1.一种LVDS高速I/O接口电路，其特征是：所述LVDS电路由驱动器和接收器以及终端匹配电阻组成，M1，M2，M3和M4是尺寸工艺相同的NMOS管开关，驱动器的输出接在阻值为100Ω的终端电阻，构成回路。
2.根据权利要求1所述的一种LVDS高速I/O接口电路，其特征是：所述LVDS高速I/O接口电路采用电流源模式驱动电路，根据电流源电路的不同，LVDS驱动器电路有多种驱动电路结构常用的有单电流源模式、双电流源模式和电压模式，单电流源模式需要较大的电阻R，采用传输管逻辑实现的电压驱动模式电路，需要较复杂的偏置电路来产生偏置电压。
3.根据权利要求1所述的一种LVDS高速I/O接口电路，其特征是：所述双电流源模式中电阻较小，并且提供的恒定电流比单电流源模式更稳定，还可以对NMOS相对于PMOS管的共模偏移提供一定的补偿双电流源模式中，PMOS管M1和M2及NMOS管M3和M4分别构成两个电流镜它们共同为输出提供恒定电流，适当调整器件的尺寸，可使电流源电流为3.5mA。
4.根据权利要求1所述的一种LVDS高速I/O接口电路，其特征是：所述inl和in2是一对差分CMOS输入信号幅度从Vss到Vdd仿真用的是TSMC2.5V的模型文件，因此这里Vdd为2.5V。
5.根据权利要求1所述的一种LVDS高速I/O接口电路，其特征是：所述M2，M4和R组成偏置电路产生偏置电流，再通过电流镜将偏置电流映射到MI和M3的漏极，给驱动电路提供工作电流当inl为逻辑高时，M5和M8导通，M6和M7截止，电流流过M5，从outl输出，经过100Ω的终端电阻后再从out2输入，流经M8后，进入电流沉M3，构成一个回路。
6.根据权利要求1所述的一种LVDS高速I/O接口电路，其特征是：所述LVDS接收电路核心部分是一电流推挽CMOS运放，inl和in2为LVDS输入信号，经过运算放大器放大后由反向器整形输出CMOS信号。