1.一种高压mos管保护电路，其特征在于，包括pwm发生电路、电平转换电路、驱动电路、与门电路及故障信号检测电路；
所述pwm发生电路，用于提供功率mos管开关信号，其与电平转换电路连接，且所述pwm发生电路通过单片机生成pwm波形；
所述电平转换电路，用于将电压转换成各路芯片可识别的电压范围，其与与门电路连接；
所述驱动电路，用于将pwm发生电路发出的控制信号放大，其与电平转换电路连接，且所述驱动电路与高压mos管连接；
所述与门电路，用于将电平转换后的pwm信号进行同一桥臂的管子相与，其与故障信号检测电路的连接；
所述故障信号检测电路，用于对与门输出的信号进行检测并反馈给单片机，其与单片机连接。
2.根据权利要求1所述的一种高压mos管保护电路，其特征在于，所述电平转换电路至少包括第一电容、第二电容及第一芯片，所述第一电容的一端与第一芯片连接，所述第一电容另一端接地，所述第二电容一端与第一芯片相连，所述第二电容另一端接地，所述第一芯片的接地端口接地且与与门电路连接。
3.根据权利要求2所述的一种高压mos管保护电路，其特征在于，所述pwm发生电路至少包括单片机和晶振电路，所述单片机与第一芯片连接，且所述单片机接地端接地。
4.根据权利要求3所述的一种高压mos管保护电路，其特征在于，所述驱动电路至少包括第三芯片、第四芯片、第一变压器、第二变压器、第四电容及第五电容，所述第三芯片分别与第一芯片、第一变压器及第四电容连接，所述第四电容与第一变压器连接，所述第一变压器输出两个绕组，两个绕组分别连接一高压mos管。
5.根据权利要求4所述的一种高压mos管保护电路，其特征在于，所述第四芯片分别与第一芯片、第二变压器及第五电容连接，所述第二变压器与第五电容连接，所述第二变压器输出两个绕组，两个绕组分别连接一高压mos管。
6.根据权利要求5所述的一种高压mos管保护电路，其特征在于，所述与门电路至少包括第五芯片和二极管，所述二极管分别与第五芯片及故障信号检测电路连接，所述第五芯片与第一芯片连接。
7.根据权利要求6所述的一种高压mos管保护电路，其特征在于，所述故障信号检测电路至少包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第三电容及三极管，所述第一电阻连接二极管，且另一端连接第三电容和第二电阻的一端，所述第三电容和第二电阻的另一端互相连接且接地；所述三极管第一端与第一电阻连接，第二端接地，第三端与单片机和第三电阻连接。
8.根据权利要求2-7任意一项所述的一种高压mos管保护电路，其特征在于，所述单片机为arm单片机。
9.根据权利要求8所述的一种高压mos管保护电路，其特征在于，所述单片机的pb1、pb2、pb3及pb4端口分别连接第一芯片的b0、b1、b2及b3端口一一对应连接。