偏置有效可见阻抗负载的具有信号跟随器控制的高速开关的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种信号开关电路，其特征在于，包括：数据链路，包括初级通道，初级通道可切换地可连接于至少两个次级通道；基于FET的开关，包括FET晶体管，FET晶体管具有栅极端、背栅端、源极端和漏极端，基于FET的开关配置为在栅极端响应控制信号而运行于信号通过模式，在信号通过模式中，通过在源极端和漏极端之间将信号的第一部分耦合，以及由于与基于FET的开关相关的固有电容上的交流耦合而分流交流信号的另一部分，从而在源极端和漏极端之间通过交流信号，和运行于另一模式，在所述另一模式中源极端与漏极端之间的信号传输被实质性阻断；偏置电路，配置为以跟随器信号偏置FET晶体管的背栅端，并抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载；以及衬底，其中与基于FET的开关相关的固有电容由直流电压偏置通过电阻被抵消，电阻位于为传输到背栅端的电流的串联电阻路径中，从而为背栅端提供高通滤波器。2.如权利要求1所述的信号开关电路，其特征在于：固有电容分别导致到基于FET的开关的栅邻近侧、以及到基于FET的开关的离衬底更近另一侧的交流耦合，其中偏置电路进一步配置为通过信号驱动器电路来驱动背栅端，以利用驱动背栅端来偏置FET晶体管的背栅端。3.如权利要求1所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括控制器电路，控制器电路配置为在栅极端选择性地生成控制信号，以控制工作模式和控制致动电压施加到偏置电路上，从而根据受控的工作模式在背栅端上选择性地发生电压偏置。4.如权利要求1所述的信号开关电路，其特征在于，偏置电路进一步配置为通过被动地偏置背栅端来偏置FET晶体管的背栅端；或通过进一步地包括直流偏置信号，直流偏置信号电性地耦合以向背栅端提供直流电压偏置，从而助利于抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载。5.如权利要求1所述的信号开关电路，其特征在于，偏置电路进一步配置为通过被动地将背栅端向参考电压偏置，从而从源极端向漏极端所看到的有效地使信号负载的阻抗影响由与基于FET的开关有关的固有电容所引起的负载的抵消，以偏置FET晶体管的背栅端。6.如权利要求1所述的信号开关电路，其特征在于，偏置电路进一步配置为通过信号驱动电路来驱动背栅端，以利用驱动背栅端来偏置FET晶体管的背栅端。7.如权利要求1所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括P型衬底和其中的P型电阻区，P型电阻区配置为通过电流，以在位于相邻于P型衬底的P型阱区中的背栅端上发生直流电压偏置，从而助利于抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载。8.如权利要求1所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括电阻，电阻配置为通过电流，以在位于隔离阱区中的背栅端上发生直流电压偏置，从而助利于抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载。9.如权利要求1所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括衬底、第一电阻和第二电阻；第一电阻配置为通过电流，以向位于隔离阱区中的背栅端提供直流电压偏置，从而助利于抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载；第二电阻配置为偏置N型隔离层，N型隔离层在P型阱区下围绕着P型阱区，其包括背栅端以将P型阱区与衬底隔离，从而有利于降低在高频的信号的负载。10.如权利要求9所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括深N阱区，深N阱区配置为与P型阱区形成结，背栅端在P型阱区中接收由第一电阻传输的电流，以发生直流电压偏置，其中第二电阻配置为向深N阱区传输电流以向深N阱区中提供另一直流偏置电压。11.一种信号开关电路，其特征在于，包括：复用器，配置为可切换地连接数据链路，数据链路包括初级通道与两个次级通道；衬底；对于每个通道，基于FET的开关包括FET晶体管，FET晶体管包括栅极端、背栅端、源极端和漏极端，该基于FET的开关配置为在栅极端响应控制信号而运行于信号通过模式，在信号通过模式中，通过在源极端和漏极端之间将信号的第一部分耦合，以及由于与基于FET的开关相关的固有电容上的交流耦合而分流交流信号的另一部分，从而在源极端和漏极端之间通过交流信号，和运行于另一模式，在所述另一模式中源极端与漏极端之间的信号传输被实质性阻断；偏置电路，配置为以跟随器信号偏置FET晶体管的背栅端，其中，响应于在栅极端的控制信号，所述初级通道连接所述数据链路的两个次级通道中的一个，偏置电路偏置FET晶体管的背栅端以抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载；以及衬底，其中与基于FET的开关相关的固有电容通过电阻由直流电压偏置被抵消，电阻位于为传输到背栅端的电流的串联电阻路径中，从而为背栅端提供高通滤波器。12.如权利要求11所述的信号开关电路，其特征在于：跟随器信号追踪于交流信号的第一部分，并进一步包括直流偏置信号，直流偏置信号电性地耦合以在背栅端发生直流电压偏置，并从而助利于抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载。13.如权利要求11所述的信号开关电路，其特征在于：固有电容分别导致到基于FET的开关的栅邻近侧、以及到基于FET的开关的离衬底更近另一侧的交流耦合。14.如权利要求11所述的信号开关电路，其特征在于：偏置电路进一步配置为通过信号驱动电路以跟随器信号来驱动背栅端，以利用驱动背栅端来偏置FET晶体管的背栅端。15.如权利要求11所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括衬底和电阻，电阻配置为通过电流，以在位于邻近衬底的隔离阱区中的背栅端上发生直流电压偏置，从而助利于抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载。16.如权利要求11所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括电阻，电阻配置为通过电流，以在位于隔离阱区中的背栅端上发生直流电压偏置，从而助利于抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载。17.如权利要求11所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括第一电阻和第二电阻；第一电阻配置为通过电流，以向位于隔离阱区中的背栅端提供直流电压偏置，从而助利于抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载；并进一步包括深N阱区，深N阱区配置为与P型阱区形成结，P型阱区包括背栅端；第二电阻配置为向深N阱区传输电流以向深N阱区中提供另一直流偏置电压。18.如权利要求17所述的信号开关电路，其特征在于，进一步包括电荷泵，电荷泵配置为向深N阱区提供偏置电压。19.如权利要求18所述的信号开关电路，其特征在于：进一步包括电荷泵，电荷泵配置为通过第二电阻向深N阱区提供偏置电压，所述偏置电压高于信号开关电路的正供电电压。20.如权利要求17所述的信号开关电路，其特征在于：进一步包括电荷泵，电荷泵配置为向包含背栅端的P型阱区提供偏置电压。21.如权利要求20所述的信号开关电路，其特征在于：通过电荷泵提供的偏置电压为负电压。