一种输入电压过压保护电路的制作方法_2

文档序号:8887614阅读:来源:国知局
3]进一步地,所述开关模块140包括场效应管Vl ;所述场效应管Vl的栅极(开关模块的第I端)通过第十六电阻R16连接可控硅SI的阳极;所述场效应管Vl的栅极(开关模块的第I端)通过稳压模块130连接场效应管Vl的源极(开关模块的第2端);所述场效应管Vl的源极(开关模块的第2端)连接输入电压负极;所述场效应管Vl的漏极(开关模块的第3端)连接输出电压负极。在实际应用时,所述场效应管Vl为NMOS管。
[0024]进一步地,所述稳压模块130包括第二二极管ZEN2 ;所述第二二极管ZEN2的阳极连接开关模块140的第2端;所述第二二极管ZEN2的阴极连接开关模块140的第I端。第二二极管ZEN2用于保证场效应管Vl的^^处于安全状态。
[0025]进一步地,所述分压模块110包括:第十七电阻R17、第十八电阻R18和第十九电阻R19 ;所述第十八电阻R18的一端通过第十七电阻R17连接输入电压正极,所述第十八电阻R18的另一端连接电压控制模块120,所述第十八电阻R18的另一端还通过第十九电阻R19连接输入电压负极。
[0026]进一步地,所述第一二极管ZENl和第二二极管ZEN2为稳压二极管。
[0027]在实际应用时,请继续参阅图1,具体来说,其中第十五电阻R15和第十六电阻R16为NMOS管Vl提供驱动信号,第二二极管ZEN2稳压管保护NMOS管Vl不被击穿,第十七电阻R17、第十八电阻R18和第十九电阻R19构成分压模块根据输入电压范围用来设定输入电压过压值,当输入电压超过设定电压后,第一二极管ZENl导通使高压可控硅SI触发将NMOS管Vl栅极的驱动电压拉低,NMOS管Vl关断使电路回路断开,从而保证芯片(如图1所示的ICl)不被过高输入电压损坏。具体来说,当第十九电阻R19上电压不超过第一二极管ZENl的设定电压时,可控硅SI没有触发信号处于关断状态,输入电源通过第十五电阻R15、第十六电阻R16给NMOS管Vl提供驱动信号,NMOS管Vl导通(主回路导通)。当第十九电阻R19上电压超过第一二极管ZENl的设定电压时,可控硅SI导通,输入电源通过第十五电阻R15、可控硅SI阳极到阴极到输入电源负端,由于NMOS管Vl没有驱动信号,NMOS管Vl关断(主回路关断)。
[0028]综上所述,本实用新型提供的一种输入电压过压保护电路,包括:用于对输入电压进行分压的分压模块、用于根据分压后的输入电压控制驱动电压的电压控制模块、用于稳压保护的稳压模块和用于根据驱动电压控制电路断开与否的开关模块;所述分压模块的第I端连接输入电压正极,所述分压模块的第I端还通过电压控制模块分别连接开关模块的第I端、开关模块的第2端和分压模块的第3端;所述分压模块的第2端连接输入电压负极;所述开关模块的第I端通过稳压模块分别连接开关模块的第2端和分压模块的第2端;所述开关模块的第I端还通过电压控制模块连接输出电压正极,所述开关模块的第3端连接输出电压负极;通过对输入电压进行分压,当输入电压超过设定电压值后,电压控制模块控制开关模块的驱动电压,驱动电压控制开关模块断开电路,在输入电压超过设定电压后使电路回路断开,从而避免了芯片被过高输入电压损坏,从而实现了对节能灯的保护,带来了大大的方便。
[0029]可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种输入电压过压保护电路,其特征在于,包括:用于对输入电压进行分压的分压模块、用于根据分压后的输入电压控制驱动电压的电压控制模块、用于稳压保护的稳压模块和用于根据驱动电压控制电路断开与否的开关模块; 所述分压模块的第I端连接输入电压正极,所述分压模块的第I端还通过电压控制模块分别连接开关模块的第I端、开关模块的第2端和分压模块的第3端;所述分压模块的第2端连接输入电压负极;所述开关模块的第I端通过稳压模块分别连接开关模块的第2端和分压模块的第2端;所述开关模块的第I端还通过电压控制模块连接输出电压正极,所述开关模块的第3端连接输出电压负极。
2.根据权利要求1所述的输入电压过压保护电路,其特征在于,所述电压控制模块包括:第十五电阻、第十六电阻、可控硅、第一二极管和第二十电阻; 所述可控硅的阳极通过第十五电阻分别连接输入电压正极和输出电压正极;所述可控硅的阳极还通过第十六电阻连接开关模块的第I端;所述可控硅的控制极连接第一二极管的阳极,第一二极管的阴极通过第二十电阻连接分压模块的第3端;所述可控硅的阴极分别连接开关模块的第2端和输入电压负极。
3.根据权利要求2所述的输入电压过压保护电路,其特征在于,所述开关模块包括场效应管;所述场效应管的栅极通过第十六电阻连接可控硅的阳极;所述场效应管的栅极通过稳压模块连接场效应管的源极;所述场效应管的源极连接输入电压负极;所述场效应管的漏极连接输出电压负极。
4.根据权利要求3所述的输入电压过压保护电路,其特征在于,所述场效应管为NMOS管。
5.根据权利要求2所述的输入电压过压保护电路,其特征在于,所述第一二极管为稳压二极管。
6.根据权利要求1所述的输入电压过压保护电路,其特征在于,所述稳压模块包括第二二极管;所述第二二极管的阳极连接开关模块的第2端;所述第二二极管的阴极连接开关模块的第I端。
7.根据权利要求6所述的输入电压过压保护电路,其特征在于,所述第二二极管为稳压二极管。
8.根据权利要求1所述的输入电压过压保护电路,其特征在于,所述分压模块包括:第十七电阻、第十八电阻和第十九电阻;所述第十八电阻的一端通过第十七电阻连接输入电压正极,所述第十八电阻的另一端连接电压控制模块,所述第十八电阻的另一端还通过第十九电阻连接输入电压负极。
【专利摘要】本实用新型公开了一种输入电压过压保护电路,包括:分压模块、电压控制模块、稳压模块和开关模块;所述分压模块的第1端连接输入电压正极,所述分压模块的第1端还通过电压控制模块分别连接开关模块的第1端、开关模块的第2端和分压模块的第3端;所述分压模块的第2端连接输入电压负极;所述开关模块的第1端通过稳压模块分别连接开关模块的第2端和分压模块的第2端;所述开关模块的第1端还通过电压控制模块连接输出电压正极,所述开关模块的第3端连接输出电压负极;在输入电压过高后使电路回路断开,从而避免了芯片被过高输入电压损坏,带来了大大的方便。
【IPC分类】H02H7-20, H02H3-20
【公开号】CN204597463
【申请号】CN201520306500
【发明人】刘政, 刘雄
【申请人】深圳市垅运照明电器有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年5月13日
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