技术总结
本实用新型公开了一种采用P‑MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，包括P‑MOSFET驱动管Q10，直流电源Vin通过电阻R53连接驱动管Q10的s极为高端驱动输出提供直流电源，Q10的d极为负载输出端，s极与g极之间连接有电阻R62，电阻R53两端分别连接了三极管Q11的b、e极，三极管Q11的c极连接Q10的g极；所述Q10的负载输出端还通过依次串联的电阻R32、电容C20接地，R32与C20之间的连接点连接到单片机，单片机通过开关三极管Q8连接Q10的g极。本实用新型所提供的采用P‑MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，可以有效地实现高端驱动的输出短路保护，可靠性高、功耗低、电路简洁，成本较低。
技术研发人员：朱春良
受保护的技术使用者：科蒂斯技术（苏州）有限公司
文档号码：201720008846
技术研发日：2017.01.05
技术公布日：2017.08.04