一种剩余电流保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种剩余电流保护电路，其包括依次连接的整流桥、通断电路和断路器连接电路，所述整流桥包括二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6，所述二极管D1、D2、D3的负极连接后与通断电路的输入端连接，所述二极管D4、D5、D6的正极连接后与通断电路的输出端连接，电源输入A相经电阻RL1与二极管D3、D6的节点连接，电源输入B相经电阻RL2与二极管D2、D5的节点连接，电源输入C相经电阻RL3与二极管D1、D4的节点连接，在电源与整流桥之间串联电阻，用以限流，在短路时，短路电流过大会优先烧电阻，从而断开电路，保护了通断电路和断路器连接电路。
【专利说明】
一种剩余电流保护电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种保护电路，特别涉及一种剩余电流保护电路。
【背景技术】
[0002]剩余电流动作断路器是指在能够关合、承载和开断正常回路条件下的电流并能关合、并且在线路出现剩余电流情况下能迅速切断电源达到保护人身或设备的安全。
[0003]现有断路器的剩余电流保护是直接与电源输入连接的，若电源端出现短路电流，则容易烧毁线路板或引起断路器内部二次短路从而造成更大的破坏。
【实用新型内容】
[0004]为了克服【背景技术】的不足，本实用新型提供一种剩余电流保护电路。
[0005]本实用新型所采用的技术方案是:一种剩余电流保护电路，其包括依次连接的整流桥、通断电路和断路器连接电路，所述整流桥包括二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6，所述二极管D1、D2、D3的负极连接后与通断电路的输入端连接，所述二极管D4、D5、D6的正极连接后与通断电路的输出端连接，电源输入A相经电阻RLl与二极管D3、D6的节点连接，电源输入B相经电阻RL2与二极管D2、D5的节点连接，电源输入C相经电阻RL3与二极管D1、D4的节点连接。
[0006]在电阻RLl与电阻RL2之间并联压敏电阻RVl，在电阻RL2与电阻RL3之间并联压敏电阻RV2。
[0007]所述通断电路包括芯片Ul、电阻R4、R5、R6、电容C3、线圈TKQ、可控硅TI /T2，所述二极管D1、D2、D3的负极连接后依次经线圈TKQ、电阻R5、R6与芯片Ul的8管脚连接，所述二极管D4、D5、D6的正极连接后经电容C3与芯片Ul的I管脚连接;所述可控硅Tl正极与线圈TKQ和电阻R5之间的节点连接，负极与可控硅T2的正极连接，门极经电阻R4与芯片Ul的8管脚连接；可控硅T2的负极与二极管D4、D5、D6的阳极和电容C3之间的节点连接，可控硅T2的门极与芯片Ul的7管脚连接。
[0008]所述断路器连接电路包括电阻Rl、R2、R3、电容Cl、C2，所述电阻Rl并联在断路器两端，所述电容并联在断路器两端，所述电阻Rl的一端经电阻R2与芯片Ul的I管脚连接，另一端经电阻R3与芯片Ul的2管脚连接，所述电容C2并联在电阻R2、R3之间。
[0009]设有二极管D7，所述二极管D7串联在电阻R4和芯片Ul的8管脚之间。
[0010]设有压敏电阻RV3，所述压敏电阻RV3—端与可控硅Tl的正极连接，另一端与可控硅T2的负极连接。
[0011]本实用新型的有益效果是:本实用新型在电源与整流桥之间串联电阻，用以限流，在短路时，短路电流过大会优先烧电阻，从而断开电路，保护了通断电路和断路器连接电路。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的电路图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型实施例作进一步说明:
[0014]如图所示，一种剩余电流保护电路，其包括依次连接的整流桥、通断电路和断路器连接电路，所述整流桥包括二极管01、02、03、04、05、06，所述二极管01、02、03的负极连接后与通断电路的输入端连接，所述二极管D4、D5、D6的正极连接后与通断电路的输出端连接，电源输入A相经电阻RLl与二极管D3、D6的节点连接，电源输入B相经电阻RL2与二极管D2、D5的节点连接，电源输入C相经电阻RL3与二极管D1、D4的节点连接，在电源与整流桥之间串联电阻，用以限流，在短路时，短路电流过大会优先烧电阻，从而断开电路，保护了通断电路和断路器连接电路。
[0015]在电阻RLl与电阻RL2之间并联压敏电阻RVl，在电阻RL2与电阻RL3之间并联压敏电阻RV2，压敏电阻RV1、RV2为可调电阻，用于调节相与相之间的电流。
[0016]所述通断电路包括芯片U1、电阻R4、R5、R6、电容C3、线圈TKQ、可控硅T1、T2，所述二极管D1、D2、D3的负极连接后依次经线圈TKQ、电阻R5、R6与芯片Ul的8管脚连接，所述二极管D4、D5、D6的正极连接后经电容C3与芯片Ul的I管脚连接;所述可控硅Tl正极与线圈TKQ和电阻R5之间的节点连接，负极与可控硅T2的正极连接，门极经电阻R4与芯片Ul的8管脚连接；可控硅T2的负极与二极管D4、D5、D6的阳极和电容C3之间的节点连接，可控硅T2的门极与芯片Ul的7管脚连接，电源输入A、B、C三相通过电阻R5、R6来降压，通过芯片Ul的8管脚为芯片Ul提供电压，同时触发可控硅Tl的门极，使得可控硅Tl导通，电阻R4用于限流。
[0017]所述芯片Ul的3管脚接地，4管脚经电容C4接地，5管脚与4管脚连接，6管脚经电容C5与7管脚连接，8管脚经电容C6接地，7管脚经电容C7接地。
[0018]所述断路器连接电路包括电阻R1、R2、R3、电容C1、C2，所述电阻Rl并联在断路器两端，所述电容并联在断路器两端，所述电阻Rl的一端经电阻R2与芯片Ul的I管脚连接，另一端经电阻R3与芯片Ul的2管脚连接，所述电容C2并联在电阻R2、R3之间，断路器连接电路为断路器的外围电路，为保护断路器安全。
[0019]设有二极管D7，所述二极管D7串联在电阻R4和芯片Ul的8管脚之间，用作增加反向耐压。
[0020]设有压敏电阻RV3，所述压敏电阻RV3—端与可控硅Tl的正极连接，另一端与可控硅T2的负极连接，在通断电路断开的情况下，压敏电阻RV3用于与电源输入A、B、C和整流桥形成回路，防止整流后电路产生过电压。
[0021]以上结合附图所描述的实施例仅是本实用新型的优选实施方式，而并非对本实用新型的保护范围的限定，任何基于本实用新型精神所做的改进都理应在本实用新型保护范围之内。
【主权项】
1.一种剩余电流保护电路，其特征在于:其包括依次连接的整流桥、通断电路和断路器连接电路，所述整流桥包括二极管01、02、03、04、05、06，所述二极管01、02、03的负极连接后与通断电路的输入端连接，所述二极管D4、D5、D6的正极连接后与通断电路的输出端连接，电源输入A相经电阻RLl与二极管D3、D6的节点连接，电源输入B相经电阻RL2与二极管D2、D5的节点连接，电源输入C相经电阻RL3与二极管Dl、D4的节点连接。2.根据权利要求1所述的一种剩余电流保护电路，其特征在于:在电阻RLl与电阻RL2之间并联压敏电阻RVl，在电阻RL2与电阻RL3之间并联压敏电阻RV2。3.根据权利要求1所述的一种剩余电流保护电路，其特征在于:所述通断电路包括芯片1]1、电阻1?4、1?5、1?6、电容03、线圈1'1^、可控硅1'1、了2，芯片型号为54123，所述二极管01、02、03的负极连接后依次经线圈TKQ、电阻R5、R6与芯片Ul的8管脚连接，所述二极管D4、D5、D6的正极连接后经电容C3与芯片Ul的I管脚连接;所述可控硅Tl正极与线圈TKQ和电阻R5之间的节点连接，负极与可控硅T2的正极连接，门极经电阻R4与芯片Ul的8管脚连接;可控硅T2的负极与二极管D4、D5、D6的阳极和电容C3之间的节点连接，可控硅T2的门极与芯片Ul的7管脚连接。4.根据权利要求3所述的一种剩余电流保护电路，其特征在于:所述断路器连接电路包括电阻R1、R2、R3、电容C1、C2，所述电阻Rl并联在断路器两端，所述电容并联在断路器两端，所述电阻Rl的一端经电阻R2与芯片Ul的I管脚连接，另一端经电阻R3与芯片Ul的2管脚连接，所述电容C2并联在电阻R2、R3之间。5.根据权利要求3所述的一种剩余电流保护电路，其特征在于:设有二极管D7，所述二极管D7串联在电阻R4和芯片Ul的8管脚之间。6.根据权利要求3所述的一种剩余电流保护电路，其特征在于:设有压敏电阻RV3，所述压敏电阻RV3—端与可控硅Tl的正极连接，另一端与可控硅T2的负极连接。
【文档编号】H02H3/34GK205622204SQ201620343034
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年4月22日
【发明人】杨红艺, 詹丽英, 刘泽州, 高磊啸, 宋涛
【申请人】浙江天正电气股份有限公司