一种高带外抑制的滤波器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种高带外抑制的滤波器，其特征在于，包括：顶面和底面，且所述顶面和底面之间开设有两通孔，且位于底面的两通孔口处设有一凹陷区。本滤波器在不增加孔数和产品体积的基础上能够实现滤波器高抑制；并且简化电路面的设计，去掉整个电路的印刷，将两通孔之间直接耦合形成通带，并且免涂敷银层已达到节省了成本，简化的工艺的目的。
【专利说明】一种高带外抑制的滤波器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种滤波器，尤其涉及一种双孔陶瓷介质滤波器。
【背景技术】
[0002]目前市场上面的两孔陶瓷介质滤波器的设计大体上都是:在一个陶瓷块上面开设有两个通孔，从陶瓷块的一面贯穿到与之相平行的另一面，在两孔的一个端面印刷滤波电路，在与电路相邻的一边印刷在输入输出电极，形成电极面，所述电极面与孔的排列方面平行，除电极与电路面外围面之外，其它面以及所述两孔孔内壁均用银涂敷，整个陶瓷块六面皆为平面(具体参考如图1所示，其中，(a)图为现有技术的两孔陶瓷介质滤波器的主视图，(b)图为滤波器反面的结构示意图。)，陶瓷块的孔数直接决定其电路设计的灵活性以及复杂程度，目前市场上面对于介质滤波器的要求正趋向于电气指标严格化体积小型化，但目前两孔滤波器的设计往往很难做到这一点，特别是对于滤波器通带的高边的带外抑制一般都不是很好。
[0003]因此，如何设计一种滤波器，使其在通带的高边具有良好的带外抑制性能是本领域的技术难题。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是提供一种高带外抑制的滤波器，该滤波器解决了传统的两孔陶瓷介质滤波器带外抑制性能低的技术问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高带外抑制的滤波器，包括:顶面和底面，且所述顶面和底面之间开设有两通孔，且位于底面的两通孔口处设有凹陷区。
[0006]进一步，所述凹陷区分别设于两通孔口的四周边沿，以形成相应的阶梯孔。
[0007]进一步，所述凹陷区为在两通孔口之间开设的凹槽。
[0008]进一步，所述凹陷区均涂敷银层。
[0009]进一步，为了简化电路面的设计，去掉整个电路的印刷，即在两通孔之间直接耦合形成通带；所述滤波器的滤波电路的电路面未涂敷有银层，使滤波电路开路。
[0010]本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:(I)在不增加孔数和产品体积的基础上能够实现滤波器高抑制；(2)简化电路面的设计，去掉整个电路的印刷，将两通孔之间直接耦合形成通带，并且免涂敷银层已达到节省了成本，简化的工艺的目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中
[0012]图1是现有技术中滤波器的结构示意图；
[0013]图2是滤波器的第一种实施方式的底面结构示意图；
[0014]图3是滤波器的第一种实施方式的滤波器的剖面图；
[0015]图4是滤波器的第二种实施方式的底面结构示意图；
[0016]图5是滤波器的第二种实施方式的滤波器的剖面图；
[0017]图6是未设有凹陷区的滤波器所形成的通频带；
[0018]图7是所述高带外抑制的滤波器所形成的通频带。
[0019]其中，顶面1、底面2、银层101、通孔102、凹陷区201、凹槽202。
【具体实施方式】
[0020]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合【具体实施方式】并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本实用新型的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本实用新型的概念。
[0021]图2示出了滤波器的第一种实施方式的底面结构示意图。
[0022]图3示出了滤波器的第一种实施方式的滤波器的剖面图。
[0023]图4示出了滤波器的第二种实施方式的底面结构示意图。
[0024]图5示出了滤波器的第二种实施方式的滤波器的剖面图。
[0025]如图2至图5所示，一种高带外抑制的滤波器，包括:顶面I和底面2，且所述顶面I和底面2之间开设有两通孔102，且位于底面2的两通孔102 口处设有凹陷区201。
[0026]所述凹陷区采用如下两种结构。
[0027]如图2和图3所示，可选的，所述凹陷区201分别设于两通孔102 口的四周边沿，以形成相应的阶梯孔。
[0028]如图4和图5所示，可选的，所述凹陷区201为在两通孔102 口之间开设的凹槽202。
[0029]进一步，所述凹陷区201均涂敷银层。
[0030]进一步，位于通孔102中的滤波电路的电路面未涂敷有银层，使滤波电路处于开路状态，此时，两通孔102之间直接耦合形成通带，并且免涂敷银层已达到节省了成本，简化的工艺的目的。
[0031]图6示出了未设有凹陷区的滤波器所形成的通频带。
[0032]图7示出了所述高带外抑制的滤波器所形成的通频带。
[0033]从图6和图7相对比可知，图4中显示910MHZ时只能达到20DB左右，而图5显示在910MHZ时，产生了一个陷波点，即达到27.311DB，使抑制比常规的更好。
[0034]应当理解的是，本实用新型的上述【具体实施方式】仅仅用于示例性说明或解释本实用新型的原理，而不构成对本实用新型的限制。因此，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。此外，本实用新型所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
【权利要求】
1.一种高带外抑制的滤波器，其特征在于，包括:顶面和底面，且所述顶面和底面之间开设有两通孔，且位于底面的两通孔口处设有凹陷区。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述凹陷区分别设于两通孔口的四周边沿，以形成相应的阶梯孔。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述凹陷区为在两通孔口之间开设的凹槽。
4.根据权利要求1-3任一所述的滤波器，其特征在于，所述凹陷区均涂敷银层。
5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器的滤波电路的电路面未涂敷有银层，使滤波电路开路。
【文档编号】H03H9/46GK204168260SQ201420531643
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年9月16日 优先权日:2014年9月16日
【发明者】朱田中, 倪玉荣 申请人:张家港保税区灿勤科技有限公司