一种用于限流的九芯片整流器的制作方法

文档序号:14679990发布日期:2018-06-12 22:05阅读:来源:国知局
一种用于限流的九芯片整流器的制作方法

技术特征:

1.一种用于限流的九芯片整流器,其特征在于包括:

底座(1),

壳体(2),所述壳体(2)上开设有若干空心槽(3),

三个芯片电极组件,每个所述芯片电极组件包括:陶瓷垫片(4)、第一半导体芯片(5)、第二半导体芯片(6)、可控硅芯片(7)和第二可控硅电极(8),所述陶瓷垫片(4)固定连接于底座(1)上,所述第一半导体芯片(5)、第二半导体芯片(6)和可控硅芯片(7)沿陶瓷垫片(4)长度方向依次固定连接于陶瓷垫片(4)上方,所述第二可控硅电极(8)包括:依次一体设置的第四固定部(81)、第四连接部(82)、第四焊接部(83)、折弯部(84)和第五焊接部(85),所述第四焊接部(83)设置在可控硅芯片(7)和第二半导体芯片(6)下方,所述第五焊接部(85)连接于第一半导体芯片(5)上表面,所述第四固定部(81)穿过空心槽(3)并在壳体(2)上方折弯,

第一半导体电极(9),所述第一半导体电极(9)包括:一体设置的第一固定部(91)、第一连接部(92)和三个第一焊接部(93),一个所述第一焊接部(93)对应一个芯片电极组件,所述第一焊接部(93)设置在第一半导体芯片(5)与陶瓷垫片(4)之间,所述第一固定部(91)穿过空心槽(3)并在壳体(2)上方折弯,

第二半导体电极(10),所述第二半导体电极(10)包括:一体设置的第二固定部(101)、第二连接部(102)和三个第二焊接部(103),一个所述第二焊接部(103)对应一个芯片电极组件,所述第二焊接部(103)连接于第二半导体芯片(6)上表面,所述第二固定部(101)穿过空心槽(3)并在壳体(2)上方折弯,

第一可控硅电极(11),所述第一可控硅电极(11)包括:一体设置的第三固定部(111)、第三连接部(112)和第三焊接部(113),一个所述第三焊接部(113)对应一个芯片组件,所述第三焊接部(113)连接于可控硅芯片(7)上表面,所述第三固定部(111)穿过空心槽(3)并在壳体(2)上方折弯,

三个固定件(12),所述固定件(12)用于底端通过引线与可控硅芯片(7)连接,所述固定件(12)穿过空心槽(3)并在壳体(2)上下两侧折弯。

2.如权利要求1所述的一种用于限流的九芯片整流器,其特征在于:相邻两个所述空心槽(3)之间设有凸楞(13)。

3.如权利要求1所述的一种用于限流的九芯片整流器,其特征在于:所述壳体(2)中间开设有灌装槽(14)。

4.如权利要求3所述的一种用于限流的九芯片整流器,其特征在于:所述灌装槽(14)与空心槽(3)之间通过卡块(15)连接。

5.如权利要求1所述的一种用于限流的九芯片整流器,其特征在于:所述芯片电极组件沿底座(1)长度方向均匀分布。

6.如权利要求1所述的一种用于限流的九芯片整流器,其特征在于:所述第一固定部(91)、第二固定部(101)、第三固定部(111)、第四固定部(81)和固定件(12)均与壳体(2)形成90°折弯。

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