1.一种同步整流buck变换器全软开关电路，其特征在于，包括直流输入电源vi、主滤波电感l、辅助电感lr、输出滤波电容co、箝位电容cr、mosfet功率晶体管主开关q1、mosfet功率晶体管同步整流开关q2、mosfet功率晶体管辅助开关qr、辅助功率二极管dr、第一回馈二极管dp1和第二回馈二极管dp2；所述直流输入电源vi与mosfet功率晶体管主开关q1串联组成第一支路，所述第一支路与所述mosfet功率晶体管同步整流开关q2、所述箝位电容cr并联组成第二支路，所述mosfet功率晶体管辅助开关qr与所述辅助电感lr、所述辅助功率二极管dr串联组成第三支路，所述第三支路与主滤波电感l并联组成第四支路，所述第二支路与第四支路串联组成第五支路，所述第五支路与输出滤波电容co并联并对负载rl供电。
2.根据权利要求1所述的同步整流buck变换器全软开关电路，其特征在于，所述mosfet功率晶体管辅助开关qr的源极与所述主滤波电感l的第一端、所述第二回馈二极管dp2的阳极连接，所述辅助功率二极管dr的阴极与所述辅助电感lr的第二端连接，所述辅助功率二极管dr的阴极与所述主滤波电感l的第二端连接；所述mosfet功率晶体管辅助开关qr的源极、所述mosfet功率晶体管主开关q1的源极和所述mosfet功率晶体管同步整流开关q2的漏极连接。
3.根据权利要求2所述的同步整流buck变换器全软开关电路，其特征在于，所述第一回馈二极管dp1的阳极与所述辅助电感lr的第二端连接；所述第一回馈二极管dp1的阴极、所述第二回馈二极管dp2的阴极与所述mosfet功率晶体管主开关q1的漏极连接。
4.一种根据权利要求3所述同步整流buck变换器全软开关电路的调制方法，其特征在于，包括：
t0～t1阶段：t0时刻，mosfet功率晶体管主开关q1的反并联二极管导通，流过主滤波电感l与辅助电感lr的总电流，mosfet功率晶体管主开关q1两端电压为零，mosfet功率晶体管主开关q1以零电压条件软开通；此后主滤波电感l的电流线性增加，辅助电感lr电流线性减小；
t1～t2阶段：t1时刻，辅助电感lr的电流线性下降到零；辅助电感lr与mosfet功率晶体管同步整流开关等效寄电容cp2开始谐振，辅助电感lr的电流从零开始反向增加，主滤波电感l电流继续以上一阶段的变化斜率线性增加；
t2～t3阶段：t2时刻，辅助电感lr两端电压下降到零，等效电容cp2两端电压增加到vi-vo；第一回馈二极管dp1正向偏置，辅助电感lr两端电压与等效电容cp2两端电压同时被箝位；辅助电感lr电流在mosfet功率晶体管主开关q1、mosfet功率晶体管辅助开关qr和第一回馈二极管dp1中环流，电流保持不变，主滤波电感l的电流继续线性增加；
t3～t4阶段：t3时刻，mosfet功率晶体管主开关q1与mosfet功率晶体管辅助开关qr同时关断，辅助电感lr电流立即流过mosfet功率晶体管辅助开关qr的反并联二极管；等效电容cr与主滤波电感l和辅助电感lr并联谐振，等效电容cr流过的电流为主滤波电感l和辅助电感lr的电流之和，等效电容cr被放电，电压开始减小；
t4～t5阶段：t4时刻，等效电容cr电压下降至零，mosfet功率晶体管同步整流开关q2的寄生反并联二极管开始导通；主滤波电感l电压下降至-vo，辅助电感lr的电压增加至vi；因此，主滤波电感l的电流开始线性减小，辅助电感lr的电流从负电流开始线性增加；
t5～t6阶段：t5时刻，mosfet功率晶体管同步整流开关q2零电压开通，主滤波电感l与辅助电感lr的电流继续以上一阶段的变化斜率线性变化；
t6～t7阶段：t6时刻，辅助电感lr的反向电流线性增加至零；辅助电感lr与等效电容cp1、cp2开始串联谐振，在谐振过程中，谐振电路的能量或因阻尼消耗，或传输到输入电源而被转移，最终达到稳态；在此过程中，主滤波电感l两端电压仍然等于-vo，电流继续以上一阶段的变化斜率线性减小；
t7～t8阶段：t7时刻，辅助电感lr与等效电容cp1、cp2寄生串联谐振结束；此阶段，进入续流阶段，主滤波电感l的电流继续以上一阶段的变化斜率线性减小；
t8～t9阶段：t8时刻，mosfet功率晶体管辅助开关qr开通；因辅助电感lr的作用，在mosfet功率晶体管辅助开关qr开通过程中，流过mosfet功率晶体管辅助开关qr的电流为0，因此mosfet功率晶体管辅助开关qr以零电流开通；由于寄生并联电容cp1的影响，mosfet功率晶体管辅助开关qr实际开通过程有功率损耗，形成容性开通损耗；mosfet功率晶体管辅助开关qr导通后，辅助电感lr两端电压为vo，流过辅助电感lr的电流开始线性增加，主滤波电感l的电流继续以上一阶段的变化斜率线性减小；
t9～t10阶段：t9时刻，流过辅助电感lr的电流与流过主滤波电感l的电流之和已正向流过mosfet功率晶体管同步整流开关q2的漏源极，mosfet功率晶体管同步整流开关q2关断；由于等效电容cr的箝位作用，在mosfet功率晶体管同步整流开关q2关断过程中，mosfet功率晶体管同步整流开关q2两端电压上升较小，实现了mosfet功率晶体管同步整流开关q2零电压关断；q2关断后，辅助电感lr与主滤波电感l的电流之和流过路箝位电容cr，路箝位电容cr与主滤波电感l、辅助电感lr开始谐振，路箝位电容cr电压以谐振规律上升；
t10～t0阶段：t10时刻，等效电容cr的电压上升到等于输入电压vi，因此mosfet功率晶体管主开关q1的反并联二极管正向偏置导通续流，以为mosfet功率晶体管主开关q1零电压开通提供了条件，流过mosfet功率晶体管主开关q1反并联二极管的电流为主滤波电感l与辅助电感lr的电流之和；此后，电感的电压为vi-vo，电流开始线性增加；而辅助电感lr的电压为-(vi-vo)，电流线性减小。