2的第三开关端还与所述二极管D2的阳极连接。
4.根据权利要求3所述的储能用单向主动均衡电路，其特征在于，所述开关管Q1、开关管Q2为绝缘栅双极晶体管；所述开关管Q1、开关管Q2的第一开关端、第二开关端及第三开关端分别为集电极、栅极及发射极。
5.根据权利要求3所述的储能用单向主动均衡电路，其特征在于，所述高频变压器包括原边绕组Np及若干副边绕组Ns；所述高频变压器的原边绕组Np的同名端与所述双端正激电路的同名原边连接端连接；所述高频变压器的原边绕组Np的异名端与所述双端正激电路的异名原边连接端连接。
6.根据权利要求1所述的储能用单向主动均衡电路，其特征在于，所述高频变压器包括原边绕组Np及若干副边绕组Ns；所述调节电路设有正二次连接端及负二次连接端；所述调节电路的正二次连接端及负二次连接端分别与一所述副边绕组Ns的同名端及异名端连接。
7.根据权利要求6所述的储能用单向主动均衡电路，其特征在于，所述调节电路设有正充电端及负充电端；所述调节电路包括磁放大器Nm，二极管D3、D4，电感L1及电容C2；所述磁放大器Nm的一端作为所述调节电路的正二次连接端；所述磁放大器Nm的另一端与所述二极管D3的阳极连接；所述二极管D3的阴极与所述电感L1的一端连接；所述二极管D3的阴极还与所述二极管D4的阴极连接；所述二极管D4的阳极作为所述调节电路的负二次连接端；所述电感L1的另一端作为所述调节电路的正充电端；所述电感L1的另一端与所述电容C2的一端连接；所述电容C2的另一端与所述二极管D4的阳极连接；所述电容C2的另一端作为所述调节电路的负充电端；所述磁放大器Nm的一端及所述二极管D4的阳极分别与所述高频变压器的一所述副边绕组Ns的同名端及异名端连接；所述调节电路的正充电端及负充电端作为所述储能用单向主动均衡电路的输出端；
所述电容C2的正极连接所述电感L1的另一端；所述电容C2的负极连接所述二极管D4的阳极。
8.根据权利要求7所述的储能用单向主动均衡电路，其特征在于，所述反馈电路设有第一输入端、第二输入端及反馈端；所述反馈电路的第一输入端及第二输入端分别与所述电容C2的两端连接。
9.根据权利要求8所述的储能用单向主动均衡电路，其特征在于，所述控制电路设有信号输入端及开关件控制端；所述控制电路的信号输入端与所述反馈电路的反馈端连接；所述控制电路的开关件控制端与所述二极管D5的阳极连接；所述二极管D5的阴极与所述磁放大器Nm的另一端连接。