技术特征：
技术总结
本发明涉及一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路，属于驱动电路技术领域，解决了现有技术中零电压开通MOSFET驱动电路存在驱动损耗大、成本高的问题。所述驱动电路由驱动信号输入端、变压器励磁电路、驱动变压器、充放电控制电路组成，其中，驱动信号输入端连接变压器励磁电路，所述变压器励磁电路的输出端连接驱动变压器的原边绕组，所述驱动变压器的副边绕组连接充放电控制电路；所述充放电控制电路的输出端口一和输出端口二分别用于与所述零电压开通MOSFET的栅极和源极连接。本发明所述驱动电路实现简单、驱动损耗小、成本低，尤其适用于诸如LLC等ZVS拓扑结构中MOSFET的隔离驱动要求。
技术研发人员：赵鑫;杨帆;郭鑫;张斌;李力生
受保护的技术使用者：北京机械设备研究所
技术研发日：2018.04.28
技术公布日：2018.10.09