驱动电路，第二驱动电路的输出端连接变压器原边的另一端。
[0020]其中，所述边沿捕获电路为RC微分电路，微分电路的输入接电容C的一端，微分电路的输出接电容C的另一端，电阻R的一端接微分电路的输出，电阻R的另一端接地。
[0021]在实际应用过程中，存在小占空比失灵现象，当占空比小于一定值(如0.4%)，会出现输出持续高电平状态的问题，加入第三非门U1C可以克服这个问题。
[0022]所述驱动电路可选ICL7667等驱动芯片。
[0023]所述脉宽拓展电路包括第一非门U1A、第一二极管D1、第二非门U1B、电阻&、电容C1;其中，PMW信号经由第一非门U1A与第一二极管D:的负极相连，第一二极管D 4勺正极与第二非门U1B相连，第二非门U1B的输出即为脉宽拓展电路的输出；电阻&的一端连接电压Vex，&的另一端与第一二极管D:的正极相连；电容C:的一端接地，C:的另一端与第一二极管Di的正极相连。脉宽拓展电路的主要作用是将后面电路中的脉宽损失补回来，保证输入输出的占空比不变，它只改变脉冲宽度，不改变周期。由于后面电路的脉宽损失通常也不大，实际的脉宽拓展也只在纳秒级。
[0024]所述副边输出电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2;Q 4勺源极接变压器副边的一端，Qi的栅极接变压器副边的另一端，Q:的漏极接92的栅极，92的源极接Q:的栅极，Q:的漏极和92的漏极作为副边输出电路的输出端。可在开关管的漏极和源极间接一续流二极管，二极管的负极接开关管的漏极，二极管的正极接开关管的源极。
[0025]附图3是本发明的MOSFET隔离驱动电路的第二实施例，变压器原边的电路与第一实施例一样，变压器副边为N个PWM副边输出电路，可同时输出N路MOSFET驱动信号，实现N个MOSFET的隔离驱动。
[0026]变压器两端各点的电压波形如附图4所示，副边输出的脉冲经过整形后最终复原成有正负电压输出的PWM驱动波形。
[0027]本发明的宽占空比的MOSFET隔离驱动电路，由于是在PWM的边沿时候瞬间传递信号和能量，其隔离输出宽占空比范围宽，可达:0?99.5% ;由于原边的脉冲产生方式与传统的电容-变压器组合驱动方式不同，不存在自激频率问题，在输入占空比突变时，输出能正确跟随，无低电平上扬现象，不会导致开关管短时直通，发生烧毁。
[0028]以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种宽占空比的MOSFET隔离驱动电路，包括第一边沿捕获电路、第二边沿捕获电路、第一驱动电路、第二驱动电路、变压器和PWM副边输出电路；PWM信号经由第四非门连接第一边沿捕获电路，第一边沿捕获电路连接驱动电路，第一驱动电路的输出端连接变压器原边的一端；所述PWM信号连接第二边沿捕获电路，第二边沿捕获电路连接驱动电路，第二驱动电路的输出端连接变压器原边的另一端；捕获到的信号经过所述驱动电路后形成带功率的脉冲信号驱动变压器，以实现在传递脉冲沿信号的同时将驱动能量传输到所述副边输出电路；所述副边输出电路的输出为还原后的PWM信号，用于驱动MOSFET管。2.根据权利要求1所述的MOSFET隔离驱动电路，其特征在于:所述边沿捕获电路为RC微分电路，微分电路的输入接电容c的一端，微分电路的输出接电容C的另一端，电阻R的一端接微分电路的输出，电阻R的另一端接地。3.根据权利要求1所述的MOSFET隔离驱动电路，其特征在于:所述变压器的副边为N个PWM副边输出电路，可同时输出N路MOSFET驱动信号，实现N个MOSFET的隔离驱动。4.根据权利要求1所述的MOSFET隔离驱动电路，其特征在于:所述MOSFET隔离驱动电路还包括脉宽拓展电路，所述脉宽拓展电路包括第一非门、第一二极管D1、第二非门、电阻Rn电容C1;其中，PMW信号经由第一非门与第一二极管D:的负极相连，第一二极管D i的正极与第二非门U1B相连，第二非门的输出即为脉宽拓展电路的输出；电阻&的一端连接电压Vex，&的另一端与第一二极管D:的正极相连；电容C:的一端接地，C:的另一端与第一二极管Di的正极相连。5.根据权利要求1所述的MOSFET隔离驱动电路，其特征在于:所述副边输出电路包括第一开关管、第二开关管；第一开关管的源极接变压器副边的一端，第一开关管的栅极接变压器副边的另一端，第一开关管的漏极接第二开关管的栅极，第二开关管的源极接第一开关管的栅极，第一开关管的漏极和第二开关管的漏极作为副边输出电路的输出端。6.根据权利要求4所述的MOSFET隔离驱动电路，其特征在于:在所述脉宽拓展电路与第二边沿捕获电路之间还有第三非门。7.根据权利要求1所述的MOSFET隔离驱动电路，其特征在于:所述MOSFET在PWM信号的上升沿打开，下降沿关断。
【专利摘要】为了解决现有技术中的问题，本发明提出了一种宽占空比的MOSFET隔离驱动电路，通过对PWM信号的上升沿和下降沿分别捕获后形成边沿脉冲信号，输入到变压器的原边，在变压器副边对输出的脉冲经过整形后最终复原成有正负电压输出的PWM驱动波形，实现对MOSFET的驱动。由于是在PWM的边沿时候瞬间传递信号和能量，本发明的隔离输出宽占空比范围宽，可达0~99.5%；由于原边的脉冲产生方式与传统的电容-变压器组合驱动方式不同，不存在自激频率问题，在输入占空比突变时，输出能正确跟随，无低电平上扬现象，不会导致开关管短时直通，发生烧毁。
【IPC分类】H02M1/088
【公开号】CN105305788
【申请号】CN201510819115
【发明人】赵敏, 王骞, 张东来, 王超, 陈红
【申请人】深圳市航天新源科技有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年11月20日