集成有功率开关管的电源管理集成电路及电源管理装置的制作方法

技术特征：

1.一种集成有功率开关管的电源管理集成电路，其特征在于，包括MOS芯片和主控芯片，

所述MOS芯片包括结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管，所述结型场效应管的输入端连接所述电源管理集成电路的电源输入端，所述结型场效应管的输出端连接所述主控芯片的VDD端，用于给所述主控芯片提供工作电压；所述结型场效应管的受控端连接所述主控芯片，所述主控芯片在监控到所述VDD端的电压达到周期上限值时，通过所述受控端控制所述结型场效应管关断，并在监控到所述VDD端的电压下降到周期下限值时，通过所述受控端控制所述结型场效应管导通以继续向所述主控芯片提供工作电压；所述金属氧化物半导体场效应管的输入端连接所述电源管理集成电路的电源输入端，所述主控芯片包括脉冲宽度调制单元，所述脉冲宽度调制单元的输出端连接所述金属氧化物半导体场效应管的受控端，所述脉冲宽度调制单元通过输出脉冲宽度调制信号控制所述金属氧化物半导体场效应管的导通和关断，从而控制所述电源管理集成电路输出端的输出信号的输出与截止；

所述MOS芯片采用与所述主控芯片不同的制造工艺进行制造，使得所述MOS芯片的耐压高于所述主控芯片、线宽大于所述主控芯片。

2.根据权利要求1所述的集成有功率开关管的电源管理集成电路，其特征在于，所述结型场效应管为耗尽型，所述金属氧化物半导体场效应管为增强型。

3.根据权利要求2所述的集成有功率开关管的电源管理集成电路，其特征在于，所述结型场效应管为N沟道耗尽型，所述金属氧化物半导体场效应管为N沟道增强型，所述结型场效应管的输入端是漏极，所述结型场效应管的输出端是源极，所述结型场效应管的受控端是栅极；所述金属氧化物半导体场效应管的输入端是漏极，所述金属氧化物半导体场效应管的受控端是栅极。

4.根据权利要求1所述的集成有功率开关管的电源管理集成电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应管的输出端连接所述电源管理集成电路的片选端。

5.根据权利要求1所述的集成有功率开关管的电源管理集成电路，其特征在于，所述MOS芯片的耐压大于等于500伏特，所述主控芯片的耐压大于等于5伏特，小于等于40伏特。

6.一种集成有功率开关管的电源管理装置，包括引线框架和绝缘保护外层，其特征在于，还包括MOS芯片和主控芯片，所述引线框架包括第一基岛和第二基岛，所述MOS芯片设于所述第一基岛上，所述主控芯片设于第二基岛上；

所述MOS芯片包括结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管，所述结型场效应管的输入端连接所述电源管理装置的电源输入端，所述结型场效应管的输出端连接所述主控芯片的VDD端，用于给所述主控芯片提供工作电压；所述结型场效应管的受控端连接所述主控芯片，所述主控芯片在监控到所述VDD端的电压达到周期上限值时，通过所述受控端控制所述结型场效应管关断，并在监控到所述VDD端的电压下降到周期下限值时，通过所述受控端控制所述结型场效应管导通以继续向所述主控芯片提供工作电压；所述金属氧化物半导体场效应管的输入端连接所述电源管理装置的电源输入端，所述主控芯片包括脉冲宽度调制单元，所述脉冲宽度调制单元的输出端连接所述金属氧化物半导体场效应管的受控端，所述脉冲宽度调制单元通过输出脉冲宽度调制信号控制所述金属氧化物半导体场效应管的导通和关断，从而控制所述电源管理装置输出端的输出信号的输出与截止；

所述MOS芯片采用与所述主控芯片不同的制造工艺进行制造，使得所述MOS芯片的耐压高于所述主控芯片、线宽大于所述主控芯片。

7.根据权利要求6所述的集成有功率开关管的电源管理装置，其特征在于，所述结型场效应管为耗尽型，所述金属氧化物半导体场效应管为增强型。

8.根据权利要求7所述的集成有功率开关管的电源管理装置，其特征在于，所述结型场效应管为N沟道耗尽型，所述金属氧化物半导体场效应管为N沟道增强型，所述结型场效应管的输入端是漏极，所述结型场效应管的输出端是源极，所述结型场效应管的受控端是栅极；所述金属氧化物半导体场效应管的输入端是漏极，所述金属氧化物半导体场效应管的受控端是栅极。

9.根据权利要求6所述的集成有功率开关管的电源管理装置，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应管的输出端连接所述电源管理装置的片选端。

10.根据权利要求6所述的集成有功率开关管的电源管理装置，其特征在于，所述MOS芯片的耐压大于等于500伏特，所述主控芯片的耐压大于等于5伏特，小于等于40伏特。