1.一种用于电源地的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：
智能MOSFET模块(01)，所述智能MOSFET模块(01)的第一端与所述电源地的输出端连接，所述智能MOSFET模块(01)的第二端接地，所述智能MOSFET模块(01)的第三端用于接收控制信号，所述智能MOSFET模块(01)的第四端用于输出状态信号；
控制器模块(02)，所述控制器模块(02)的第一端与所述智能MOSFET模块(01)的第三端连接，所述控制器模块(02)的第二端与所述智能MOSFET模块(01)的第四端连接。
2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制器模块(02)的第一端和所述智能MOSFET模块(01)的第三端之间串接有第一电阻(R1)。
3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制器模块(02)的第二端和所述智能MOSFET模块(01)的第四端之间串接有第二电阻(R2)，所述第二电阻(R2)和所述智能MOSFET模块(01)的第四端之间的节点通过第三电阻(R3)外接高电平信号。
4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述智能MOSFET模块(01)包括：
可控开关(Q1)，所述可控开关(Q1)的一端与所述输出端连接，所述可控开关(Q1)的第二端接地；
栅极驱动器(GD)，所述栅极驱动器(GD)的第一端与所述输出端连接，所述栅极驱动器(GD)的第二端与所述可控开关(Q1)的控制端连接，所述栅极驱动器(GD)的第二端还通过第四电阻(R4)与所述可控开关(Q1)的另一端连接，所述栅极驱动器(GD)的第三端接地，所述栅极驱动器(GD)的第四端与所述智能MOSFET模块(01)的第三端连接，所述栅极驱动器(GD)的第五端与所述智能MOSFET模块(01)的第四端连接。
5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述栅极驱动器(GD)的第二端和所述可控开关(Q1)的控制端之间串接有第五电阻(R5)。
6.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述栅极驱动器(GD)的第一端与所述可控开关(Q1)的一端之间的节点通过第一瞬态二极管(D1)与所述第五电阻(R5)和所述可控开关(Q1)的控制端之间的节点连接。
7.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述第五电阻(R5)与所述可控开关(Q1)的控制端之间的节点通过第二瞬态二极管(D2)接地。
8.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述可控开关(Q1)包括场效应管。
9.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述智能MOSFET模块(01)的第一端通过滤波电容接地。