种方式如图2和图3所示，所述的降压电路的贴片式电阻模块由8个贴片电阻(R5至R12)先串联再并联构成，具体的组合方式是:由贴片电阻R5、贴片电阻R6、贴片电阻R7和贴片电阻R8串联构成第一串联电阻，由贴片电阻R9、贴片电阻R10、贴片电阻R11和贴片电阻R12串联构成第二串联电阻，第一串联电阻与第二串联电阻并联连接形成串并联电阻模块。第二种方式如图4所示，所述的降压电路的贴片式电阻模块包括8个贴片电阻(R5至R12)，具体的组合方式是:贴片电阻R5、贴片电阻R6，贴片电阻R7、贴片电阻R8、贴片电阻R9、贴片电阻R10、贴片电阻R11和贴片电阻R12串联连接构成纯串联电阻模块。第三种方式如图5所示:所述的降压电路的贴片式电阻模块由8个贴片电阻(R5至R12)先并联再串联构成，具体的组合方式是:贴片电阻R5和贴片电阻R6并联构成第一并联电阻，贴片电阻R7和贴片电阻R8并联构成第二并联电阻，贴片电阻R9和贴片电阻R10并联构成第三并联电阻，贴片电阻R11和贴片电阻R12并联构成第四并联电阻组(即以两两相串的方式形成四对并联电阻)，第一并联电阻、第二并联电阻、第三并联电阻、第四并联电阻组串联连接形成并串电阻模块(即四对并联电阻串联连接形成并串电阻模块)。上述贴片式电阻模块的具体结构三种优选方式可归纳如下:所述的电源电路的降压电路的贴片式电阻模块包括八个贴片电阻(R5至R12);八个贴片电阻(R5至R12)串联连接形成纯串联电阻模块；或者，八个贴片电阻(R5至R12)中的四个贴片电阻(R5至R8)串联连接成第一串联电阻，另外四个贴片电阻(R9至R12)串联连接成第二串联电阻，第一串联电阻与第二串联电阻并联连接形成串并联电阻模块；或者，八个贴片电阻(R5至R12)以两两相串(R5与R6，R，7与R8，R9与R10，R11与R12)方式形成四对并联电阻，四对并联电阻串联连接形成并串电阻模块。优选采用第一种方式的最佳方式，能有效降低温升，而且对电路的小型化十分有利。
[0027]本实用新型还有一个有益特点是采用了浪涌吸收回路，S卩:所述的电源电路的浪涌吸收电路包括压敏电阻RV1 ;压敏电阻RV1的一端与电源电路的半波整流电路的二极管VD1和交流输入侧的火线L并联连接，压敏电阻RV1的另一端与电源电路的中性线N连接。由于火线L、中性线N分别与主电路的火线相L-L1、中性线相N-N1连接，因此压敏电阻RV1的浪涌吸收功能不仅能保护多功能剩余电流动作断路器电路，而且还能有效保护断路器下游的电路。由于本实用新型采用了浪涌吸收电路以及与之相配套的贴片式电阻模块，大大增强了承受浪涌冲击的能力，能承受现有普通产品不能承受的4KV的浪涌电压。由于电源电路的降压电路采用贴片式电阻模块结构，浪涌吸收电路采用压敏电阻RV1结构，使得剩余电流动作断路器产品在具有漏电电流保护、过电压保护功能的基础上，又增加了抗击浪涌电压的功能，同时，贴片式电阻模块结构又能缩小电路体积，提升电路的可靠性，降低电路温升。
[0028]所述的漏电信号采集控制电路包括集成芯片、零序互感器TA、双向二极管D1、调试电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C 3、电容C4、电容C5、电容C6和电容C7 ；调试电阻R1、双向二极管D1、电容C1依次并联连接在零序互感器TA的二次回路引线的两端；电阻R2的一端与电容C1的一端连接，电阻R2的另一端与电容C2的一端、电容C 3的一端和集成芯片的第一管脚1并联连接；电阻R3的一端与电容C1的另一端连接，电阻R3的另一端与电容C2的另一端连接、电容C4的一端和集成芯片的第二管脚2并联连接；电容C3的另一端与电容C4的另一端、集成芯片的第三管脚3并连接地；集成芯片的第四管脚4和第五管脚5与过压动作电路的稳压管D2的正极、电容C5的一端并联连接，电容C5的另一端接地；集成芯片的第六管脚6与电容C6的一端连接，集成芯片的第七管脚7与电容C6的另一端、电容C7的一端、脱扣电路的可控硅VT1的G极(控制极)并联连接，电容C7的另一端接地，集成芯片的第八管脚8与电源电路的另一个直流输出节点连接。所述的集成芯片采用商品化的电子器件，其结构和功能是公知的，而本实用新型的有益特点是使集成芯片形成了两个控制输入端，其中:一个是新增的过电压保护控制输入端，它是由集成芯片的第四管脚4和第五管脚5连接构成，并与过压动作电路的直流电压信号输入端(即稳压管D2的正极)并联连接；另一个是漏电保护控制输入端，它是由集成芯片的第一管脚1构成，并从零序互感器TA采集剩余电流信号。
[0029]所述的脱扣电路包括脱扣线圈KA和可控硅VT1 ;可控硅VT1的G极(控制极)接集成芯片的第七脚7，可控硅VT1的A极(阳极)和可控硅VT1的K极(阴极)分别与电源电路的交流输入侧的火线L和交流输入侧的中性线N连接形成通/断控制回路，脱扣线圈KA串联连接在所述的通/断控制回路中。所述的通/断控制回路在可控硅VT1的G极控制下具有导通和关断两个状态:在主电路(L-Ll，N-N1)正常情况下，漏电信号采集控制电路控制可控硅V T1关断(使通/断控制回路处于关断状态)，串联连接在通/断控制回路中的脱扣线圈KA内的电流不能激励脱扣线圈产生脱扣动作；当主电路(L-L1，N-N1)出现剩余电流(漏电电流)时，漏电信号采集控制电路控制可控硅VT1导通(触发通/断控制回路导通)，串联连接在通/断控制回路中的脱扣线圈KA内的电流的增大，以致激励脱扣线圈产生脱扣动作。
[0030]所述的脱扣电路的具体结构可有多种方式。一种优选的方式如图2所示，所述的脱扣电路包括脱扣线圈KA和可控硅VT1，脱扣线圈KA的一端与浪涌吸收电路的压敏电阻RV1的一端、电源电路的交流输入侧的火线L并联连接，脱扣线圈KA的另一端与半波整流电路的二极管VD1的正极连接。另一种优选的方式如图3所示，所述的脱扣电路包括脱扣线圈KA和可控硅VT1，所述的脱扣线圈KA的一端与浪涌吸收电路的压敏电阻RV1的另一端、电源电路的交流输入侧的中性线N并联连接，脱扣线圈KA的另一端与脱扣电路的可控硅VT1的K极、过压动作电路的电容C9的另一端和电阻R14的另一端并联连接。
[0031]所述的测试回路包括常开测试开关S1、电阻R4，常开测试开关S1和电阻R4串联形成回路，该回路穿过零序互感器TA后并联连接在主电路的火线相(L-L1)与中性线相(N-N1)之间。当人为按动测试开关S1使测试回路导通时，测试回路中流过的电流能起到模拟剩余电流的作用，使零序互感器TA的二次回路中会感应出剩余电流信号，该信号能触发脱扣线圈KA产生脱扣动作，从而检测断路器的脱扣保护是否正常。
[0032]下面结合图1至图3给出的实施例，进一步说明本实用新型的脱扣保护功能的控制过程。
[0033]过压脱扣保护过程:电源电压(交流输入侧的交流电压)经半波整流电路整流后转换成直流电压(信号)，该直流电压从电源电路的一个直流输出节点输出给过压动作电路，过压动作电路将该直流电压信号经电阻R13和电阻R14分压和电容C9滤波后施加给稳压管D2，当施加给稳压管D2电压