一种sf6密度继电器管路控制装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型设计一种高压开关设备系统的控制装置，尤其是一种SF6密度继电器管路控制装置。
【背景技术】
[0002]目前高压系统上配备的SF6密度继电器都是直接连接在气管管路上的，校验十分困难，需要将它们从设备上拆卸下来再进行校验，实际操作十分烦琐，而且频繁的拆卸SF6密度继电器对高压气管管路的密封性能、SF6气体中水分的高低都有影响，从而可能对高压开关造成安全隐患。
【实用新型内容】
[0003]为了解决上述问题，本实用新型的目的是提出一种SF6密度继电器管路控制装置，SFf^度继电器安装在阀门装置上，与气管之间加设多通体，减少了维修成本。
[0004]本实用新型为了解决上述问题所采取的技术方案为:一种SF6密度继电器管路控制装置，包括SF6密度继电器、阀门装置、多通体、气管、接头和固定座，多通体上设置多个内部相互连通的气管接孔，每个气管接孔两侧设置两个螺丝孔，其中一个气管接孔与一匕密度继电器通过螺钉和螺丝孔紧固，多通体上的其他气管接孔均通过螺钉和螺丝孔连接有气管，每个气管上均设置有用于连接其他管路的接头。所述的气管上设置有固定座，固定座包括内径与气管匹配的固定环和设置有固定螺丝孔的底座，固定环固定在底座上。
[0005]本实用新型的有益效果:
[0006]本实用新型所述的一种SF6密度继电器管路控制装置，通过在原有高压开关设备气管管路与SF6密度继电器之间增加了阀门装置，从而能够实现在不破坏气管管路的情况下进行3匕密度继电器的校验和维修更换，保证了气管管路的密封性，降低了设备维护和维修的费用。
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型一种SF6密度继电器管路控制装置的结构示意图；
[0008]图2本实用新型一种SF6密度继电器管路控制装置中固定座的结构示意图；
[0009]图中标记:1、SF6密度继电器，101、阀门装置，2、多通体，201、气管接孔，3、气管，301、接头，4、固定座，401、固定环，402、底座。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图和具体实施例对本实用新型作详细说明，本实施例以本实用新型技术方案为前提，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。
[0011]如图所述，本实用新型为一种SF6密度继电器管路控制装置，包括SF6密度继电器1、阀门装置101、多通体2、气管3、接头301和固定座4，多通体2上设置多个内部相互连通的气管接孔201，每个气管接孔201两侧设置两个螺丝孔，其中一个气管接孔201与5匕密度继电器I通过螺钉和螺丝孔紧固，多通体2上的其他气管接孔201均通过螺钉和螺丝孔连接有气管3，每个气管3上均设置有用于连接其他管路的接头301，方便其他设备与3匕密度继电器管路控制装置相连接。所述的气管3上设置有固定座4，固定座4包括内径与气管3匹配的固定环401和设置有固定螺丝孔的底座402，固定环401固定在底座402上，可根据实际生产需要将气管3牢固的固定在墙体上或者其他设备上。
【主权项】
1.一种SF6密度继电器管路控制装置，其特征在于:包括SF6密度继电器(I )、阀门装置(101)、多通体(2)、气管(3)、接头(301)和固定座(4)，多通体(2)上设置多个内部相互连通的气管接孔(201)，每个气管接孔(201)两侧设置两个螺丝孔，其中一个气管接孔(201)与SF6密度继电器(I)通过螺钉和螺丝孔紧固，多通体(2)上的其他气管接孔(201)均通过螺钉和螺丝孔连接有气管(3)，每个气管(3)上均设置有用于连接其他管路的接头(301)。
2.根据权利要求一种SF6密度继电器管路控制装置，所述的阀门装置(101)、多通体(2)、气管(3)上设置有固定座(4)，固定座(4)包括内径与气管(3)匹配的固定环(401)和设置有固定螺丝孔的底座(402 )，固定环(401)固定在底座(402 )上。
【专利摘要】本实用新型涉及一种SF6密度继电器管路控制装置，包括SF6密度继电器、阀门装置、多通体、气管、接头和固定座，多通体上设置多个内部相互连通的气管接孔，每个气管接孔两侧设置两个螺丝孔，其中一个气管接孔与SF6密度继电器通过螺钉和螺丝孔紧固，多通体上的其他气管接孔均通过螺钉和螺丝孔连接有气管，每个气管上均设置有用于连接其他管路的接头。本实用新型所述的SF6密度继电器管路控制装置，通过在原有高压气管管路与SF6密度继电器之间增加多通体，从而能够实现在不破坏气管管路的情况下进行SF6密度继电器的校验和维修更换，保证了气管管路的密封性，降低了设备维护和维修的费用。
【IPC分类】H02B1-00
【公开号】CN204333606
【申请号】CN201420807147
【发明人】张平福, 王延太, 吴起昌, 程俊海
【申请人】平顶山市天勤仪表有限责任公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年12月19日