压控振荡器的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种压控振荡器，包括：输入PMOS管、电流镜电路、全差分环形振荡器和差分转单端电路，其中，所述输入PMOS管的栅极适于输入所述压控振荡器的控制电压，所述电流镜电路的输出端连接所述输入PMOS管的源极和所述全差分环形振荡器的正电源端，所述全差分环形振荡器的输出端连接所述差分转单端电路的输入端，其特征在于，所述压控振荡器还包括适于控制所述全差分环形振荡器的负电源端电压随所述控制电压升高而降低的电压调节单元；其中，所述电压调节单元包括第一NMOS管；所述第一NMOS管的栅极适于输入所述控制电压，所述第一NMOS管的漏极连接所述全差分环形振荡器的负电源端，所述第一NMOS管的源极接地。2.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，还包括：适于将所述控制电压降低后输入所述输入PMOS管栅极的电平下移电路。3.根据权利要求2所述的压控振荡器，其特征在于，所述电平下移电路包括第一源级跟随器和偏置电路；所述第一源级跟随器包括第二NMOS管和第三NMOS管，所述第二NMOS管的栅极适于接收所述控制电压，所述第二NMOS管的漏极适于输入所述压控振荡器的电源电压，所述第二NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极和所述输入PMOS管的栅极，所述第三NMOS管的源极接地；所述偏置电路适于提供所述第三NMOS管的栅极的偏置电压。4.根据权利要求3所述的压控振荡器，其特征在于，所述第一源级跟随器还包括电阻，所述第二NMOS管的源极通过所述电阻连接所述第三NMOS管的漏极和所述输入PMOS管的栅极。5.根据权利要求3所述的压控振荡器，其特征在于，所述电平下移电路还包括第二源级跟随器，所述第二NMOS管的源极通过所述第二源级跟随器连接所述输入PMOS管的栅极；所述第二源级跟随器包括第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的源极，所述第四NMOS管的漏极 适于输入所述压控振荡器的电源电压，所述第四NMOS管的源极连接所述输入PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的源极接地；所述偏置电路还适于提供所述第五NMOS管的栅极的偏置电压。6.根据权利要求3所述的压控振荡器，其特征在于，所述偏置电路包括第六NMOS管和第一PMOS管；所述第六NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第三NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极，所述第六NMOS管的源极接地；所述第一PMOS管的栅极连接所述电流镜电路中的参考电流源，所述第一PMOS管的源极适于输入所述压控振荡器的电源电压。7.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述电流镜电路包括参考晶体管、镜像晶体管和参考电流源；所述参考晶体管的第一电极与所述镜像晶体管的第一电极连接并适于输入所述压控振荡器的电源电压，所述参考晶体管的第二电极和栅极连接并连接所述镜像晶体管的栅极和所述参考电流源的一端；所述参考电流源的另一端接地；所述镜像晶体管的第二电极作为所述电流镜电路的输出端。8.根据权利要求7所述的压控振荡器，其特征在于，所述参考晶体管和镜像晶体管均为PMOS管；所述参考晶体管的第一电极为PMOS管的源极，所述参考晶体管的第二电极为PMOS管的漏极；所述镜像晶体管的第一电极为PMOS管的源极，所述镜像晶体管的第二电极为PMOS管的漏极。9.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述全差分环形振荡器包括至少三个串接的反相器；每个反相器的正电源端相连并作为所述全差分环形振荡器的正电源端，每级反相器的负电源端相连并作为所述全差分环形振荡器的负电源。