1.一种吸收电路，其特征在于，包括：第一输入端、第二输入端和吸收模块；
所述第一输入端的一端与第一IGBT模块连接；
所述第二输入端的一端与第二IGBT模块连接；
所述吸收模块包括：在所述第一输入端的另一端和所述第二输入端的另一端之间顺序串联的电容C1与二极管D11，在所述第一输入端的另一端和母线之间顺序串联的二极管D12和电阻R1；
其中，二极管D11的阳极与电容C1的一端连接，二极管D11的阴极与所述第二输入端的另一端连接；
二极管D12的阴极与所述第一输入端的另一端连接，二极管D12的阳极与电阻R1连接。
2.根据权利要求1所述的吸收电路，其特征在于，
电容C1的电容量为1uF、耐压值为1KV，二极管D11和二极管D12的最大整流电流为30A、最高反向工作电压为1.2KV，电阻R1的阻值为13Ω。
3.根据权利要求1所述的吸收电路，其特征在于，还包括：第三IGBT模块、第一均压模块、第四IGBT模块和第二均压模块；
所述第三IGBT模块的集电极和所述第一IGBT模块的发射极之间连接有所述第一均压模块；
所述第二IGBT模块的集电极和所述第四IGBT模块的发射极之间连接第二均压模块。
4.根据权利要求3所述的吸收电路，其特征在于，所述第一均压模块，包括：
在所述第三IGBT模块的集电极和所述第一IGBT模块的发射极之间顺序串联的电容C4、电阻R2和电阻R6，在所述第三IGBT模块的集电极和电阻R6之间连接的二极管D5；其中，二极管D5的阴极连接所述第三IGBT模块的集电极，二极管D5的阳极连接电阻R6；
在电阻R6和所述第一IGBT模块的发射极之间顺序串联的电容C5和电阻R3，在电阻R6和所述第一IGBT模块的发射极之间连接的二极管D6；其中，二极管D6的阴极连接电阻R6，二极管D6的阳极连接所述第一IGBT模块的发射极。
5.根据权利要求4所述的吸收电路，其特征在于，
电容C4和电容C5的电容量为470pF、耐压值为2KV，二极管D5和二极管D6的最大整流电流为30A、最高反向工作电压为1.2KV，电阻R6的阻值为100Ω。
6.根据权利要求3所述的吸收电路，其特征在于，所述第二均压模块，包括：
在所述第二IGBT模块的集电极和所述第四IGBT模块的发射极之间顺序串联的电容C6、电阻R4和电阻R7，在所述第二IGBT模块的集电极和电阻R7之间连接的二极管D7；其中，二极管D7的阴极连接所述第二IGBT模块的集电极，二极管D7的阳极连接电阻R7；
在电阻R7和所述第四IGBT模块的发射极之间顺序串联电容C7和电阻R5，在电阻R7和所述第四IGBT模块的发射极之间连接的二极管D8；其中，二极管D8的阴极连接电阻R7，二极管D8的阳极连接所述第四IGBT模块的发射极。
7.根据权利要求6所述的吸收电路，其特征在于，
电容C6和电容C7的电容量为470pF、耐压值为2KV，二极管D7和二极管D8的最大整流电流为30A、最高反向工作电压为1.2KV，电阻R7的阻值为100Ω。
8.一种中点箝位型三电平电路，其特征在于，包括如权利要求1-7任意一项所述的吸收电路，还包括：
在正母线和负母线之间顺序串联的所述第三IGBT模块、所述第一IGBT模块、所述第二IGBT模块和所述第四IGBT模块；
在正母线和负母线之间顺序串联的电容C2和电容C3；
在所述第三IGBT模块的发射极与所述第四IGBT模块的集电极之间顺序串联的二极管D9和二极管D10；其中，二极管D9的阴极连接所述第三IGBT模块的发射极，二极管D9的阳极连接二极管D10的阴极，二极管D10的阳极连接所述第四IGBT模块的集电极。
9.如权利要求8所述的中点箝位型三电平电路，其特征在于，还包括：
在所述第一IGBT模块的发射极和电容C2的一端之间连接的电感L1；
二极管D9的阳极和电容C2的一端相连。
10.一种逆变器，其特征在于，包括上述权利要求8-9任意一项所述的中点箝位型三电平电路；
所述逆变器用于将直流电转变成交流电。