励磁柜的灭磁装置的制造方法

文档序号:9997009阅读:826来源:国知局
励磁柜的灭磁装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电机技术领域,具体涉及一种励磁柜的灭磁装置。
【背景技术】
[0002]励磁柜是发电机上常用的设备。其中,球磨机同步电机励磁柜,由于控制电路复杂、元器件多,技术性能也不够完善,厂方在设计上存在励磁柜的灭磁控制不够完善的问题,造成灭磁速度慢,电机运行时灭磁电阻长期发热灭磁不成功,从而损坏主回路元件及电机,出现正常运行的励磁装置停车后不能再次顺利开车的现象。
[0003]现有的断励续流灭磁方式由于励磁绕组系电感性负载,当可控硅导通角较小电压波形出现过零时,就会有电流从灭磁电阻、可控硅回路续流造成灭磁电阻发热,停机时或失步时,主回路电源不能马上停止,造成灭磁不成功,损坏主回路元件及电机,经检查发现主回路元件或控制回路损坏的现象。
【实用新型内容】
[0004]针对现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种励磁柜的灭磁装置,以提高灭磁可靠性和灭磁速度,降低灭磁电阻在运行中的故障率及发热的情况。
[0005]为了实现上述目的,本实用新型采取的技术方案是:
[0006]—种励磁柜的灭磁装置,包括霍尔传感器、灭磁电阻、可控硅、二极管和电容;
[0007]所述可控硅与所述二极管并联,阴极连接所述二极管的正极,阳极连接所述二极管的负极;
[0008]所述灭磁电阻一端与所述可控硅的阴极相连,一端分别连接所述电容和所述霍尔传感器,所述霍尔传感器的另一端连接所述可控硅的阳极,所述电容的另一端连接所述可控硅的控制极。
[0009]所述灭磁电阻一端与所述可控硅的阴极相连,一端分别连接所述电容和所述霍尔传感器,所述霍尔传感器的另一端连接所述可控硅的阳极,所述电容的另一端连接所述可控硅的控制极。
[0010]与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:
[0011]本实用新型励磁柜的灭磁装置在主回路上可控硅控制极和灭磁电阻的一端之间增加电容,电容与灭磁电阻形成阻容吸收回路。当电机失步和停机时,阻容吸收回路吸收转子能量进行灭磁,从而提高了灭磁可靠性和灭磁速度,降低了灭磁电阻在运行中的发热量和故障率。
【附图说明】
[0012]图1为现有技术中灭磁装置主回路的结构示意图;
[0013]图2为本实用新型励磁柜的灭磁装置的主回路示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【具体实施方式】对本实用新型作进一步的说明。
[0015]现有的励磁柜的灭磁装置的主回路如图1所示,虚线部分为灭磁控制电路,其他元器件包括霍尔传感器、可控硅KQ、灭磁电阻RF、二极管ZQ。可控硅KQ与二极管ZQ并联,可控硅KQ阴极与二极管ZQ正极相连,阳极与二极管ZQ负极相连,灭磁电阻RF —端与可控硅KQ阴极相连,一端与霍尔传感器相连,霍尔传感器另一端与可控硅KQ阳极相连。
[0016]在上述电路结构下,灭磁装置采用的是断励续流灭磁方式,缺点是灭磁速度慢,灭磁电阻发热严重,电机失步或停机时,灭磁不成功,损坏主回路和控制回路元件。为了克服前述缺点,本实用新型对主回路进行了改进,如图2所示(隐去了灭磁控制回路),在可控硅KQ控制极和灭磁电阻RF —端之间增加电容C,即在图1所示的8脚和10脚之间增加电容C,电容C与灭磁电阻RF形成阻容吸收回路,从而可以采用阻容灭磁方式进行灭磁。具体是,当电机失步和停机时,励磁控制系统适时提供给可控硅KQ —个脉冲,可控硅KQ被关断,电容C及电阻RF吸收剩磁进行灭磁。
[0017]电容C可以是一个或多个,可以并联或串联,总的容值优选地为600pf。
[0018]上列详细说明是针对本实用新型可行实施例的具体说明,该实施例并非用以限制本实用新型的专利范围,凡未脱离本实用新型所为的等效实施或变更,均应包含于本案的专利范围中。
【主权项】
1.一种励磁柜的灭磁装置,其特征在于, 包括霍尔传感器、灭磁电阻、可控硅、二极管和电容; 所述可控硅与所述二极管并联,阴极连接所述二极管的正极,阳极连接所述二极管的负极; 所述灭磁电阻一端与所述可控硅的阴极相连,一端分别连接所述电容和所述霍尔传感器,所述霍尔传感器的另一端连接所述可控硅的阳极,所述电容的另一端连接所述可控硅的控制极。2.根据权利要求1所述的励磁柜的灭磁装置,其特征在于, 所述电容的容值为600pf。
【专利摘要】本实用新型公开了一种励磁柜的灭磁装置,在主回路上可控硅控制极和灭磁电阻的一端之间增加电容,电容与灭磁电阻形成阻容吸收回路。当电机失步和停机时,阻容吸收回路吸收转子能量进行灭磁,从而提高了灭磁可靠性和灭磁速度,降低了灭磁电阻在运行中的发热量和故障率。
【IPC分类】H02P9/12
【公开号】CN204906241
【申请号】CN201520672283
【发明人】翁庆坚, 李大海
【申请人】广东广业云硫矿业有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年8月31日
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