一种用于限流的九芯片整流器的制作方法

本实用新型涉及整流器的技术领域，特别地涉及一种用于限流的九芯片整流器。

背景技术：

三相整流模块，是将数个整流管封装在同一个壳体内，构成一个完整的整流电路。随着电力半导体模块的工艺制造技术、设计能力、测试水平以及生产经验的不断完善，目前三相整流模块已经普遍适用于变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不停电电源、高频感应加热电源、工业电磁炉以及电动车增程器等行业。但是大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是：为了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，本实用新型提供了一种用于限流的九芯片整流器，将三块陶瓷基板安装在底座上，分别在每块陶瓷基板上焊接第一半导体电极和第二可控硅电极，在第一半导体电极的第一焊接部上焊接第一半导体芯片，第二可控硅电极的第五焊接部焊接于第一半导体芯片的上表面，第二可控硅的第四焊接部上焊接有第二半导体芯片和可控硅芯片，第二半导体芯片上表面焊接有第二半导体电极，可控硅芯片上表面焊接有第一可控硅电极，第一固定部、第二固定部、第三固定部和第四固定部穿过壳体上的空心槽并折弯，解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于限流的九芯片整流器，包括：

底座，

壳体，所述壳体上开设有若干空心槽，

三个芯片电极组件，每个所述芯片电极组件包括：陶瓷垫片、第一半导体芯片、第二半导体芯片、可控硅芯片和第二可控硅电极，所述陶瓷垫片固定连接于底座上，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片和可控硅芯片沿陶瓷垫片长度方向依次固定连接于陶瓷垫片上方，所述第二可控硅电极包括：依次一体设置的第四固定部、第四连接部、第四焊接部、折弯部和第五焊接部，所述第四焊接部设置在可控硅芯片和第二半导体芯片下方，所述第五焊接部连接于第一半导体芯片上表面，所述第四固定部穿过空心槽并在壳体上方折弯，

第一半导体电极，所述第一半导体电极包括：一体设置的第一固定部、第一连接部和三个第一焊接部，一个所述第一焊接部对应一个芯片电极组件，所述第一焊接部设置在第一半导体芯片与陶瓷垫片之间，所述第一固定部穿过空心槽并在壳体上方折弯，

第二半导体电极，所述第二半导体电极包括：一体设置的第二固定部、第二连接部和三个第二焊接部，一个所述第二焊接部对应一个芯片电极组件，所述第二焊接部连接于第二半导体芯片上表面，所述第二固定部穿过空心槽并在壳体上方折弯，

第一可控硅电极，所述第一可控硅电极包括：一体设置的第三固定部、第三连接部和第三焊接部，一个所述第三焊接部对应一个芯片组件，所述第三焊接部连接于可控硅芯片上表面，所述第三固定部穿过空心槽并在壳体上方折弯，

三个固定件，所述固定件用于底端通过引线与可控硅芯片连接，所述固定件穿过空心槽并在壳体上下两侧折弯。

作为优选，相邻两个所述空心槽之间设有凸楞。

作为优选，所述壳体中间开设有灌装槽。

具体地，所述灌装槽与空心槽之间通过卡块连接。

具体地，所述芯片电极组件沿底座长度方向均匀分布。

具体地，所述第一固定部、第二固定部、第三固定部、第四固定部和固定件均与壳体形成90°折弯。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型提供了一种用于限流的九芯片整流器，将三块陶瓷基板安装在底座上，分别在每块陶瓷基板上焊接第一半导体电极和第二可控硅电极，在第一半导体电极的第一焊接部上焊接第一半导体芯片，第二可控硅电极的第五焊接部焊接于第一半导体芯片的上表面，第二可控硅的第四焊接部上焊接有第二半导体芯片和可控硅芯片，第二半导体芯片上表面焊接有第二半导体电极，可控硅芯片上表面焊接有第一可控硅电极，第一固定部、第二固定部、第三固定部和第四固定部穿过壳体上的空心槽并折弯，解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。

本实用新型提供了一种用于限流的九芯片整流器，为了解决整流器模块在插导线进行使用时两导线相接触引起电路故障的问题，相邻两个空心槽之间设有凸楞，每一根与壳体上空心槽位置处对应的导线均通过凸楞分隔，使得相邻两导线不会相互接触，避免发生电路故障事故。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是一种用于限流的九芯片整流器的结构示意图；

图2是第一半导体电极的结构示意图；

图3是第二半导体电极的结构示意图；

图4是第一可控硅电极的结构示意图；

图5是第二可控硅电极的结构示意图；

图中：1.底座，2.壳体，3.空心槽，4.陶瓷垫片，5.第一半导体芯片，6.第二半导体芯片，7.可控硅芯片，8.第二可控硅电极，81.第四固定部，82.第四连接部，83.第四焊接部，84.折弯部，85.第五焊接部，9.第一半导体电极，91.第一固定部，92.第一连接部，93.第一焊接部，10.第二半导体电极，101.第二固定部，102.第二连接部，103.第二焊接部，11.第一可控硅电极，111.第三固定部，112.第三连接部，113.第三焊接部，12.固定件，13.凸楞，14.灌装槽，15.卡块。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图所示，本实用新型提供了一种用于限流的九芯片整流器，其特征在于包括：

底座1，

壳体2，壳体2上开设有若干空心槽3，

三个芯片电极组件，每个芯片电极组件包括：陶瓷垫片4、第一半导体芯片5、第二半导体芯片6、可控硅芯片7和第二可控硅电极8，陶瓷垫片4固定连接于底座1上，第一半导体芯片5、第二半导体芯片6和可控硅芯片7沿陶瓷垫片4长度方向依次固定连接于陶瓷垫片4上方，第二可控硅电极8包括：依次一体设置的第四固定部81、第四连接部82、第四焊接部83、折弯部84和第五焊接部85，第四焊接部83设置在可控硅芯片7和第二半导体芯片6下方，第五焊接部85连接于第一半导体芯片5上表面，第四固定部81穿过空心槽3并在壳体2上方折弯，折弯部84由一块折弯板折弯两次后得到的，折弯角度为100-130°之间，

第一半导体电极9，第一半导体电极9包括：一体设置的第一固定部91、第一连接部92和三个第一焊接部93，一个第一焊接部93对应一个芯片电极组件，第一焊接部93设置在第一半导体芯片5与陶瓷垫片4之间，第一固定部91穿过空心槽3并在壳体2上方折弯，

第二半导体电极10，第二半导体电极10包括：一体设置的第二固定部101、第二连接部102和三个第二焊接部103，一个第二焊接部103对应一个芯片电极组件，第二焊接部103连接于第二半导体芯片6上表面，第二固定部101穿过空心槽3并在壳体2上方折弯，

第一可控硅电极11，第一可控硅电极11包括：一体设置的第三固定部111、第三连接部112和第三焊接部113，一个第三焊接部113对应一个芯片组件，第三焊接部113连接于可控硅芯片7上表面，第三固定部111穿过空心槽3并在壳体2上方折弯，

三个固定件12，固定件12用于底端通过引线与可控硅芯片7连接，固定件12穿过空心槽3并在壳体2上下两侧折弯。

安装时，将三块陶瓷基板4安装在底座1上，分别在每块陶瓷基板4上焊接第一半导体电极9和第二可控硅电极8，在第一半导体电极9的第一焊接部93上焊接第一半导体芯片5，第二可控硅电极8的第五焊接部85焊接于第一半导体芯片5的上表面，第二可控硅8的第四焊接部83上焊接有第二半导体芯片6和可控硅芯片7，第二半导体芯片7上表面焊接有第二半导体电极10，可控硅芯片7上表面焊接有第一可控硅电极11，第一固定部91、第二固定部101、第三固定部111和第四固定部81穿过壳体上的空心槽3并折弯，解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片7对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片7对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。

在一种具体实施方式中，为了解决整流器模块在插导线进行使用时两导线相接触引起电路故障的问题，相邻两个空心槽3之间设有凸楞13，每一根与壳体上空心槽3位置处对应的导线均通过凸楞13分隔，使得相邻两导线不会相互接触，避免发生电路故障事故。

具体地，壳体2中间开设有灌装槽14，用于灌装环氧树脂等密封稳定材料进行密封。

具体地，灌装槽14与空心槽3之间通过卡块15连接。

具体地，为了整个整流器整体的美观、整齐，芯片电极组件沿底座1长度方向均匀分布。

具体地，为了第一固定部91、第二固定部101、第三固定部111、第四固定部81和固定件12不会从空心槽3中滑落，与第一固定部91、第二固定部101、第三固定部111、第四固定部81和固定件12均与壳体2形成90°折弯，各导线可以通过螺栓与螺母配合的方式分别与第一固定部91、第二固定部101、第三固定部111、第四固定部81和固定件12一起固定于壳体2上。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。