一种用于智能家电的无线充电接收装置及系统的制作方法

本发明属于无线传输技术领域，具体涉及一种用于智能家电的无线充电接收装置及系统。

背景技术：

随着智能家电的快速发展，扫地机器人、智能音箱等智能家电给人们的生活带来了极大便利。在为智能家电充电时，需要使智能家电连接有线充电器，才能对智能家电中的电池进行充电，操作较为繁琐且需要将智能家电搬到有线充电器附近，给用户的使用带来不便。

为了方便用户使用，可以使用无线充电技术。目前，无线充电技术属于近场无线能量传输技术，也即充电器和智能家电之间通过电感耦合技术传输电能。但是，目前的无线充电技术的最大传输距离仅为几厘米。若充电器和智能家电之间的距离大于最大传输距离，电能的传输效率会明显下降。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种用于智能家电的无线充电接收装置及系统。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种用于智能家电的无线充电接收装置，所述无线充电接收装置包括：接收天线(102)和整流模块(104)；

所述接收天线(102)，用于接收预设的无线充电发射装置发射的电磁波信号；

所述整流模块(104)，与所述接收天线(102)连接，用于将所述接收天线(102)接收到的电磁波信号转换为直流电信号。

在本发明的一个实施例中，所述整流模块(104)，包括：整流电路(106)，其中，所述整流电路(106)，与所述接收电线(102)连接，用于将所述电磁波信号转换为直流电信号。

在本发明的一个实施例中，所述整流模块(104)，还包括：阻抗匹配电路(108)，所述阻抗匹配电路(108)与整流电路(106)串行电连接，其中，所述阻抗匹配电路(108)，用于当所述阻抗匹配电路(108)的阻抗与所述接收天线(102)发送的电磁波信号的频率相匹配时，将所述电磁波信号的效率调整至预设的最大功率，以及将调整后的所述电磁波信号发送至所述整流电路(106)。

在本发明的一个实施例中，所述无线充电接收装置，还包括：电源管理模块(110)，其中，所述电源管理模块(110)，与所述整流模块(104)连接，用于将所述整流模块(104)发送的直流电信号进行放大处理，并将放大处理后的所述直流电信号充入所述智能家电的电池。

在本发明的一个实施例中，所述整流电路(106)包括：整流二极管、电阻、交变线圈，其中，所述交变线圈的直流端、所述整流二极管、所述电阻依次连接形成闭合回路，所述整流二极管为硅基应变ge肖特基二极管。

在本发明的一个实施例中，所述硅基应变ge肖特基二极管，包括：si衬底(001)、n型si1-xgex层(004)、第一n型压应变ge层(011)、第二n型压应变ge层(007)、铝al金属层(008)、钨w金属层(010)，其中，

所述n型si1-xgex层(004)设置在所述si衬底(001)的表面；

所述第一n型压应变ge层(011)设置在所述n型si1-xgex层(004)的表面；

所述第二n型压应变ge层(007)内嵌在所述第一n型压应变ge层(011)中；

所述al金属层(008)设置在所述第二n型压应变ge层(007)的表面上；

所述w金属层(010)设置在所述第一n型压应变ge层(011)的表面的预设的肖特基接触指定区域内；

其中，所述al金属层(008)与所述交变线圈连接，所述w金属层(010)与所述电阻连接。

在本发明的一个实施例中，所述n型si1-xgex层(004)是对经再结晶处理后的高ge组分si1-xgex层，进行离子注入后形成的。

在本发明的一个实施例中，所述si衬底(001)为厚度为300～400μm的n型单晶si衬底；

所述n型si1-xgex层(004)的厚度为300～400nm，掺杂浓度为1.8～2×10¹⁶cm^-2，其中，x>0.8；

所述第一n型压应变ge层(011)的厚度为900～1000nm，掺杂浓度为1.8×10¹⁴～2×10¹⁴cm^-2。

本发明的另一个实施例提供的一种用于智能家电的无线充电系统，包括无线充电发射装置和无线充电接收装置，所述无线充电接收装置为上述实施例任一项所述的无线充电接收装置。

本发明实施例提供的用于智能家电的无线充电装置及系统，所述无线充电接收装置包括：接收天线(102)和整流模块(104)；所述接收天线(102)，用于接收电磁波信号；所述整流模块(104)，与所述接收天线(102)连接，用于将所述接收天线(102)接收到的电磁波信号转换为直流电信号，这样，可以通过无线充电接收装置，实现对智能家电的远距离的高效无线充电。

附图说明

图1为本发明实施例的用于智能家电的无线充电接收装置的结构示意图；

图2为本发明实施例中的整流电路的电路图；

图3为本发明实施例提供的一种硅基应变ge肖特基二极管的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种硅基应变ge肖特基二极管的制备方法的流程示意图；

图5a至图5n为本发明实施例提供的一种硅基应变ge肖特基二极管的制备方法的工艺示意图；

图6为本发明实施例提供的一种用于智能家电的无线充电系统的架构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例一

本发明实施例提供了一种用于智能家电的无线充电接收装置，参见图1，图1为本发明实施例的用于智能家电的无线充电接收装置的结构示意图。

通常情况下，无线充电接收装置可以与智能家电，比如扫地机器人，或者无线充电接收装置可以设置在智能家电内。

如图1所示，所述无线充电接收装置包括：接收天线(102)和整流模块(104)；所述整流模块(104)与所述接收天线(102)连接。

所述接收天线(102)，用于接收预设的无线充电发射装置发射的电磁波信号。

具体的，首先，预设的无线充电发射装置发射出电磁波信号；然后，所述无线充电接收装置中的所述接收天线(102)接收到预设的无线充电发射装置发射的电磁波信号，以使所述无线充电接收装置使用接收到的所述电磁波信号对智能家电进行充电。

需要说明的是，由于电磁波的有效传输距离较远，因此，可以实现对较远距离的智能家电的高效充电。

所述整流模块(104)，与所述接收电线(102)连接，用于将所述接收天线(102)接收到的电磁波信号转换为直流电信号。

具体的，所述整流模块(104)可以将所述接收天线(102)接收到的电磁波信号转换为直流电信号，以使用直流电信号对智能家电进行充电。

一种实现方式中，所述整流模块(104)，包括：整流电路(106)。

所述整流电路(106)，用于将所述接收天线(102)接收到的电磁波信号转换为直流电信号。

具体的，整流电路(106)可以为半波整流电路。可以参考图2，图2为本发明实施例中的整流电路的电路图，如图2所示，整流电路(106)包括：整流二极管d、电阻、交变线圈。

其中，所述交变线圈包括220v的交流端和直流端，交变线圈的直流端、所述整流二极管d、所述电阻依次连接形成闭合回路。

在实际应用中，所述整流二极管为硅基应变ge肖特基二极管。

一种实现方式中，所述整流模块(104)，还包括：阻抗匹配电路(108)，所述阻抗匹配电路(108)与整流电路(106)串行电连接。

所述阻抗匹配电路(108)，用于当所述阻抗匹配电路(108)的阻抗与所述接收天线(102)发送的电磁波信号的频率相匹配时，将所述电磁波信号的效率调整至预设的最大功率，以及将调整后的所述电磁波信号发送至所述整流电路(106)。

具体的，当所述阻抗匹配电路(108)的阻抗与所述接收天线(102)发送的电磁波信号的频率相匹配时，可以使得电磁波信号的效率达到预设的最大功率，达到最大功率传输效果。阻抗匹配电路(108)与整流电路(106)串行电连接，可以将达到预设的最大功率的电磁波信号发送至整流电路(106)，以便对智能家电进行充电。

一种实现方式中，所述无线充电接收装置，还包括：电源管理模块(110)。

所述电源管理模块(110)，与所述整流模块(104)连接，用于将所述整流模块(104)发送的直流电信号进行放大处理，并将放大处理后的所述直流电信号充入所述智能电器的电池。

具体的，所述电源管理模块(110)可以对整流模块(104)发送的直流电信号进行升压处理，然后将升压处理后的直流电压传输对智能家电进行充电。

在实际应用中，所述电源管理模块(110)可以为高效升压充电器，

需要说明的是，一个预设的无线充电发射装置可以同时对应多个无线充电接收装置，对多个智能家电进行充电。

比如，预设的无线充电发射装置发射的电磁波信号的有效距离为5米，那么，处于以预设的无线充电发射装置的位置为圆心，以5米为半径的圆形区域内的无线充电接收装置均能够接收到电磁波信号，从而实现对上述圆形区域内的智能家电的充电。

可见，本发明实施例提供的用于智能家电的无线充电接收装置包括：接收天线(102)和整流模块(104)；所述接收天线(102)，用于接收预设的无线充电发射装置发射的电磁波信号；所述整流模块(104)，用于将所述接收天线(102)接收到的电磁波信号转换为直流电信号。由于电磁波信号的有效传输距离较远，因此，本发明实施例提供的用于智能家电的无线充电接收装置能够实现对距离预设的无线充电发射装置较远的智能家电的充电。此外，由于一个预设的无线充电发射装置可以对多个智能家电进行充电，对用户的使用带来极大便利。

实施例二

请参见图3，图3为本发明实施例提供的一种硅基应变ge肖特基二极管的结构示意图。本实施例在上述实施例的基础上，重点对整流电路(106)中的硅基应变ge肖特基二极管的结构和制备方法进行详细介绍。

如图3所示，硅基应变ge肖特基二极管，包括：si衬底001、n型si1-xgex层004、第一n型压应变ge层011、第二n型压应变ge层007、铝al金属层008和钨w金属层010。

所述n型si1-xgex层004设置在所述si衬底001的表面。

具体的，由于si材料的价格较低且稳定性好，因此，可以选取si作为衬底。当然，也可以根据实际情况，选择其他稳定性较好的材料作为衬底。

在实际应用中，在si衬底001上形成其他半导体层之前，可以对si衬底001进行清洗。

具体的，首先，可以使用rca方法，清洁所述si衬底001；然后，使用10％的氢氟酸，去除清洁后的si衬底011表面的氧化层，有利于在si衬底001上形成高ge组分si1-xgex层。

一种实现方式中，所述si衬底001为厚度为300～400μm的n型单晶si衬底。所述n型si1-xgex层004的厚度为300～400nm，掺杂浓度为1.8～2×10¹⁶cm^-2，其中，x>0.8。

需要说明的是，由于si材料与ge材料之间存在晶格失配，当x大于0.8后，可对ge材料实现压应变。

所述第一n型压应变ge层011设置在所述n型si1-xgex层004的表面。

具体的，在n型si1-xgex层004的表面生长出的第一n型压应变ge层011的质量较好，载流子迁移率较高。

一种实现方式中，所述第一n型压应变ge层011的厚度为900～1000nm，掺杂浓度为1.8×10¹⁴～2×10¹⁴cm^-2。

需要说明的是，若第一n型压应变ge层011的厚度小于800nm，可能导致肖特基器件被击穿；同时，使第一n型压应变ge层011的厚度小于1000nm，可以在较大程度上降低器件厚度，便于集成。

还需要说明的是，第一n型压应变ge层011为轻掺杂，可以用于产生肖特基接触，形成第二电极a2。

一种实现方式中，所述n型si1-xgex层004是对经再结晶处理后的高ge组分si1-xgex层，进行离子注入后形成的。

具体的，在经过连续激光扫描并冷却结晶后的高ge组分si1-xgex层中注入离子，比如磷p离子，可以形成n型si1-xgex层004。

一种实现方式中，所述再结晶处理，包括：

在所述si衬底001的表面，淀积高ge组分si1-xgex层；

对加热后的所述高ge组分si1-xgex层，采用连续激光扫描，其中，激光的波长为808nm，所述激光的功率密度为2.1kw/cm²，所述激光的光斑尺寸为10nm×1nm，所述激光的移动速度为20nm/s；

使连续激光扫描后的高ge组分si1-xgex层自然冷却后再结晶。

其中，可以采用磁控溅射的方法，在si衬底001的表面形成高ge组分si1-xgex层。

需要说明的是，由于si衬底001与高ge组分si1-xgex层之间存在界面位错缺陷，而高ge组分si1-xgex层在si衬底上逐渐生长增厚的过程中，可能使得界面位错缺陷从高ge组分si1-xgex层与si衬底的界面，一直纵向延伸至高ge组分si1-xgex层的表面，进而导致生长出的高ge组分si1-xgex层的质量较差，不利于硅基应变ge肖特基二极管的性能提升。

因此，可以通过连续激光扫描，使高ge组分si1-xgex层002进入熔融态再重新结晶，可以显著减小高ge组分si1-xgex与si材料之间的界面晶格失配程度，使高ge组分si1-xgex的位错密度大大降低，提高高ge组分si1-xgex的晶体质量，使得硅基应变ge肖特基二极管的性能得到大幅度提升。

所述第二n型压应变ge层007内嵌在所述第一n型压应变ge层011中。

一种实现方式中，所述第二n型压应变ge层007，是由对所述第一n型压应变ge层011进行局部的离子注入后形成的。所述第二n型压应变ge层007的掺杂浓度为10²⁰cm^-3。

需要说明的是，第二n型压应变ge层007为重掺杂，可以用于产生欧姆接触，形成第一电极a1。

又一种实现方式中，所述第二n型压应变ge层007的厚度和横截面面积均小于所述第一n型压应变ge层011，且所述第二n型压应变ge层007的表面与所述第一n型压应变ge层011的表面平齐。

所述铝al金属层008设置在所述第二n型压应变ge层007的表面。

所述钨w金属层010设置在所述第一n型压应变ge层011的表面的预设的肖特基接触指定区域内。

具体的，预设的肖特基接触指定区域可以设置在所述第一n型压应变ge层011的表面，除所述第二n型压应变ge层007以外的另一端。

一种实现方式中，所述铝al金属层008和所述钨w金属层010的厚度均为10～20nm。

需要说明的是，所述铝al金属层008可以与所述第二n型压应变ge层007形成欧姆接触，设置在所述第一n型压应变ge层011的表面的预设的肖特基接触指定区域内的所述钨w金属层010可以与所述第一n型压应变ge层011形成肖特基接触。

还需要说明的是，第一电极a1与第二电极a2可以位于同一面，相比第一电极a1和第二电极a2分别位于上下面的肖特基二极管，本发明实施例提供的硅基应变ge肖特基二极管采用的平面工艺更易于集成和工艺控制。

在实际应用中，转换效率是指无线充电接收装置将电磁波信号转化为直流电信号的效率，是评价无线充电接收装置性能的关键指标。接收天线(102)是无线充电接收装置的关键部件，而整流二极管是整流电路的核心器件，因此，整流二极管的性能可以决定无线充电接收装置的最大转换效率。

而相比普通二极管，本发明实施例提供的硅基应变ge肖特基二极管的电子迁移率更高；并且，由于激光扫描能够使高ge组分si1-xgex层002进入熔融态再重新结晶，可以显著减小高ge组分si1-xgex层与si衬底之间的界面晶格失配程度，提高高ge组分si1-xgex层的晶体质量，使得硅基应变ge肖特基二极管的性能得到大幅度提升。此外，通过高ge组分si1-xgex上压应变ge结构材料制备，适用于无线充电接收装置中的整流电路(106)，可以提高载流子迁移率，进而提高无线充电接收装置的最大转换效率。

此外，本发明实施例提供的硅基应变ge肖特基二极管的有源区设置在n型si1-xgex层表面上形成的第一n型压应变ge层上，所以，本发明实施例提供的硅基应变ge肖特基二极管的抗闩锁效应好，性能更佳。

下面对硅基应变ge肖特基二极管的制备方法进行说明：

请参见图4、图5a至图5n，图4为本发明实施例提供的一种硅基应变ge肖特基二极管的制备方法的流程示意图，图5a至图5n为本发明实施例提供的一种硅基应变ge肖特基二极管的制备方法的工艺示意图。

具体地，如图4所示，硅基应变ge肖特基二极管的制备方法包括如下步骤：

s402，选取si衬底。

在本步骤中，如图5a所示，由于si材料的价格较低且稳定性好，因此，可以选取si作为衬底。

当然，也可以根据实际情况，选择其他稳定性较好的材料作为衬底。

s404，采用磁控溅射的方法，在400℃～500℃下，将高ge组分si1-xgex靶材料溅射淀积在所述si衬底表面，形成高ge组分si1-xgex层。

其中，工艺压力为1.5×10^-3法mb，淀积速率为5nm/min，x>0.8。

在本步骤中，如图5b所示，可以采用磁控溅射的方法，在400℃～500℃下，将高ge组分si1-xgex靶材料溅射淀积在所述si衬底001表面，在si衬底001的表面形成高ge组分si1-xgex层002。

s406，利用化学气相淀积(chemicalvapordeposition，cvd)方法，在所述高ge组分si1-xge层002的表面淀积sio2保护层。

在本步骤中，如图5c所示，可以在高ge组分si1-xge层002的表面淀积sio2保护层003，以在连续激光扫描时，sio2保护层003不会融化，可以对高ge组分si1-xgex层002起到保护作用。

使用时域有限差分法(finite-differencetime-domain，fdtd)，对高ge组分si1-xge体系808nm的连续激光透射规律的仿真实验表明，高ge组分si1-xgex层002上淀积100nm～150nm的sio2时，激光在该层的透过率最优。

具体的，可以利用cvd的方法在高ge组分si1-xgex层002的表面淀积100nm～150nm的sio2保护层003。

s408，将表面淀积有所述sio2保护层的高ge组分si1-xge层加热至600℃～650℃。

s410，对加热后的高ge组分si1-xgex层，采用连续激光扫描。

其中，激光波长为808nm，激光功率密度为2.1kw/cm²，激光光斑尺寸为10nm×1nm，激光移动速度为20nm/s。

s412，使连续激光扫描后的高ge组分si1-xgex层自然冷却后再结晶。

在s408至s412中，可以对高ge组分si1-xgex层002采用连续激光扫描，以及使得经过连续激光扫描后的高ge组分si1-xgex层002自然冷却后再结晶。

由于si衬底与高ge组分si1-xgex层之间的界面位错缺陷，所以高ge组分si1-xgex层002在si衬底001上逐渐生长增厚的过程中，可能使得界面位错缺陷从高ge组分si1-xgex与si衬底001的界面，一直纵向延伸至高ge组分si1-xgex的表面，进而导致生长出的高ge组分si1-xgex层002的质量较差，不利于硅基应变ge肖特基二极管的性能提升。

因此，可以通过连续激光扫描，使高ge组分si1-xgex层002进入熔融态再重新结晶，可以显著减小高ge组分si1-xgex与si材料之间的界面晶格失配程度，使高ge组分si1-xgex的位错密度大大降低，提高高ge组分si1-xgex的晶体质量，使得硅基应变ge肖特基二极管的性能得到大幅度提升。

需要说明的是，由于si材料与ge材料之间存在晶格失配，当x大于0.8后，可对ge材料实现压应变。

s414，利用干法刻蚀从所述高ge组分si1-xgex层的表面去除所述sio2保护层。

在本步骤中，如图5d所示，可以利用干法刻蚀，从所述高ge组分si1-xgex层002的表面去除所述sio2保护层003。

s416，对去除所述sio2保护层后的高ge组分si1-xgex层的表面进行抛光处理。

在s414至s416中，可以使用干法刻蚀，从经过连续激光扫面并冷却结晶后的高ge组分si1-xgex层的表面去除所述sio2保护层003，并对去除所述sio2保护层003后的高ge组分si1-xgex层002的表面进行抛光处理。

s418，在400℃～500℃下，在所述再结晶后的高ge组分si1-xgex层中注入p离子，形成n型si1-xgex层。

在本步骤中，如图5e所示，可以在400～500℃下，向所述再结晶后的高ge组分si1-xgex层002中注入p离子，注入时间为200s，能量为30kev，形成n型的掺杂浓度为1.8×10¹⁶～2×10¹⁶cm^-2的所述si1-xgex层004。

s420，在350℃下，使用减压cvd工艺在所述n型si1-xgex层的表面，生长厚度为900～1000nm的压应变ge层。

在本步骤中，如图5f所示，在350℃下，可以在n型si1-xgex层004的表面，利用减压cvd工艺生长厚度为900～1000nm的压应变ge层005。

s422，在400℃～500℃下，向所述压应变ge层注入p离子，形成第一n型压应变ge层。

在本步骤中，如图5g所示，可以在400～500℃下，向压应变ge层005注入p离子，注入时间为200s，能量为30kev，形成n型的掺杂浓度为1.8×10¹⁴～2×10¹⁴cm^-2的压应变ge层011，为了方便说明，可以将形成的n型的掺杂浓度为1.8×10¹⁴～2×10¹⁴cm^-2的所述压应变ge层记为第一n型压应变ge层011。

这样，在经过连续激光扫描并自然冷却再结晶后的n型si1-xgex层002上生长出的第一n型压应变ge层011的质量较好，载流子迁移率较高。

s424，在所述第一n型压应变ge层的表面上，预设的欧姆接触指定区域内的注入p离子，以在所述预设的欧姆接触指定区域内形成的第二n型压应变ge层。

在本步骤中，可以在第一n型压应变ge层011的表面上的预设的欧姆接触指定区域内的注入p离子，以在预设的欧姆接触指定区域内形成第二n型压应变ge层007。

一种实现方式中，s424具体可以包括：

s12，在所述第一n型压应变ge层的表面上，形成第一光刻胶。

在本步骤中，如图5h所示，可以在第一n型压应变ge层011的表面，形成第一光刻胶006。

s14，去除所述第一n型压应变ge层的表面上的预设的欧姆接触指定区域内的第一光刻胶。

在本步骤中，如图5i所示，由于后续步骤需要在所述第一n型压应变ge层011的表面上的预设的欧姆接触指定区域内注入p离子，因此，需要通过曝光预设的欧姆接触指定区域内的第一光刻胶006，去除所述第一n型压应变ge层011的表面上的预设的欧姆接触指定区域内的第一光刻胶006。

s16，利用离子注入方法，在去除第一光刻胶后的预设的欧姆接触指定区域内注入p离子，以在预设的欧姆接触指定区域内形成第二n型压应变ge层，以及去除所述第一n型压应变ge层的表面除所述预设的欧姆接触指定区域以外的部分上形成的第一光刻胶。

在本步骤中，首先，如图5j所示，利用离子注入方法，在去除第一光刻胶006后的预设的欧姆接触指定区域内注入p离子，在预设的欧姆接触指定区域内形成n型掺杂浓度为10²⁰cm^-3的ge层007；然后，如图5k所示，去除所述第一n型压应变ge层011的表面，除预设的欧姆接触指定区域以外的部分上形成的第一光刻胶006。

s426，在所述第二n型压应变ge层的表面形成所述第一电极，以及在所述第一压应变ge层的表面形成所述第二电极。

需要说明的是，在s426之前，可以在600℃～1000℃下的h2环境中加热所述第二n型压应变ge层007和所述第一n型压应变ge层011，以修复由于p离子注入以及去除第一光刻胶造成的表面晶体损伤。

在本步骤中，可以在第二n型压应变ge层007的表面形成所述第一电极a1，以及在所述第一压应变ge层011的表面形成所述第二电极a2。

需要说明的是，由于欧姆接触需要重掺杂，肖特基接触需要轻掺杂，所以为了使两个电极设置在同一面，且满足掺杂浓度要求与器件功能要求，因此，需要生成第二n型压应变ge层007。

一种实现方式中，s426中的“在所述第二n型压应变ge层的表面形成第一电极”具体可以包括：

第一步，在所述第二n型压应变ge层的表面，利用电子束蒸发淀积铝al金属层，形成欧姆接触；

第二步，保留所述预设的欧姆接触指定区域内的所述铝al金属层，刻蚀剩余所述铝金属层以形成所述第一电极。

在本步骤中，如图5k所示，可以在第二n型压应变ge层007的表面，利用电子束蒸发淀积10～20nm厚的al金属层008，产生欧姆接触，进而保留所述预设的欧姆接触指定区域内的所述al金属层008，刻蚀剩余所述al金属层以形成所述第一电极a1。

又一种实现方式中，s426中的“在所述压应变ge层的表面形成第二电极”处理过程具体可以包括：

s22，在所述第一电极，以及所述第一n型压应变ge层的表面除所述第一电极以外的部分形成第二光刻胶。

在本步骤中，可以在所述第一电极a1和所述第一n型压应变ge层011的表面除所述第一电极a1以外的部分形成第二光刻胶009。

s23，去除所述第一n型压应变ge层的表面上的预设的肖特基接触指定区域内的第二光刻胶。

在本步骤中，如图5l所示，可以将第一n型压应变ge层011的表面上，s22形成的处于预设的肖特基接触指定区域内的第二光刻胶009去除，以便在预设的肖特基接触指定区域内淀积钨w金属层010。

s24，在剩余的第二光刻胶的表面和所述预设的肖特基接触指定区域上淀积钨w金属层。

其中，所述剩余的第二光刻胶009包括：所述第一电极a1的表面，以及所述第一n型压应变ge层011的表面上除所述第一电极a1的和所述预设的肖特基接触指定区域以外的部分上形成的第二光刻胶009。

在本步骤中，如图5m所示，可以在去除预设的肖特基接触指定区域内的第二光刻胶009之后，在剩余的第二光刻胶009的表面和所述预设的肖特基接触指定区域上淀积钨w金属层010。

可以理解的，所述预设的肖特基接触指定区域内没有覆盖第二光刻胶009，这样，预设的肖特基接触指定区域内的w金属层010可以直接淀积在所述第一n型压应变ge层011的表面上。

s26，去除所述剩余的第二光刻胶，以及淀积在所述剩余的第二光刻胶上的w金属层。

在本步骤中，如图5n所示，可以去除所述第二光刻胶009以及第二光刻胶009上的w金属层010，仅余留第一n型压应变ge层011的表面上的部分w金属层010，以便将第一n型压应变ge层011的表面上，去除所述第二光刻胶009以及第二光刻胶009上的w金属层010后的w金属层010，作为第二电极a2。

s28，保留所述第一n型压应变ge层的表面上的所述预设的肖特基接触指定区域上的所述w金属层作为所述第二电极。

实施例三

请参见图6，图6为本发明实施例提供的一种用于智能家电的无线充电系统的架构示意图。如图6所示，该用于智能家电的无线充电系统可以包括无线充电发射装置和无线充电接收装置，其中，所述无线充电接收装置为上述实施例提供的无线充电接收装置。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。