专利名称：表面波滤波器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及表面波滤波器及其制造方法，更详细地说，涉及具备多个IDT(interdigital transducer-叉指式换能器)和反射器的谐振器型的表面波滤波器及其制造方法。
背景技术：
在现有的移动体通信设备的频带滤波器等中广泛地使用谐振器型表面波滤波器。图13是表示这种谐振器型表面波滤波器的一例的平面图。
在表面波滤波器101中使用压电基片102构成2级构成的谐振器型表面波滤波器。即，第1谐振器型表面波滤波器103和第2谐振器型表面波滤波器104通过连接部分105被纵向连接。
表面波滤波器103具有输入IDT103a和输出IDT103b。在IDT103a、IDT103b被设置的区域的表面波传播方向两侧配置了反射器103c、103d。同样，在表面波滤波器104中也配置了输入IDT104a、输出IDT104b、以及反射器104c、104d。第1表面波滤波器103的输出IDT103b和第2谐振器型表面波滤波器104的输入104a通过上述连接部分105被连接。
但是，在这种谐振器型表面波滤波器中，频带内部寄生和脉动少，能寻求良好的滤波器特性。因此，在下述的专利文献1中，在2级构成的谐振器型表面波滤波器中，示出了第1级表面波滤波器的输入IDT的电极指的对数和输出IDT的电极指的对数不相同，在第2级表面波滤波器中，输入IDT的电极指的对数和输出IDT的电极指的对数也不相同的构成。
另外，在下述的专利文献2中，同样，示出了在2个谐振器型表面波滤波器被纵向相连地连接的表面波滤波器装置中使输出输入IDT的电极指的对数不同以便在电路上变成对连接部分对称的构成。
在下述的专利文献1和专利文献2中，假定象上述那样通过使输出输入IDT的电极指的对数不同谋求频带外衰减量的扩大和寄生的减小。
另一方面，在下述的专利文献3中记载的2级构成的谐振器型表面波滤波器中，第1级表面波滤波器中的IDT和反射器之间的间隙的大小，以及第2级表面波滤波器中的IDT和反射器之间的间隙的大小不相同，由此，能谋求寄生的减小和频带外衰减量的扩大。
专利文献1特开平10-284988号公报专利文献2WO96-32777号公报专利文献3特开昭83-155810号公报发明内容象上述那样，人们已经知道在现有的2级纵向相连连接型的谐振器型表面波滤波器中，通过使IDT的电极指的对数不同，谋求脉动和寄生的减小的构成。另外，象上述专利文献3那样，人们还知道在第1级谐振器型表面波滤波器和第2级谐振器型表面波滤波器之间通过使IDT-反射器之间的间隙的大小不同，谋求寄生的减小。
另一方面，在表面波滤波器中，为了适应被连接的电路部分而谋求阻抗匹配，往往要求降低输入阻抗和输出阻抗。在谐振器型表面波滤波器中，为使阻抗降低，可以增加IDT的电极指的对数，或者增大电极指的交叉幅度。但是，在只增加电极指的对数，或增大交叉幅度的场合，不得不增大表面波滤波器的尺寸。
另外，在将IDT的电极指的对数向大的方向变更的场合，使用于得到带宽的2个模式的间隔变大，并能降低阻抗，但不得不使滤波器特性大幅度地变化。
本发明的目的在于鉴于上述的现有技术的现状提供不招致大型化，而且不招致用于构成滤波器的频带的模式间隔的变动，使输出输入阻抗能被设定为适当大小的谐振器型表面波滤波器及其制造方法。
若依据本发明的宽广的形态，该滤波器具备压电基片，在所述压电基片上被形成，并在表面波传播方向使间隔隔开配置的输入IDT和输出IDT，以及配置在所述输入IDT和输出IDT被设置的区域的表面波传播方向外侧的第1、第2反射器，并提供在将所述输入IDT的电极指的对数规定为Ni，将输出IDT的电极指的对数规定为No，将所述输入IDT和第1反射器之间的间隔的大小规定为Gri，将所述输出IDT和所述第2反射器之间的间隔的大小规定的Gro时，为了具有与作为Ni＝No而且Gri＝Gro的虚拟的表面波滤波器同等的传送特性，使Ni和No不相同，而且使Gri和Gro不相同的谐振器型表面波滤波器。
即，在本发明的表面波滤波器的2IDT型的谐振器型表面波滤波器中，上述的Ni和No不同，从而输入IDT和/或输出IDT的阻抗不同。因此，通过与被连接的电路部分相适应设定Ni和No的值，能够将输出输入阻抗设定为最佳值。而且，由于上述间隙的大小Gri和Gro不同，尽管Ni和No不同，用于得到频带宽度的模式间隔难以变动，因此能确保与作为Ni＝No而且Gri＝Gro的虚拟的表面波滤波器同等的传送特性。
在本发明的更加限定的形态中，在将所述虚拟的表面波滤波器的Gri和Gro规定为Gr时，表面波滤波器被构成以便使r＝Ni/No、ΔGri＝Gri-Gr、ΔGro＝Gro-Gr以及输入IDT和输出IDT之间的间隙的大小Gii满足下述的公式(1)～(4)或下述的公式(5)～(8)。
公式5在Ni＞No的场合1.0＜r≤1.4 …式(1)0＜ΔGri≤0.45λRef…式(2)-0.2λRef≤ΔGro＜0…式(3)0.5λIDT≤Gii≤0.7λIDT…式(4)公式6
在Ni＜No的场合1.0＜1/r≤1.4 …式(5)-0.2λRef≤ΔGri＜0…式(6)0＜ΔGro≤0.45λRef…式(7)0.5λIDT≤Gii≤0.7λIDT…式(8)本发明的谐振器型表面波滤波器可以是1级构成，也可以是多级构成。在多级构成的表面波滤波器的场合，通过纵向相连地连接多个谐振器型表面波滤波器，能提高选择性。
另外，在本发明的一种特定的形态中，在上述多级构成中，当在被纵向相连地连接的多个表面波滤波器中间将输入端一侧的表面波滤波器规定为第1表面波滤波器，将输出端一侧的表面波滤波器规定为第2表面波滤波器时，在第1表面波滤波器中，Ni＞No，在第2表面波滤波器中，Ni＜No。因此，与上述虚拟表面波滤波器比较能够降低输入阻抗和输出阻抗。
在本发明的一种特定的形态中，在上述多级的谐振器型的表面波滤波器中，当在被纵向相连地连接的多个表面波滤波器中将输入端一侧的表面波滤波器规定为第1表面波滤波器，将输出端一侧的表面波滤波器规定为第2表面波滤波器时，在第1表面波滤波器中，Ni＜No，在第2表面波滤波器中，Ni＞No。因此，不会引起传送特性的变化，与上述虚拟表面波滤波器比较能够提高输出输入阻抗。
在涉及本发明的表面波滤波器的其它的特定形态中，输入IDT和输出IDT以及第1、第2反射器由比Al重的金属或将该金属作为主要成分的合金构成。在由比Al重的金属构成IDT和反射器的场合，能提高每根电极指的表面波的反射率。因此，上述对数的变化引起的特性的变化将变大，但在本发明中，即使使用这样的重金属构成IDT和反射器的场合，按照本发明也能够抑制对数的变化引起的传送特性的变化。因此，本发明合适地被用于具有由这样的重金属组成的IDT和反射器的表面波滤波器中。
另外，在本发明的其它的特定的形态中，使用水晶基片作为压电基片。水晶基片由于基片本身的阻抗高，因此在将本发明应用于使用水晶基片的表面波滤波器的场合，按照本发明能够有效地降低阻抗。
本发明的表面波滤波器的制造方法是具备压电基片，在压电基片上沿着表面波传播方向使间隙隔开配置的输入IDT和输出IDT，以及在所述输入IDT和输出IDT被设置的区域的表面波传播方向外侧配置的第1、第2反射器的制造方法，其特征在于，它具备准备压电基片的工序，以及在所述压电基片上形成输入IDT和输出IDT以及第1、第2反射器的工序，通过在形成所述输入IDT和输出IDT以及第1、第2反射器时，使输入IDT的电极指的对数Ni和输出IDT的电极指的对数No不相同，而且使输入IDT和第1反射器之间的间隙Gri以及输出IDT和第2反射器之间的间隙Gro不相同，一边将传送特性规定与作为整个表面波滤波器的电极指的对数相等而且Ni＝No和Gri＝Gro的虚拟的表面波滤波器同等，一边变更输出输入阻抗。即，按照本发明，能够一边使作为Ni＝No和Gri＝Gro的虚拟的表面波滤波器的传送特性和传送特性同等，一边按照本发明通过变更IDT的对数阻抗。
在涉及本发明的制造方法的一种特定的形态中，在将所述虚拟的表面波滤波器的Gri和Gro规定为Gr时，r＝Ni/No、ΔGri＝Gri-Gr、ΔGro＝Gro-Gr以及输入IDT和输出IDT之间的间隙的大小Gii满足下述的公式(1)～(4)或下述的公式(5)～(8)。
公式7在Ni＞No的场合1.0＜r≤1.4 …式(1)0＜ΔGri≤0.45λRef…式(2)-0.2λRef≤ΔGro＜0 …式(3)0.5λIDT≤Gii≤0.7λIDT…式(4)
在Ni＜No的场合1.0＜1/r≤1.4 …式(5)-0.2λRef≤ΔGri＜0 …式(6)0＜ΔGro≤0.45λRef…式(7)0.5λIDT≤Gii≤0.7λIDT…式(8)
图1是表示涉及本发明的第1实施例的表面波滤波器的平面图。图2是将电极指的总对数规定为恒定，在间隙的大小Gii＝0.5λ场合，用实线表示电极指的对数Ni＝No-15场合的插入损耗，用虚线表示变更为Ni＝13和No＝17后的插入损耗的图。图3是在作为间隙的大小Gii＝0.55λ场合，用实线表示规定电极指的对数Ni＝No＝15的场合的插入损耗，用虚线表示电极指的对数变更为Ni＝13和No＝17的场合的插入损耗的图。图4表示在作为间隙的大小Gii＝0.55λ、Ni＝13和No＝17的表面波滤波器中，使间隙的大小Gri作各种变化的场合的插入损耗的变化的图。图5是用实线表示作为Gii＝0.55λ、Gri＝Gro＝0.46λ以及Ni＝No＝15的表面波滤波器的插入损耗，用虚线表示作为在图4所示的特性中Gri＝0.45λ的场合的图。图6是将Gii＝0.55λ、Gri＝Gro＝0.46λ以及Ni＝No＝15的场合的表面波滤波器的特性和Gii＝0.55λ、Gri＝0.445λ、Gro＝0.490λ、Ni＝13和No＝17的表面波滤波器的特性重叠表示的图。图7是表示在使Ni/No＝r变化的场合规定模式间隔与电极指的对数变更前同等的ΔGri的范围的图。图8表示在使Ni/No＝r变化的场合规定模式间隔与电极指的对数变更前同等的ΔGro的范围的图。图9表示在使Ni/No＝r变化的场合规定模式间隔与电极指的对数变更前同等的ΔGii的范围的图。图10是表示使Ni/No＝r变化，而且模式间隔被确保的场合的阻抗比Zi/Zo的变化的图。图11是表示使Ni/No＝r变化，而且模式间隔被确保的场合的阻抗比Zo/Zn的变化的图。图12是表示本发明的表面波滤波器的其它构造例的模式的平面图。图13是表示现有的表面波滤波器的一例的模式的平面图。
具体实施例方式
以下，通过参照
本发明的具体实施例，阐明本发明。
图1是表示涉及本发明的一个实施例的表面波滤波器的模式平面图。
本实施例的表面波滤波器1具有压电基片2。压电基片2由例如水晶等压电单晶、或PZT那样的压电陶瓷构成。另外，也可以通过在由压电材料和绝缘材料等组成的基片上形成ZnO等压电薄膜，构成压电基片2。
在压电基片2上沿着表面波传播方向使间隙隔开配置输入IDT3和输出IDT4。将IDT3、IDT4之间的间隙的大小规定为Gii。
另外，在输入IDT3和输出IDT4被设置的区域的表面波传播方向两侧配置第1、第2反射器5、6。反射器5、6由光栅型反射器构成。另外，反射器5、6以及UDT3、IDT 4由Al、W、Ta等合适的金属或将这些金属作为主要成分的合金构成。不过，最好使用比Al重的金属或将该金属作为主要成分的合金。作为这样的金属能够举出W、Ta、Au、Pt、Ag、Mo、Cu、Ni、Co、Cr、Fe、Mn、Ti等。
将输入IDT3和被配置在其外侧的第1反射器5之间的间隙的大小规定为Gri。另外，将输出IDT4及其外侧的第2反射器6之间的间隙的大小规定为Gro。
此外，在本说明书中，所谓间隙的大小规定叫做相邻电极的电极指中心之间距离。
本实施例的特征在于，输入IDT3的电极指的对数Ni和输出IDT4的电极指的对数No不相同，而且间隙的大小Gri和间隙的大小Gro不相同。象从后述的实验例表明的那样，在本实施例的表面波滤波器1中，由于象上述那样被构成，因此确保与作为Ni＝No且Gri＝Gro的虚拟的表面波滤波器同等的传送特性。
但是，由于Ni和No不相同，因此，例如在Ni＞No的场合，能够降低输入IDT3的阻抗，在Ni＜No的场合，能够降低输出IDT4的阻抗。即，不妨碍传送特性，能够调整输出输入阻抗。下面，根据具体的实验例说明之。
作为压电基片1，使用Y切割90°K传播水晶基片制作与表面波滤波器1同样的2IDT型的纵向耦合谐振器型滤波器。在图2中用实线表示使输入IDT的电极指的对数Ni和输出IDT的电极指的对数No相等的现有的表面波滤波器的特性。此处，Ni＝No＝15，并规定Gii＝0.5λ、Gri＝Gro＝0.55λ。
另一方面，由于谋求输出输入阻抗的调整，因此除将IDT的电极指的对数Ni规定为13、将输出IDT的电极指的对数No规定为17外，与现有的表面波滤波器相同构成参考例1的表面波滤波器。参考例的表面波滤波器的插入损耗变成如在图2中用虚线表示的那样。
象从图2所阐明的那样，在间隙的大小Gii＝0.5λ的场合，即使变更输入IDT和输出IDT的电极指的对数的平衡，用箭头A表示的基本模式和用箭头B表示的高阶模式的位置也几乎没有变化。
接着，将输入IDT和输出IDT之间的间隙的大小Gii规定为0.55λ，并在图3中用实线表示将输入IDT的电极指的对数和输出IDT的电极指的对数都规定为15的参考例2的表面波滤波器的插入损耗。另外，在该构造中，为了变更输出输入阻抗，在图3中用虚线表示将输入IDT的电极指的对数Ni变更为13，将输出IDT的电极指的对数No变更为17的参考例3的表面波滤波器的插入损耗。
象若比较图3的实线和虚线就明确的那样可知，在间隙的大小Gii＝0.55λ的场合，在使输入IDT和输出IDT的电极指的对数不相同的场合，基本模式和高阶模式的模式间隔将发生大的变化。即，可知在变更了电极指的对数的场合，通过模式间隔的变化不能将中心频率和带宽规定为与变更前的表面波滤波器同等。
但是，本申请发明者进一步研究的结果发现，即使在Gii是0.5λ的场合，通过调整间隙的大小Gri和Gro，也能将模式间隔规定为与电极指的对数变更前的模式间隔相同的状态。
图4规定Gii＝0.55λ、Gro＝0.46λ、电极指的对数Ni＝13、No＝17，并表示使输入IDT和第1反射器之间的间隙的大小Gri变化的场合的插入损耗。象从图4明确的那样可知，通过间隙的大小Gri的变化，模式间隔将被更换。
图5表示在图4所示的特性中间Gri＝0.445λ的场合的特性和对数变更前的同等的表面波滤波器的特性。在图5中，实线表示作为对数变更前的表面波滤波器，即，Gii＝0.55λ、Gri＝0.46λ、Gro＝0.46λ、Ni＝15和No＝15的表面波滤波器的特性，另外，虚线象上述那样，表示作为Gii＝0.55λ、Gri＝0.44λ、Gro＝0.46λ、Ni＝13和No＝17的表面波滤波器的特性。
象从图5明确的那样可知，用虚线表示的特性的模式间隔与电极指的对数变更前的模式间隔大致相同。不过，用虚线表示的特性的场合的中心频率和用实线表示的特性的场合的中心频率不相同。即，用虚线表示的特性的中心频率比电极指的对数变更前的表面波滤波器的、用实线表示的特性的中心频率高。
图6表示在图5中用虚线表示的特性的表面波滤波器中将Gro变更为0.49λ的场合的特性。另外，在图6中，将图5所示的实线的特性进行重叠表示。不过，在图6中，由于双方的表面波滤波器的频率特性大致相同，因此象只示出1个实线的特性那样被图示。
象从图6明确的那样可知，即使是Gii＝0.55λ，在使Ni和No不相同并使输出输入阻抗变化的场合，通过将Gri规定为0.445λ和将Gro规定为0.490λ，也能得到与电极指的对数Ni，No的变更前的表面波滤波器相同的传送特性。
在这种场合，阻抗对于电极指的对数变更前的输入一侧为600Ω、输出一侧为600Ω而言，在变更后，输入一侧变为730Ω和输出一侧变为500Ω。
即，象从图2～图6的结果明确的那样可知，若调整Gri和Gro，照原样一面确保输入IDT和输出IDT的电极指的对数Ni，No相等的场合的特性，一面使电极指的总对数保持恒定，即，不增大表面波滤波器的尺寸，通过使Ni和No不相同，就能变更输出输入阻抗。
接着，作为第2实施例，使用由Y-90° X水晶基片组成的压电基片，作为电极材料使用使用比Al重的W、Au、Ta、Pt、Ag、Mo、Cu、Ni、Co、Cr、Fe、Mn、Ti构成表面波滤波器。第2实施例的表面波滤波器的物理构造与图1所示的表面波滤波器1相同。
在第2实施例的表面波滤波器中，照原样使输入IDT3和输出IDT4之间的间隙的大小Gii在0.5λ～0.7λ的范围，将电极指的整个对数规定为恒定，使电极指的Ni和No有各种不同，对特性进行评价。即，除Ni＝No，且Gii＝0.55λ外，同样，将所构成的表面波滤波器作为基准，将全体电极指的对数照原样规定为恒定使电极指的对数Ni和No变化，调查使Ni和No变化的场合的特性的变化以便Ni变得比No大。将结果示于图7～图11中。
图7是在使输入IDT的电极指的对数Ni和输出IDT的电极指的对数No的比r变化的场合，表示象上述那样模式间隔是与变更前的相当的表面波滤波器同等的场合的ΔGri的范围的图。此外，ΔGri是Gri-Gr，Gr表示变更前的、即Ni/No＝1的表面波滤波器中的输入IDT和反射器之间的间隙的大小。
另外，图8是在使Ni/No变化的场合表示模式间隔与变更前同等的场合的ΔGro的范围的图。ΔGro在将对数变更前的表面波滤波器的输出IDT-反射器之间的间隙的大小规定为Gr的场合用Gro-Gr表示。
象从图7和图8明确的那样可知，在Ni＞No的场合，可以规定1.0≤r≤1.4、0≤ΔGri≤0.45λ以及-0.18λ≤ΔGro≤0。
图9同样是在使Ni/No变化的场合，表示模式间隔被维持的Gii的范围的图。象从图9明确的那样可知，在Ni≥No的场合，在1.0≤r≤1.4的场合，可以将ΔGii规定为0≤ΔGii≤0.2λ。
图10是表示(使Ni/No变化的场合的输入阻抗Zi)和(电极指对数变更前的表面波滤波器的阻抗Zn)的比的变化的图，图11是输出一侧阻抗Zo对对数变更前的表面波滤波器的输出一侧阻抗Zn的比的变化的图。
因此，象从图7～图11明确表示的那样可知，照原样将电极指的总对数规定为恒定，即，照原样不使表面波滤波器的大小变大，而且维持模式间隔，通过调整对数比r、Gri、Gro和Gii，就能调整输出输入阻抗。因此，若依据本实施例，在制造表面波滤波器1时，在Ni＞No的场合，为满足上述公式(1)～(8)，通过形成IDT3、4以及反射器5、6，能够制造小型化、具有认为是所希望的传送特性，而且能将输出输入阻抗设定为各种各样的值的表面波装置。
此外，若依据本申请发明者的实验，在Ni＜No的场合，若规定1.0≤1/r≤1.4、-0.18λ≤ΔGri≤0、0≤ΔGro≤0.45λ以及0＜ΔGii≤0.2λ，那么，同样确保不造成模式间隔的变更，能调整输出输入阻抗。
在上述第1、第2实施例中，以图1所示的表面波滤波器为例进行了说明，但本发明的表面波滤波器可以具有图1所示的表面波滤波器被多级纵向相连地连接的构造。
图12是表示多级构成的表面波滤波器的一例的模式的平面图。在图12所示的表面波滤波器11中，在压电基片上配置了第1、第2表面波滤表面波滤波器13、14。此处，第1表面波滤波器13与第1实施例的表面波滤波器1同样地被构成。因此，规定对于同一部分附加同一的参考号码。
另一方面，在第2表面波滤波器14中，与输入IDT14a的电极指的对数Ni比较，输出IDT14b的电极指的对数No将变大。关于其它之点与第1表面波滤波器13同样地构成第2表面波滤波器14。输出IDT4被连接到IDT14a，并纵向相连地连接表面波滤波器13、14。
因此，在表面波滤波器11中，由于表面波滤波器13的输入一侧IDT3被连接到输入端子，第2表面波滤波器14的输出一侧IDT14b被连接到输出端子，因此在2级纵向相连连接型的表面波滤波器11中，能够使输出输入阻抗变小。即，与现有的2级构成的输出输入IDT的电极指的对数相等的表面波滤波器比较，能够一面保持频带内传送特性，一面降低输出输入阻抗。
此外，与图12所示的表面波滤波器11相反，在2级构成的表面波滤波器11中，可以分别使被连接到输入端子的IDT3和被连接到输出端子的IDT14b的电极指的对数变得比IDT4和IDT14a的电极指的对数小。在这种场合，与表面波滤波器11相反，能够提高照原样使输出输入阻抗保持频带内传送特性的输出输入阻抗。
此外，在涉及本发明的表面波滤波器中，可以在纵向相连地连接3个以上的谐振器型表面波滤波器。
另外，在得到多级构成的表面波滤波器的场合，在全部谐振器型表面波滤波器中，按照本发明不需要使电极指的对数Ni和No不相同，在至少1个谐振器型表面波滤波器中可以使电极指的对数Ni和No不相同。
象以上那样，在涉及本发明的表面波滤波器中，对于作为Ni＝No且Gri＝Gro的表面波滤波器，一直使电极指的总对数恒定，能够确保同等的传送特性。而且，在本发明中，由于使Ni和No不相同，因此通过使Ni变得比No大，能够降低输入一侧阻抗，相反，通过使Ni变得比No小，能够降低输出一侧阻抗。因此，不会引起表面波滤波器的大型化，能够调整输出输入阻抗。
尤其是，为满足上述的公式(1)～公式(3)，并在Ni＜No的场合，若设定以便满足公式(5)～公式(8)，就能更进一步一直保持与上述虚拟的表面波滤波器的传送特性同等的传送特性，调整输出输入阻抗。
权利要求
1.种谐振器型的表面波滤波器，其特征在于，它具备压电基片，在所述压电基片上被形成，并在表面波传播方向使间隙隔开配置的输入IDT和输出IDT，以及在所述输入IDT和输出IDT被设置的区域的表面波传播方向外侧被配置的第1、第2反射器，在将所述输入IDT的电极指的对数规定为Ni，将输出IDT的电极指的对数规定为No，将所述输入IDT和第1反射器之间的间隔的大小规定为Gri，将所述输出IDT和所述第2反射器之间的间隔的大小规定的Gro时，为了具有与作为Ni＝No而且Gri＝Gro的虚拟的表面波滤波器同等的传送特性，使Ni和No不相同，而且使Gri和Gro不相同。
2.如权利要求1记载的表面波滤波器，其特征在于，在将所述虚拟的表面波滤波器的Gri和Gro规定为Gr时，它被构成以便使r＝Ni/No、ΔGri＝Gri-Gr、ΔGro＝Gro-Gr以及输入IDT和输出IDT之间的间隙的大小Gii满足下述的公式(1)～(4)或下述的公式(5)～(8)。公式1在Ni＞No的场合1.0＜r≤1.4…式(1)0＜ΔGri≤0.45λRef…式(2)-0.2λRef≤ΔGro＜0 …式(3)0.5λIDT≤Gii≤0.7λIDT…式(4)公式2在Ni＜No的场合1.0＜1/r≤1.4 …式(5)-0.2λRef≤ΔGri＜0…式(6)0＜ΔGro≤0.45λRef…式(7)0.5λIDT≤Gii≤0.7λIDT…式(8)
3.如权利要求1记载的多个表面波滤波器，其特征在于，它们被纵向相连地被连接，当在被纵向相连地被连接的多个表面波滤波器中间，将输入端一侧的表面波滤波器规定为第1表面波滤波器，将输出端一侧的表面波滤波器规定为第2表面波滤波器时，在第1表面波滤波器中，Ni＜No，在第2表面波滤波器中，Ni＞No。
4.如权利要求1记载的多个表面波滤波器，其特征在于，它们被纵向相连地被连接，当在被纵向相连地被连接的多个表面波滤波器中间，将输入端一侧的表面波滤波器规定为第1表面波滤波器，将输出端一侧的表面波滤波器规定为第2表面波滤波器时，在第1表面波滤波器中，Ni＜No，在第2表面波滤波器中，Ni＞No。
5.如权利要求1记载的表面波滤波器，其特征在于，所述输入IDT和输出IDT以及第1、第2反射器由比Al重的金属或将该金属作为主要成分的合金构成。
6.如权利要求1记载的表面波滤波器，其特征在于，所述压电基片是水晶基片。
7.一种表面波滤波器的制造方法是具备压电基片，在压电基片上沿着表面波传播方向使间隙隔开配置的输入IDT和输出IDT，以及在所述输入IDT和输出IDT被设置的区域的表面波传播方向外侧配置的第1、第2反射器的制造方法，其特征在于，它具备准备压电基片的工序，以及在所述压电基片上形成输入IDT和输出IDT以及第1、第2反射器的工序，通过在形成所述输入IDT和输出IDT以及第1、第2反射器时，使输入IDT的电极指的对数Ni和输出IDT的电极指的对数No不相同，而且使输入IDT和第1反射器之间的间隙Gri以及输出IDT和第2反射器之间的间隙Gro小相同，确保与作为Ni＝No和Gri＝Gro的虚拟的表面波滤波器同等的传送特性，并变更输出输入阻抗。
8.如权利要求7记载的表面波滤波器，其特征在于，在将所述虚拟的表面波滤波器的Gri和Gro规定为Gr时，它被构成以便使r＝Ni/No、ΔGri＝Gri-Gr、ΔGro＝Gro-Gr以及输入IDT和输出IDT之间的间隙的大小Gii满足下述的公式(1)～(4)或下述的公式(5)～(8)。公式3在Ni＞No的场合1.0＜r≤1.4 …式(1)0＜ΔGri≤0.45λRef…式(2)-0.2λRef≤ΔGro＜0…式(3)0.5λIDT≤Gii≤0.7λIDT…式(4)公式4在Ni＜No的场合1.0＜1/r≤1.4 …式(5)-0.2λRef≤ΔGri＜0…式(6)0＜ΔGro≤0.45λRef…式(7)0.5λIDT≤Gii≤0.7λIDT…式(8)
全文摘要
本发明提供一种谐振器型表面波滤波器，它能够变更一直不引起传送特性的变化，而且将电极指的总对数规定为恒定的输出输入阻抗。该谐振器型的表面波滤波器1在压电基片2上形成输入IDT3，输出IDT4，以及第1、第2反射器(5、6)，在将输入IDT的电极指的对数规定为Ni，将输出IDT的电极指的对数规定为No，将输入IDT3和第1反射器5之间的间隙的大小规定为Gri，将输出IDT4和第2反射器6之间的间隙的大小规定为Gro时，为了具有与作为Ni＝No且Gri＝Gro的虚拟的表面波滤波器同等的传送特性，使Ni和No不相同，而且使Gri和Gro不相同。
文档编号H03H3/08GK1487667SQ03154388
公开日2004年4月7日 申请日期2003年8月21日 优先权日2002年8月21日
发明者玉崎大辅, 中尾武志, 志 申请人:株式会社村田制作所