C2的第一端及所述第四二极管D4的阳极连接；所述第二电容C2的第二端与所述第二电感L2的第二端连接；所述第四二极管D4的阴极与所述第三二极管D3的阴极连接。
[0051 ] 本实施例中，所述峰值电流保护电路105包括第一工作电压输入端VA、第一运算放大器OPl及第一基准电压源Vrefl ;
[0052]具体地，所述第一运算放大器OPl的同相输入端与所述电流取样电路104的输出端(即所述第一结点O)连接，所述第一运算放大器OPl的反相输入端与所述第一基准电压源Vrefl的正极连接，所述第一运算放大器OPl的输出端为所述峰值电流保护电路105的输出端，所述峰值电流保护电路105的输出端与所述过流保护执行电路107的输入端连接，所述第一运算放大器OPl的电源端与所述第一工作电压输入端VA连接，所述第一运算放大器OPl的地端及所述第一基准电压源Vrefl的负极均与所述负载200的电流输入端连接。
[0053]本实施例中，所述平均电流保护电路106包括电压积分电路单元1061、平均电流过流比较电路单元1062及延时电路单元1063。其中，所述电压积分电路单元1061的输入端与所述电流取样电路104的输出端连接，所述电压积分电路单元1061的输出端与所述平均电流过流比较电路单元1062的输入端连接；所述平均电流过流比较电路单元1062的输出端与所述延时电路单元1063的输入端连接；所述延时电路单元1063的输出端与所述过流保护执行电路107的输入端连接。
[0054]具体地，本实施例中，所述电压积分电路单元1061包括第二运算放大器0P2、第三电阻R3及第三电容C3。其中，所述第二运算放大器0P2的电源端与所述第一工作电压输入端VA连接，所述第二运算放大器0P2的反相输入端及所述第二运算放大器0P2的地端均与所述负载200的电流输入端连接，所述第二运算放大器0P2的同相输入端经所述第三电阻R3与所述电流取样电路104的输出端(即所述第一结点O)连接，所述第二运算放大器0P2的输出端与所述平均电流过流比较电路单元1062的输入端连接；所述第三电容C3的第一端与所述第二运算放大器0P2的同相输入端连接，所述第三电容C3的第二端与所述第一工作电压输入端VA连接。
[0055]本实施例中，所述平均电流过流比较电路单元1062包括第三运算放大器OP3和第二基准电压源Vref2。其中，所述第三运算放大器OP3的电源端与所述第一工作电压输入端VA连接，所述第三运算放大器OP3的地端与所述负载200的电流输入端连接，所述第三运算放大器OP3的同相输入端与所述第二运算放大器OP2的输出端连接，所述第三运算放大器OP3的反相输入端与所述第二基准电压源Vref2的正极连接，所述第三运算放大器OP3的输出端与所述延时电路单元1063的输入端连接；所述第二基准电压源Vref2的负极与所述负载200的电流输入端连接。
[0056]本实施例中，所述延时电路单元1063包括第四运算放大器0P4、第三基准电压源Vref3、第四电阻R4、第四电容C4及第五二极管D5。其中，所述第四运算放大器0P4的电源端与所述第一工作电压输入端VA连接，所述第四运算放大器0P4的地端与所述负载200的电流输入端连接，所述第四运算放大器0P4的同相输入端经所述第四电阻R4与所述第三运算放大器OP3的输出端连接，所述第四运算放大器0P4的反相输入端与所述第三基准电压源Vref3的正极连接；所述第三基准电压源Vref3的负极与所述负载200的电流输入端连接；所述第五二极管D5的阳极与所述第四运算放大器0P4的同相输入端连接，所述第五二极管D5的阴极与所述第三运算放大器OP3的输出端连接；所述第四运算放大器0P4的输出端为所述平均电流保护电路106的输出端，所述平均电流保护电路106的输出端与所述过流保护执行电路107的输入端连接；所述第四电容C4的第一端与所述第四运算放大器0P4的同相输入端连接，所述第四电容C4的第二端与负载200的电流输入端连接。
[0057]本实施例中，所述过流保护执行电路107包括第二工作电压输入端VB、第五电阻R5、第六电阻R6、光电耦合器OPC及可控硅SCR。
[0058]具体地，所述光电耦合器OPC中发光二极管的阳极经所述第五电阻R5分别与所述峰值电流保护电路105的输出端(即所述第一运算放大器OPl的输出端)及所述平均电流保护电路106的输出端(即所述第四运算放大器0P4的输出端)连接，所述光电耦合器OPC中发光二极管的阴极与所述负载200的电流输入端连接，所述光电耦合器OPC中三极管的集电极与所述第二工作电压输入端VB连接，所述光电耦合器中三极管的发射极经所述第六电阻R6与所述可控硅SCR的控制极连接；所述可控硅SCR的阳极为所述过流保护执行电路107的输出端，所述过流保护执行电路107的输出端与所述电源输入端101的使能端EN连接，所述可控硅SCR的阴极接地(即与所述变压器102的原边地连接)。
[0059]本实施例中，所述电流取样电路104的取样原理是:所述第一电感LI流过的电流是对所述第一电感LI两端的电压的积分，所述第二电感L2流过的电流是对所述第二电感L2两端的电压的积分。本实施例中，所述第一电容Cl上的电压模拟了流过所述第一电感LI的电流的值，所述第二电容C2上的电压模拟了流过所述第二电感L2的电流，流过所述第一电感LI的电流和流过所述第二电感L2的电流的和就是流过所述负载200的电流(即本实施例过流保护电路不需要使用取样电阻即可获得流过所述负载200的电流信息)。本实施例中，所述第三二极管D3和所述第四二极管D4用于对信号进行隔离。
[0060]本实施例中，所述峰值电流保护电路105中的所述第一基准电压源Vrefl用于设定所述负载200的电流的最大值，所述峰值电流保护电路105中的所述第一运算放大器OPl将所述电流取样电路104所采样到的所述负载200的电流和所述第一基准电压源Vrefl所设定的所述负载200的电流的最大值进行比较，当所述电流取样电路104所采样到的所述负载200的电流超过所述第一基准电压源Vrefl所设定的所述负载200的电流的最大值时，所述第一运算放大器OPl输出高电平信号(即所述第一过流保护信号为高电平)，该高电平信号通过所述第五电阻R5点亮所述光电親合器OPC中的发光二极管，所述光电親合器OPC工作，所述光电耦合器OPC的输出(即所述光电耦合器OPC中三极管的发射极)通过所述第六电阻R6触发所述可控硅SCR导通，从而将所述电源输入端101的使能端EN锁定在低电平，进而实现关闭所述电源输入端101的目的，从而实现对所述负载200的峰值电流的过流保护的目的。
[0061]本实施例中，所述电压积分电路单元1061用于将所述电流取样电路104所采样到的所述负载200的电流和进行积分，得到所述负载200的平均电流值；本实施例中，所述平均电流过流比较电路单元1062中的所述第二基准电压源Vref2用于设定所述负载200的平均电流的基准电流值，所述第三运算放大器0P3将所述负载200的平均电流值和所述第二基准电压源Vref2所设定的所述负载200的平均电流的基准电流值进行比较，当所述负载200的平均电流值超过所述负载200的平均电流的基准电流值时，所述第三运算放大器0P3输出高电平信号；接着，所述第三运算放大器0P3输出的高电平信号经所述第四电阻R4、第四电容C4及第五二极管D5的延时作用后与所述第三基准电压源Vref3的基准电压进行比较，当超过延时时间时，所述第四运算放大器0P4输出高电平信号(即所述第二过流保护信号为高电平)，该高电平信号通过所述第五电阻R5点亮所述光电耦合器OPC中的发光二极管，所述光电親合器OPC工作，所述光电親合器OPC的输出(即所述光电親合器OPC中三极管的发射极)通过所述第六电阻R6触发所述可控硅SCR导通，从而将所述电源输入端101的使能端EN锁定在低电平，进而实现关闭所述电源输入端101的目的，从而实现对所述负载200的平均电流的过流保护的目的。需要说明的是，本实施例中，对所述第三运算放大器0P3输出的高电平信号进行延时的目的是为了对所述负载200的平均电流的短时过流加以区分，防止本实施例过流保护电路对所述负载200的平均电流的过流保护误动作。
[0062]本实施例提供的过流保护电路，包括用于为负载提供供电电压的电源输入端、用于对所述供电电压进行电压变换的变压器、用于对所述变压器输出的电压进行倍流整流的倍流整流电路、用于对所述负载的电流进行取样的电流取样电路、用于对所述负载的峰值电流进行过流保护的峰值电流保护电路、用于对所述负载的平均电流进行过流保护的平均电流保护电路、以及用于根据所述峰值电流保护电路的输出信号或所述平均电流保护电路的输出信号控制所述电源输入端的开启和关闭状态以对所述负载执行过流保护动作的过流保护执行电路；所述电源输入端与所述变压器的原边连接，所述变压器