1.一种半桥驱动芯片，其特征在于，所述半桥驱动芯片包括封装体，所述封装体上设有VCC引脚、HIN引脚、LIN引脚、COM引脚、VB引脚、P引脚、VS引脚以及N引脚，所述封装体内设有半桥驱动子芯片、半桥功率开关上管以及半桥功率开关下管；
所述半桥驱动子芯片的VCC引脚、HIN引脚、LIN引脚、COM引脚、VB引脚以及VS引脚分别与所述封装体上的VCC引脚、HIN引脚、LIN引脚、COM引脚、VB引脚以及VS引脚电性连接，所述半桥驱动子芯片的HO引脚电性连接所述半桥功率开关上管的控制端，所述半桥驱动子芯片的LO引脚电性连接所述半桥功率开关下管的控制端；
所述半桥功率开关上管，第一端电性连接所述封装体上的P引脚，第二端电性连接所述封装体上的VS引脚；
所述半桥功率开关下管，第一端电性连接所述封装体上的VS引脚，第二端电性连接所述封装体上的N引脚。
2.根据权利要求1所述的半桥驱动芯片，其特征在于，所述半桥驱动子芯片包括逻辑控制单元、电平转换单元、第一缓冲单元、延迟单元以及第二缓冲单元；
所述逻辑控制单元，电性连接所述半桥驱动子芯片的VCC引脚、HIN引脚、LIN引脚以及COM引脚，同时电性连接所述电平转换单元以及所述延迟单元；
所述电平转换单元，进一步电性连接所述半桥驱动子芯片的VB引脚以及VS引脚，同时电性连接所述第一缓冲单元；
所述第一缓冲单元，进一步电性连接所述半桥驱动子芯片的VB引脚、HO引脚以及VS引脚；
所述延迟单元，进一步电性连接所述半桥驱动子芯片的COM引脚，同时电性连接所述第二缓冲单元；
所述第二缓冲单元，进一步电性连接所述半桥驱动子芯片的LO引脚以及COM引脚。
3.根据权利要求1所述的半桥驱动芯片，其特征在于，所述半桥功率开关上管以及半桥功率开关下管均采用功率MOS管或绝缘栅双极型晶体管。
4.根据权利要求1所述的半桥驱动芯片，其特征在于，所述半桥功率开关上管以及半桥功率开关下管均采用NMOS管，NMOS管的栅极作为控制端、漏极作为第一端、源极作为第二端。
5.根据权利要求1所述的半桥驱动芯片，其特征在于，所述封装体内进一步设有自举二极管；所述自举二极管，阳极与所述封装体上的VCC引脚电性连接，阴极与所述封装体上的VB引脚电性连接。
6.一种无刷直流电机驱动系统，包括微控制器以及无刷直流电机；其特征在于，所述系统还包括数量与所述无刷直流电机的端子数相适配的半桥驱动芯片，所有所述半桥驱动芯片采用权利要求1-4任意一项所述的半桥驱动芯片；
所有所述半桥驱动芯片的VCC引脚电性连接所述系统的低压直流电源；
所有所述半桥驱动芯片的HIN引脚电性连接所述微控制器的上管控制信号输出端；
所有所述半桥驱动芯片的LIN引脚电性连接所述微控制器的下管控制信号输出端；
所有所述半桥驱动芯片的COM引脚接地；
所有所述半桥驱动芯片的VB引脚电性连接所述系统的低压直流电源，同时电性连接所述无刷直流电机的一端子；
所有所述半桥驱动芯片的P引脚电性连接所述系统的高压直流电源；
所有所述半桥驱动芯片的VS引脚电性连接所述无刷直流电机的相应端子；
所有所述半桥驱动芯片的N引脚接地。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所有所述半桥驱动芯片的N引脚进一步分别通过一采样电阻接地。
8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所有所述半桥驱动芯片的封装体内进一步设有自举二极管；所述自举二极管，阳极与所述封装体上的VCC引脚电性连接，阴极与所述封装体上的VB引脚电性连接。
9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所有所述半桥驱动芯片的VB引脚进一步通过一自举电容电性连接所述无刷直流电机的相应端子。
10.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所有所述半桥驱动芯片的VB引脚通过一自举二极管电性连接所述系统的低压直流电源，同时通过一自举电容电性连接所述无刷直流电机的相应端子。
11.一种半桥逆变器，其特征在于，所述半桥逆变器包括权利要求1-5任意一项所述的半桥驱动芯片。
12.一种LED照明驱动系统，其特征在于，所述系统包括权利要求1-5任意一项所述的半桥驱动芯片。
13.一种直流/直流转换器，其特征在于，所述转换器包括权利要求1-5任意一项所述的半桥驱动芯片。