高压栅极驱动电路、浮地驱动电路和高压栅极源极驱动电路的制作方法

文档序号:17105469发布日期:2019-03-15 19:07阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种共用输入电容的高压栅极驱动电路,该电路包括有芯片和外围电路,所述芯片包括有稳压电路和驱动电路,所述外围电路包括有负载和其他外围;其特征在于,所述稳压电路接地,并通过芯片的AVIN引脚连接输入电压VIN,所述驱动电路通过VDD引脚连接所述稳压电路,所述VDD引脚还通过CVDD电容接地;所述驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、接地和通过芯片DVIN引脚连接输入电压VIN,并通过驱动脉冲DRV连接开关管M0的栅极;所述开关管M0的源极接地,所述开关管M0的漏极通过所述负载和其他外围连接输入电压VIN;所述输入电压VIN通过外部电容CVIN接地。

2.如权利要求1所述的共用输入电容的高压栅极驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括有MOS管低压驱动电路,所述低压驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、供电电压VDD、MOS管MH0的栅极、MOS管ML0的栅极和接地,所述MOS管MH0的漏极连接芯片DVIN引脚,所述MOS管ML0的源极接地,所述MOS管MH0的源极和所述MOS管ML0的漏极相连并连接有驱动脉冲DRV。

3.如权利要求1所述的共用输入电容的高压栅极驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括有三极管低压驱动电路,所述低压驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、供电电压VDD、三极管QH0的基极、三极管QL0的基极和接地,所述三极管QH0的集电极连接芯片DVIN引脚,所述三极管QL0的发射极接地,所述三极管QH0的发射极和所述三极管QL0的集电极相连并连接有驱动脉冲DRV。

4.一种共用输入电容的高压栅极浮地驱动电路,该电路包括有芯片和外围电路,所述芯片包括有稳压电路和驱动电路,所述外围电路包括有负载和其他外围;其特征在于,所述稳压电路接浮地,并通过芯片AVIN引脚连接输入电压VIN,所述驱动电路通过VDD引脚连接所述稳压电路,所述VDD引脚还通过CVDD电容接浮地;所述驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、接浮地和通过芯片DVIN引脚连接输入电压VIN,并通过驱动脉冲DRV连接有开关管M0的栅极;所述开关管M0的漏极连接输入电压VIN;所述开关管M0的源极连接有所述芯片VSS引脚并接浮地,所述开关管M0的源极还通过所述负载和其他外围连接有外部电容CVIN的一端,所述外部电容CVIN的另一端连接所述输入电压VIN,所述外部电容CVIN与所述负载和其他外围之间接地。

5.一种共用输入电容的高压栅极源极驱动电路,该电路包括有芯片和外围电路,所述芯片包括有稳压电路和驱动电路,所述外围电路包括有负载和其他外围;其特征在于,所述稳压电路接地和通过芯片AVIN引脚连接输入电压VIN,并通过VCC引脚连接有MOS管MH的栅极,所述稳压电路通过VDD引脚连接所述驱动电路,所述VDD引脚还通过CVDD电容接地;所述驱动电路连接有脉冲信号VPULSE、输入电压VIN和接地,并通过驱动脉冲DRV连接有开关管M0的栅极;所述开关管M0的源极接地,所述开关管M0的漏极连接所述MOS管MH的源极,所述MOS管MH的漏极通过所述负载和其他外围连接输入电压VIN;所述输入电压VIN通过外部电容CVIN接地。

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