本发明涉及到IGBT驱动保护领域，特别涉及电磁炉IGBT开机保护。
背景技术：
随着技术的发展，消费者对家电产品可靠性要求越来越高，在电磁炉日益普及的今天，各种IGBT开机保护电路也层出不穷，使电磁炉的可靠性越来越高。
在现有的技术中，很多IGBT开机保护电路是通过外部附加电路来实现的，这些电路不仅可靠性不够，而且带来附加成本。
本发明借鉴于以上问题，结合相关领域的设计及专业经验，针对电磁炉IGBT器件提出了基于驱动芯片来保护IBGT的方法，使电磁炉IGBT的控制更加简单，可靠。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决电磁炉控制系统在上电期间，MCU必须有一段上电复位时间，在此上电复位时间期间，若不对IGBT提供保护，将可能使IGBT长时间导通过流而损坏。为此，系统必须在上电期间对IGBT加以保护。
为了达到上述的目的，本发明提供一种在IGBT驱动芯片中提供上电复位期间保护IGBT的方法，包括如下步骤：
1、在上电期间，产生一低电平复位信号，经过一定时间后，复位信号变为高电平信号，在低电平复位期间，芯片将关闭IGBT，以达到开机保护IGBT的目的；
2、将低电平复位信号与MCU控制IGBT的信号相与非而产生新的控制信号；
3、将新的控制信号处理及电平移位，使其直接控制IGBT，同时在处理电路中，使输出信号在复位信号为低电平“0”时，输出为低电平，在复位信号为高电平“1”时，仅跟随MCU控制信号变化。
附图说明
图1为实施方案原理框图。
图中同相端A，反相端B均为来自MCU控制信号，不同驱动方式时，接入信号不同，具体接入方法在具体实施方式中描述。
具体实施方式
以下是本发明的实施方案，由于在电磁炉控制系统中，有MCU输出高电平时开启IGBT和MCU输出低电平时开启IGBT两种方式；因此，此说明书中将MCU高电平和低电平开启IGBT两种方式集中在一起描述说明，如果将驱动芯片做为MCU高电平开启IGBT和MCU低电平开启IGBT两种独立的芯片，亦在该专利保护之列。该发明的发明点在于图1中F信号的产生。
一、MCU高电平输出信号开启IGBT方式：
001、在MCU高电平输出信号开启IGBT方式下，信号由同相端A接入，反相端B悬空不接；
002、在上电期间，复位信号C为一低电平，经过一定时间(约200毫秒)后，复位信号C变为高电平信号；
003、将复位信号C与控制信号D及E相与非而产生新的控制信号F；
004、将新的控制信号F电平移位产生新的控制信号G，控制信号F在VCC(一般情况为5V)电平时，控制信号G输出为VDD(一般情况为15V)，控制信号F在0电平时，控制信号G输出为0电平，以控制IGBT。
二、MCU低电平输出信号开启IGBT方式：
005、在MCU低电平输出信号开启IGBT方式下，信号由反相端B接入，同相端A悬空不接；
006、在上电期间，复位信号C为一低电平，经过一定时间(约200毫秒)后，复位信号C变为高电平信号；
007、将复位信号C与控制信号D及E相与非而产生新的控制信号F；
008、将新的控制信号F电平移位产生新的控制信号G，控制信号F在VCC(一般情况为5V)电平时，控制信号G输出为VDD(一般情况为15V)，控制信号F在0电平时，控制信号G输出为0电平，以控制IGBT。