信号，藉此完成对电源在线产生的噪声干扰进行滤波的分析，达 到本发明的发明目的。以下，本发明将针对其中的实施例揭露其内部的详细电路组成与其 作动原理的说明。
[0046] 首先，请参阅图7所示，其为根据本发明图6B实施例其内部详细电路的示意图。其 中，位准参考电路100包含一组相互串联的参考电容C1与参考电阻R1，滤波调变电路200 包含一控制开关30,其耦接于该参考电容C1与参考电阻R1的连接节点；以及一第二电阻 R2,连接于电源供应线VDD与控制开关30之间。在此实施例中，滤波调变电路200包括一第 一调变电路31 (即该第二电阻R2)，而并未包括第二调变电路。一第二电容C2连接该参考电 阻R1、控制开关30与接地端VSS，此第二电容C2对应前述的第三调变电路33。在此实施例 中，作为控制开关30的组件可以为N型金氧半场效晶体管（metaloxidesemiconductor， M0S)、P型金氧半场效晶体管（PM0S)、双载子接面晶体管（bipolarjunctiontransistor， BJT)等。惟可自位准参考电路100接收参考信号，而形成相依的电压或电流的控制开关皆 可用以实施本发明。本实施例仅是以N型金氧半场效晶体管作为一范例的说明，然并非用 以限定本发明。
[0047] 其中，以N型金氧半场效晶体管为例，此N型金氧半场效晶体管的闸极可连接至位 准参考电路100中的其中任一点（例如：参考电容Cl与参考电阻R1的连接节点），以作为 其开关闸极的参考电压Vgs(t)，并注意其偏压值以控制此N型金氧半场效晶体管可操作于 不同的操作区域，例如：线性区（或称非饱和区（non-saturationregion))、饱和区或主动 区等等。此时，此N型金氧半场效晶体管就如同一个电压耦合的电流开关，其导通电流即可 随着参考电压而变。本发明即是利用此N型金氧半场效晶体管位于不同操作区域的电压电 流特性产生一非线性方程，由于分支的两电路电流U(t)，1。2 (t)，由N型金氧半场效晶体管 的特性使其具有相依性，而使得二次方程式的解答为一二次曲线与直线的交集解，藉由适 当调整电路中该些被动组件值的系数，即可使其有解，再加上电压信号Ut)可定位出iQ 及v。的电路方程式关系，在本实施例中由N型金氧半场效晶体管主动组件所控制的滤波调 变电路即可藉由特征向量值（Eigenvalue)的计算来调整该各被动组件的值以期控制信号 、及^。的波动行为达到最小化，其计算公式可依据下列式（1)?（9)所进行。
【主权项】
1. 一种电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，其是电性耦接于一主芯片的电源供 应线与一负载端之间，该主芯片由该电源供应线供给电源后，产生一输出电压与一输出电 流，其中该输出电压与该输出电流各自有一输出电压噪声与一输出电流噪声，且该输出电 压噪声与该输出电流噪声在该电源的噪声谐振影响下具有一相位差，该电源式电磁干扰抑 制滤波器包括： 一位准参考电路，电性耦接于该主芯片，并根据该输出电压噪声与该输出电流噪声其 中的至少一个，产生一位准参考信号；以及 至少一滤波调变电路，并联该位准参考电路，其中该至少一滤波调变电路是根据该位 准参考信号对该输出电压噪声与该输出电流噪声其中的至少一个进行特征向量值的计算， 使得该输出电压噪声与该输出电流噪声的强度及其之间的该相位差逐渐趋近于零，且该负 载端所接收到的该输出电压与该输出电流为直流信号。
2. 根据权利要求1所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该至少一滤波调 变电路更包括一控制开关与至少一第一调变电路，该控制开关与该至少一第一调变电路相 互串接，并耦接于该电源供应线与一接地端之间。
3. 根据权利要求2所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该第一调变电路 电性耦接于该电源供应线与该控制开关之间，且该控制开关连接该位准参考电路以接收该 位准参考信号。
4. 根据权利要求3所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该滤波调变电路 更包括至少一第二调变电路，该第二调变电路电性耦接于该控制开关与该接地端之间。
5. 根据权利要求2所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该第一调变电路 电性耦接于该控制开关与该接地端之间，且该控制开关连接该位准参考电路以接收该位准 参考信号。
6. 根据权利要求5所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该滤波调变电路 更包括至少一第二调变电路，该第二调变电路电性耦接于该电源供应线与该控制开关之 间。
7. 根据权利要求2所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该第一调变电路 为由电阻、电容与电感其中的至少一被动组件组成的电路结构。
8. 根据权利要求4或6所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该第二调变电 路为由电阻、电容与电感其中的至少一被动组件组成的电路结构。
9. 根据权利要求1所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，更包括多个该滤 波调变电路，以同时利用该多个滤波调变电路进行电压或电流特征向量值的计算，使得该 输出电压噪声与该输出电流噪声间的该相位差逐渐趋近于零。
10. 根据权利要求1所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该位准参考信号 为一电压信号或一电流信号。
11. 根据权利要求2所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该位准参考电路 包括一参考电容与一参考电阻，其中该参考电容与该参考电阻相互串联，且该控制开关親 接于该参考电容与该参考电阻的连接节点上。
12. 根据权利要求2所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该控制开关为一 金氧半场效型晶体管或双载子接面晶体管，以利用该晶体管位于不同操作区域的电压电流 特性进行该特征向量值的计算，使得该输出电压噪声与该输出电流噪声间的该相位差趋近 于零。
13. 根据权利要求1所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，更包括至少一第 三调变电路，该第三调变电路与该滤波调变电路相互串接，并耦接于该电源供应线与一接 地端之间。
14. 根据权利要求13所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该第三调变电 路电性耦接于该电源供应线与该滤波调变电路之间，且该第三调变电路为由电阻、电容与 电感其中的至少一被动组件组成的电路结构。
15. 根据权利要求14所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，更包括至少一 第四调变电路，该第四调变电路电性耦接于该滤波调变电路与该接地端之间。
16. 根据权利要求13所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该第三调变电 路电性耦接于该滤波调变电路与该接地端之间，且该第三调变电路为由电阻、电容与电感 其中的至少一被动组件组成的电路结构。
17. 根据权利要求16所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，更包括至少一 第四调变电路，该第四调变电路电性耦接于该电源供应线与该滤波调变电路之间。
18. 根据权利要求15或17所述的电源式电磁干扰抑制滤波器，其特征在于，该第四调 变电路为由电阻、电容与电感其中的至少一被动组件组成的电路结构。
【专利摘要】本发明公开一种电源式电磁干扰抑制滤波器，电性耦接于一主芯片的电源供应线与一负载端之间，主芯片由电源供应线供给电源后，因主芯片内部电路的运作产生一输出电压噪声与输出电流噪声，由于电源噪声的谐振影响输出电压噪声与输出电流噪声间具有一相位差。电磁干扰抑制滤波器包括位准参考电路与至少一并联于该位准参考电路的滤波调变电路。位准参考电路根据主芯片的输出电压噪声或输出电流噪声产生一位准参考信号。至少一滤波调变电路系根据此位准参考信号进行电压与电流特征向量值的计算，以控制输出电压噪声与输出电流噪声间的强度及相位差逐渐趋近于零。藉此，负载端接收到的信号即可被调整为一滤除噪声后的直流信号。
【IPC分类】H02M1-44
【公开号】CN104578755
【申请号】CN201410807999
【发明人】陈东旸
【申请人】晶焱科技股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月22日