滤波器中）跨接于交流输入线之间的电容容量，甚至可以省去；在I类电能变换器应用，可以进一步减少(EMI滤波器中）跨接于交流输入线和地线之间的电容容量，甚至可以省去。
【附图说明】
[0029]图I是现有的I类电能变换器框架图。
[0030]图2是现有的I类电能变换器中单级EMI滤波电路单元结构图。
[0031]图3是现有的I类电能变换器中多级串联的EMI滤波电路单元结构图。
[0032]图4是现有的II类电能变换器框架图。
[0033]图5是现有的II类电能变换器中单级EMI滤波电路单元结构图。
[0034]图6是是现有的II类电能变换器中多级EMI滤波电路单元结构图。
[0035]图7是本实用新型电磁干扰抑制结构的结构图。
[0036]图8是本实用新型实施例I的结构图。
[0037]图9是本实用新型实施例2的结构图。
[0038]图10是本实用新型实施例3的结构图。
[0039]图11是本实用新型实施例4的结构图。
[0040]图12是本实用新型实施例5的结构图。
[0041]图13是本实用新型实施例6的结构图。
【具体实施方式】
[0042]请参阅图7，本实用新型提出一种电磁干扰抑制结构。如图所示:它包括电容Cl和电容C2，所述的电容CI和电容C2串联连接;所述的电容Cl和电容C2串联连接结构的两端分别具有连接至交流输入线的接点;所述的电容Cl和电容C2之间的连接点是与后续的功率变换电路的电气连接点连接的接点。上述的电容CI和电容C2为任何结构的电容。所述的电容Cl和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。
[0043]上述电磁干扰抑制结构主要应用于交流输入的电能变换器，我们在实施例的附图中以附图标记M作为该结构的标注。比如：图8为本实用新型电磁干扰抑制结构在I类电能变换器中的应用，图9为本实用新型电磁干扰抑制结构在II类电能变换器中的应用。
[0044]以下通过多个实施例来进一步介绍本实用新型。
[0045]实施例I
[0046]它是在图I所示的I类电能变换器的基础上，对本实用新型电磁干扰抑制结构M的应用实施例。如图8所示：电磁干扰抑制结构M的I端连接至I类电能变换器中EMI滤波器输出端4与后级的功率变换电路输入端I的连接点；电磁干扰抑制结构M的2端连接至I类电能变换器中EMI滤波器输出端5与后级的功率变换电路输入端2的连接点；电磁干扰抑制结构M的3端连接至后级的功率变换电路中一个可以电气连接的连接点7。
[0047]本实施例I，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，不增加体积，而且也不影响电能变化效率。
[0048]实施例2
[0049]它是在图4所示的II类电能变换器的基础上，对本实用新型电磁干扰抑制结构M的应用实施例。如图9所示：电磁干扰抑制结构M的I端连接至I类电能变换器中EMI滤波器输出端4与后级的功率变换电路输入端I的连接点；电磁干扰抑制结构M的2端连接至I类电能变换器中EMI滤波器输出端5与后级的功率变换电路输入端2的连接点；电磁干扰抑制结构M的3端连接至后级的功率变换电路中一个可以电气连接的连接点7。
[0050]本实施例2，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，不增加体积，而且也不影响电能变化效率。
[0051 ] 实施例3
[0052]图10为本实用新型电磁干扰抑制结构M应用于I类电能变换器的另一种实施例。其中，电磁干扰抑制结构M的I端连接至I类电能变换器中EMI滤波器输出端4与后级功率变换电路输入端I的连接点；后级功率变换电路输入端I与其内部的整流桥交流输入端IO相连；电磁干扰抑制结构M的2端连接至I类电能变换器中EMI滤波器输出端5与后级功率变换电路输入端2的连接点；后级功率变换电路的输入端2与其内部的整流桥交流输入端11相连；电磁干扰抑制结构M的3端与后级功率变换电路中整流桥BI的负端7相连;后级的功率变换电路中整流桥BI的正端8和负端7分别与功率变换电路的内部电路相连。
[0053]本实施例3，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，不增加体积，而且也不影响电能变化效率。
[0054]实施例4
[0055]图11为本实用新型电磁干扰抑制结构M应用于I类电能变换器的再一种实施例。其中，电磁干扰抑制结构M的I端连接至I类电能变换器中EMI滤波器输出端4与后级功率变换电路输入端I的连接点；后级功率变换电路输入端I与其内部的整流桥交流输入端IO相连；电磁干扰抑制结构M的2端连接至I类电能变换器中EMI滤波器输出端5与后级功率变换电路输入端2的连接点；后级功率变换电路的输入端2与其内部的整流桥交流输入端11相连；电磁干扰抑制结构M的3端与后级功率变换电路中整流桥BI的正端8相连;后级的功率变换电路中整流桥BI的正端8和负端7再分别与功率变换电路的内部电路相连。
[0056]本实施例4，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，不增加体积，而且也不影响电能变化效率。
[0057]实施例5
[0058]图12为本实用新型电磁干扰抑制结构M应用于II电能变换器的又一种实施例。其中，电磁干扰抑制结构M的I端连接至II类电能变换器中EMI滤波器输出端4与后级功率变换电路输入端I的连接点；后级功率变换电路输入端I与其内部的整流桥交流输入端IO相连；电磁干扰抑制结构M的2端连接至II类电能变换器中EMI滤波器输出端5与后级功率变换电路输入端2的连接点；后级功率变换电路的输入端2与其内部的整流桥交流输入端11相连；电磁干扰抑制结构M的3端与后级功率变换电路中整流桥BI的负端7相连;后级的功率变换电路中整流桥BI的正端8和负端7再分别与功率变换电路的内部电路相连。
[0059]本实施例5，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，不增加体积，而且也不影响电能变化效率。
[0060]实施例6
[0061]图13为本实用新型电磁干扰抑制结构M应用于II电能变换器的再一种实施例。其中，电磁干扰抑制结构M的I端连接至II类电能变换器中EMI滤波器输出端4与后级功率变换电路输入端I的连接点；后级功率变换电路输入端I与其内部的整流桥交流输入端IO相连；电磁干扰抑制结构M的2端连接至II类电能变换器中EMI滤波器输出端5与后级功率变换电路输入端2的连接点；后级功率变换电路的输入端2与其内部的整流桥交流输入端11相连；电磁干扰抑制结构M的3端与后级功率变换电路中整流桥BI的正端8相连;后级的功率变换电路中整流桥BI的正端8和负端7再分别与功率变换电路的内部电路相连。
[0062 ]本实施例6，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，不增加体积，而且也不影响电能变化效率。
[0063]综上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型的实施范围。即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化与修饰，都应为本实用新型的技术范畴。
【主权项】
1.一种电磁干扰抑制结构，其特征在于:它包括至少两个串联连接的电容Cl和电容C2 ；所述的电容Cl和电容C2串联连接结构的两端分别具有连接至交流输入线的接点;所述的电容CI和电容C2之间的连接点是与后续的功率变换电路的电气连接点连接的接点;所述的电容Cl和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。2.—种电能变换器，它包括EMI滤波器和功率变换电路;其特征在于：它还包括如权利要求I所述的电磁干扰抑制结构;所述的电磁干扰抑制结构的电容Cl和电容C2串联连接结构的两端分别连接交流输入线;所述的电容Cl和电容C2之间的连接点与后续的功率变换电路的电气连接点连接;所述的电容Cl和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。3.根据权利要求2所述的电能变换器，其特征在于：所述的功率变换电路中包括整流桥，所述的电容Cl和电容C2之间的连接点与整流桥的负端连接;所述的电容Cl和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。4.根据权利要求2所述的电能变换器，其特征在于：所述的功率变换电路中包括整流桥，所述的电容Cl和电容C2之间的连接点与整流桥的正端连接;所述的电容Cl和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。5.根据权利要求2所述的电能变换器，其特征在于：所述的功率变换电路中包括整流桥，所述的电容CI和电容C2之间的连接点与后续的功率变换电路的电气连接点连接;所述的电容Cl和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。
【专利摘要】本实用新型涉及一种电磁干扰抑制结构和具有该结构的电能变换器。该电磁干扰抑制结构包括至少两个串联的电容，串联后电容的两端分别连接至电能变换器的交流输入线，串联电容的中间连接点连接至功率变换电路中可以连接的电气连接点，为电能变换器中的电磁噪声提供了新的电流环路，大大缩小了电磁噪声的传播回路面积，显著减弱电磁噪声对外界的影响，同时没有增加安规要求中漏电流。
【IPC分类】H02M1/44
【公开号】CN205160367
【申请号】CN201520963595
【发明人】黄敏超
【申请人】黄敏超
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月27日