低损耗的恒流恒压电路的制作方法

文档序号:14069740阅读:549来源:国知局
低损耗的恒流恒压电路的制作方法

本实用新型涉及一种恒流恒压电路,特别是涉及一种低损耗的恒流恒压电路。



背景技术:

当今是电气化的时代,各种仪器设备的运转都离不开电能,当出现待机状态时而还需要损耗极高的电能而不采取措施会造成极大的经济损失,因此节能环保低损耗的电路将会受到越来越多重视和应用,而传统AC降压型电路,采用阻容降压,阻容降压在电路空载时,满载电压变化大,全靠稳压电路承担,造成空载功耗极大,不利于节能环保的实现;另外一种称为“节电模式”的电路,其在轻负载电流条件下的节电模式采用PFM模式,其效率达不到国际通用的6级能源之星标准,而在较重负载电流条件下采用PWM模式,这种工作模式虽然可以使转换器在宽泛的电流输出范围内保持极高的效率,但是,该模式的工作电路结构复杂,建造成本高,维修不便,在小功率(15瓦以下)电源驱动应用中,静态能耗较大,成本较高。不适合在低成本、高可靠性的家用电源市场推广使用。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种电路待机损耗低,节能环保的低损耗的恒流恒压电路。

本实用新型为解决技术问题所采取的技术方案是:

一种低损耗的恒流恒压电路,包括交流电转换为直流电电路(AC-DC电路)以及直流稳压电路(DC-DC电路),所述交流电转换为直流电电路包括保险管F、桥式整流二极管BD1、有极性电容C1、有极性电容C2以及电感线圈L1;所述直流稳压电路包括集成电路板IC、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、二极管D1、二极管D2、有极性电容C3、无极性电容C4以及电感线圈L2。

所述交流电转换为直流电电路中的所述保险管F一端连接在交流电火线端AC_L,另一端与桥式整流二极管BD1的接口1连接,所述桥式整流二极管BD1的接口2 连接引出线负极,接口3通过节点5与所述有极性电容C1的正极和电感线圈L1的一端连接,接口4与交流电的零线AC_N连接,所述有极性电容C1负极连接节点6,所述电感线圈L1的另一端和所述有极性电容C2正极均与节点7连接,所述有极性电容C2负极与节点8连接,节点6和节点8均与引出线负极连接。

所述直流稳压电路中的集成电路板IC上的管脚VIN通过节点9与所述电阻器R1的一端连接,电阻器R1的另一端通过节点10分别与节点7和所述集成电路板IC上的管脚Drain连接,所述集成电路板IC上的管脚SET通过电阻R2和节点11与所述集成电路板IC上的管脚GND连接。

所述直流稳压电路中的无极性电容C4一端通过节点12分别与节点9和所述二极管D2的负极连接,另一端通过节点13分别与节点11、二极管D1的负极以及电感线圈L2的一端连接,所述二极管D1的正极通过节点14连接引出线负极,所述电感线圈L2的另一端通过节点15分别与二极管D2的正极、节点17以及有极性电容C3的正极连接,所述有极性电容C3的负极通过节点16连接引出线负极,所述电阻器R3的两端分别与节点17和节点18连接,节点17连接引出线的正极,节点18连接引出线的负极。

所述集成电路板IC控制逻辑电路包括触发器、软启动、过载保护以及过温保护,当集成电路板IC内部芯片电压超过开启电压后,芯片进入软启动(Soft Start)过程,显著的降低电路启动时的电流应力,此系统开关频率由低到高逐渐增加,而输出的电压也逐渐建立起来,集成电路板IC设置内部过温保护OTP,当芯片的结温超过过温保护关段温度时,芯片停止开关动作,当芯片结温低于过温保护开启温度时,芯片重新开始开关动作,集成电路板IC设置内部过载保护OLP,当芯片的功率超过保护关段功率时,芯片停止开关动作,当芯片功率低于保护开启功率时,芯片重新开始开关动作,电源驱动开关频率固定,不同于典型的PWM和 PFM模式控制方式。

本实用新型的一种优选方案是通过接入桥式整流二极管BD1将交流电(接入端为电火线AC_L和零线AC_N)转换为直流电流。

另一优选方案是直流稳压电路的恒流恒压是通过集成电路板IC控制逻辑电路实现的,具体来说,就是在集成电路板IC系统内部,通过输入快速比较器的基准电压Vref与与管脚VDD输入电压的比较,开通GATE的触发信号,系统内部时钟(81KHZ)每个上升沿处,与快速比较器的输出结果都会被检测,当比较强输出的结果为高时,内部高压MOSFET被导通,同时芯片内部设计有针对流过内部高压MOSFET的电流采样电路,当流过内部高压MOSFET的电流超过峰值电流基准时,那么内部高压MOSFET被关段,根据实际负载的大小,系统通过改变内部高压MOSFET导通的平均次数维持输出电压的稳定而无需环路补偿,实现电路的恒压恒流输出,同时,电压具有可调式输出(9V、12V、18V、24V)功能。

本实用新型的积极有益效果是:

1、本实用新型是当电路的负载减轻时,内部时钟的上升沿到来时与快速比较器的结果大多数情况下为低,从而使内部高压MOSFET平均的开关次数变少,同时峰值电流基准自动降低以减小输出功率,能够降低功耗的。

2、本实用新型采用新型峰值电流控制方式,简化电路设计,保证了优异的负载和电压调整率;此外,特殊的待机控制方式自动调节峰值电流以达到降低待机功耗的目的,调节电压的输出,可以快速的由待机状态转化为满负荷运行方式,具有控制方便,低损耗,高寿命等特点。

3、本实用新型能替代传统电容降压实现0.05w待机,在小型通讯设备控制板电源、家用电器控制器电源领域以及非隔离高压降压,供恒流、恒压的应用领域具有广泛的应用前景。

附图说明:

图1是本实用新型低损耗的恒流恒压电路的控制电路原理图;

图2是图1中的集成电路板IC控制电路原理图。

具体实施方式:

下面结合附图1和附图2以及具体实施例对本实用新型作进一步的解释和说明:

实施例:一种低损耗的恒流恒压电路,包括交流电转换为直流电电路(AC-DC电路)以及直流稳压电路(DC-DC电路),所述交流电转换为直流电电路包括保险管F、桥式整流二极管BD1、有极性电容C1、有极性电容C2以及电感线圈L1;所述直流稳压电路包括集成电路板IC、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、二极管D1、二极管D2、有极性电容C3、无极性电容C4以及电感线圈L2。

所述交流电转换为直流电电路中的所述保险管F一端连接在交流电火线端AC_L,另一端与桥式整流二极管BD1的接口1连接,所述桥式整流二极管BD1的接口2 连接引出线负极,接口3通过节点5与所述有极性电容C1的正极和电感线圈L1的一端连接,接口4与交流电的零线AC_N连接,所述有极性电容C1负极连接节点6,所述电感线圈L1的另一端和所述有极性电容C2正极均与节点7连接,所述有极性电容C2负极与节点8连接,节点6和节点8均与引出线负极连接。

所述直流稳压电路中的集成电路板IC上的管脚VIN通过节点9与所述电阻器R1的一端连接,电阻器R1的另一端通过节点10分别与节点7和所述集成电路板IC上的管脚Drain连接,所述集成电路板IC上的管脚SET通过电阻R2和节点11与所述集成电路板IC上的管脚GND连接。

所述直流稳压电路中的无极性电容C4一端通过节点12分别与节点9和所述二极管D2的负极连接,另一端通过节点13分别与节点11、二极管D1的负极以及电感线圈L2的一端连接,所述二极管D1的正极通过节点14连接引出线负极,所述电感线圈L2的另一端通过节点15分别与二极管D2的正极、节点17以及有极性电容C3的正极连接,所述有极性电容C3的负极通过节点16连接引出线负极,所述电阻器R3的两端分别与节点17和节点18连接,节点17连接引出线的正极,节点18连接引出线的负极。

所述集成电路板IC控制逻辑电路包括触发器、软启动、过载保护以及过温保护,当集成电路板IC内部芯片电压超过开启电压后,芯片进入软启动(Soft Start)过程,显著的降低电路启动时的电流应力,此系统开关频率由低到高逐渐增加,而输出的电压也逐渐建立起来,集成电路板IC设置内部过温保护OTP,当芯片的结温超过过温保护关段温度时,芯片停止开关动作,当芯片结温低于过温保护开启温度时,芯片重新开始开关动作,集成电路板IC设置内部过载保护OLP,当芯片的功率超过保护关段功率时,芯片停止开关动作,当芯片功率低于保护开启功率时,芯片重新开始开关动作,电源驱动开关频率固定,不同于典型的PWM和 PFM模式控制方式。

本实用新型的一种优选方案是通过接入桥式整流二极管BD1将交流电(接入端为电火线AC_L和零线AC_N)转换为直流电流。

另一优选方案是直流稳压电路的恒流恒压是通过集成电路板IC控制逻辑电路实现的,具体来说,就是在集成电路板IC系统内部,通过输入快速比较器的基准电压Vref与与管脚VDD输入电压的比较,开通GATE的触发信号,系统内部时钟(81KHZ)每个上升沿处,与快速比较器的输出结果都会被检测,当比较强输出的结果为高时,内部高压MOSFET被导通,同时芯片内部设计有针对流过内部高压MOSFET的电流采样电路,当流过内部高压MOSFET的电流超过峰值电流基准时,那么内部高压MOSFET被关段,根据实际负载的大小,系统通过改变内部高压MOSFET导通的平均次数维持输出电压的稳定而无需环路补偿,实现电路的恒压恒流输出,同时,电压具有可调式输出(9V、12V、18V、24V)功能。

工作时,当电路的负载减轻时,内部时钟的上升沿到来时与快速比较器的结果大多数情况下为低,从而使内部高压MOSFET平均的开关次数变少,同时峰值电流基准自动降低以减小输出功率,能够降低功耗的。

以上所述,仅是本实用新型的优先实施例而已,并未对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。

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