流电源端子(Tl、T2)通过交流电源导体(91、92)连接所述磁力开关(88)的动触头，所述负载端子(26、27)或/和插座面板(34A/34B)连接所述磁力开关(88)的静触头； 所述电磁驱动电路(104)，包括二极管(143)、脱扣线圈(142)、可控硅SCR(Hl)、电阻(146)、电容(147)和整流二极管(188)，所述二极管(143)的正极连接第一交流电源端子(Tl)，该二极管(143)的负极经脱扣线圈(142)与可控硅SCR(Hl)的阳极连接，该可控硅SCR(Hl)的阴极与GND连接，整流二极管(188)的正极与GND连接，整流二极管(188)的负极与第二交流电源端子(T2)连接，所述可控硅SCR(Hl)的控制极经电阻(146)与接地故障检测芯片(170)的输出端(177)连接，所述电容(147)连接在所述可控硅SCR(Hl)的控制极与GND之间，所述脱扣线圈(142)用于磁力驱动所述磁力开关(88)。3.如权利要求2所述的电路保护装置，其特征在于，所述接地故障保护单元(I)还包括人工测试电路(103)，所述人工测试电路(103)用于人工触发在交流电源通道(102)上产生一个接地故障电流，所述人工测试电路(103)包括依次连接的接地故障测试开关(35)和电阻(131)，所述人工测试电路(103)连接在所述第一和第二交流电源端子(T1、T2)之间。4.如权利要求2所述的电路保护装置，其特征在于，所述自动测试电路(201)包括接地故障电阻(215)、整流二极管(189)和自检三极管(211)，其中所述自检三极管(211)的集电极经所述接地故障电阻(215)与已穿过所述中性线重复接地传感器(160)和所述接地故障电流传感器(150)的所述交流电源导体(92)连接，该交流电源导体(92)与所述第二交流电源端子(Τ2)连接，该自检三极管(211)的发射极经整流二极管(189)后与所述第一交流电源端子(Tl)连接； 所述测控电路(202)包括:第一故障信号输入支路(240)，用于实时传输所述脱扣线圈(142)的状态信息；第二故障信号输入支路(250)，用于定时传输所述接地故障检测电路(101)和所述可控硅SCR(Hl)的运行状况信息；监控芯片(263)，用于实时接收并监测第一故障信号输入支路(240)和第二故障信号输入支路(250)的输出信号，定时启动自我故障监测过程，判断所述接地故障保护单元(I)的运行状况，并向所述警示电路(203)发出运行状况信息；第二直流电源(270)，它的输出V2用于给所述自我故障监测单元(2)提供直流电源，该第二直流电源(270)的负极与GND连接。5.如权利要求4所述的电路保护装置，其特征在于，所述第一故障信号输入支路(240)，它的输入端被接在所述可控硅SCR(Hl)的阳极与所述脱扣线圈(142)之间，它的输出电压VBl被接到所述监控芯片(263)，该第一故障信号输入支路(240)中包括至少一个电容(242)，交流电源经二极管(143)和脱扣线圈(142)，再经电阻(241)，给电容(242)充电，使电容(242)上的电压上升，从而使所述VBl上升； 所述第一故障信号输入支路(240)构成一个延迟电路，当所述二极管(143)和所述脱扣线圈(142)无故障时，所述VBl将在一个设定的时间TR1，从OV上升至大于一个设定的参考电压VHl ;当二极管(143)和/或脱扣线圈(142)断路时，所述VBl将在一个设定的时间，下降至小于一个设定的参考电压VLl，其中VHl小于所述V2，VLl小于或等于VHl ; 所述第二故障信号输入支路(250)，它的输入端连接在所述可控硅SCR(Hl)的阳极上，它的输出电压VB2被接到所述监控芯片(263)，该第二故障信号输入支路(250)包括有电容(252)，由所述第二直流电源(270)经电阻(253)，给电容(252)提供充电电流，和/或由监控芯片(263)经二极管(268)，给电容(252)提供充电电流，使电容(252)上的电压上升，从而使所述VB2上升；当可控硅SCR(Hl)导通时，电容(252)上的电荷经二极管(251)被可控硅SCR(Hl)释放，从而使所述VB2下降； 所述第二故障信号输入支路(250)构成另一个延迟电路，当所述可控硅SCR(Hl)截止时，所述VB2将上升至大于一个设定的参考电压VH2 ;当可控硅SCR(141)导通时，所述VB2将下降至小于一个设定的参考电压VL2，其中VH2小于所述V2，VL2小于或等于VH2。6.如权利要求5所述的电路保护装置，其特征在于，所述监控芯片(263)监测所述VB1，并控制所述电容(252)的充电电流，当所述VBl大于所述VHl时，或在所述VBl从大于VHl下降至大于或等于所述VLl的过程中，使电容(252)处于低速充电过程，从而使所述VB2在一个设定的时间TR21，从小于所述VL2缓慢上升至大于所述VH2 ;当所述VBl小于VLl时，或在所述VBl从小于VLl上升至小于或等于VHl的过程中，使电容(252)处于高速充电过程，从而使所述VB2在一个设定的时间TR22，TR22小于TR21，从小于VL2快速上升至大于 VH2 ； 所述监控芯片(263)的输出经电阻(218)与所述自检三极管(211)的基极连接，当所述VB2大于所述VH2时，或在所述VB2从大于VH2逐渐下降至大于或等于所述VL2的过程中，该监控芯片(263)的输出VOUT为高电平，从而使自检三极管(211)导通；当所述VB2小于VL2时，或在VB2从小于VL2上升至小于或等于VH2的过程中，该监控芯片(263)的输出VOUT为低电平，所述自检三极管(211)截止； 当所述监控芯片(263)的输出VOUT由低电平转为高电平时，所述测控电路(202)启动一次自我故障监测过程，在该自我故障监测过程中，所述接地故障检测电路(101)触发所述可控硅SCR(Hl)导通，所述VB2从大于所述VH2下降至小于所述VL2，所述监控芯片(263)的输出VOUT由高电平返回低电平，结束本次自我故障监测过程。7.如权利要求5所述的电路保护装置，其特征在于，所述第二故障信号输入支路(250)中的二极管(251)在电路中起单向导通作用，当其正向导通时为释放所述电容(252)内的电荷提供电气通道，当其反向截止时实现所述脱扣线圈(142)与所述第二接地故障信号输入支路(250)之间的高阻抗隔离；所述第一故障信号输入支路(240)的电阻(241)的总阻值大于IM Ω，用于有效实现接地故障保护单元(I)与自我故障监测单元(2)之间的高阻抗隔离。8.如权利要求2所述的电路保护装置，其特征在于，所述第一交流电源端子(Tl)与交流电源的相线连接，所述第二交流电源端子(T2)与交流电源的中性线连接；或者所述第一交流电源端子(Tl)与交流电源的中性线连接，所述第二交流电源端子(T2)与交流电源的相线连接。9.如权利要求8所述的电路保护装置，其特征在于，所述交流电源的波形为周期交变波，每一个交变波包括二个半波: 交流电源的第一半波，在该第一半波期间，第一交流电源端子(Tl)的电势高于第二交流电源端子(T2)的电势；和 交流电源的第二半波，在该第二半波期间，第一交流电源端子(Tl)的电势低于第二交流电源端子(T2)的电势。10.如权利要求9所述的电路保护装置，其特征在于，当交流电源的相线被接在所述第一交流电源端子(Tl)，交流电源的中性线被接在所述第二交流电源端子(T2)上时，所述交流电源的第一半波为交流电源的正半波；当交流电源的相线被接在所述第二交流电源端子(T2)，交流电源的中性线被接在所述第一交流电源端子(Tl)上时，所述交流电源的第一半波为交流电源的负半波；所述交流电源的第二半波与所述的交流电源的第一半波处在交流电源周期波的二个不同的半波期间。
【专利摘要】本实用新型公开了一种自动监测运行故障的电路保护装置，所述电路保护装置包括接地故障保护单元和自我故障监测单元，其中所述接地故障保护单元包括接地故障检测电路、交流电源通道和电磁驱动电路；所述自我故障监测单元包括自动测试电路、测控电路和警示电路。接地故障保护电路和自我故障监测单元分时工作，实现不断电自我故障监测，自我故障监测单元与接地故障保护单元之间采取高阻抗隔离措施，自我故障监测单元中的任一元件发生故障均不会降低接地故障保护单元的安全保护能力。
【IPC分类】H02H3/05, H02H1/00
【公开号】CN204886120
【申请号】CN201520672471
【发明人】高少华, 郑高科
【申请人】浙江三蒙电气科技有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年9月1日