1.一种高精度高集成度的X波段幅相控制芯片，其特征在于，包括90°功分器(1)、第一压控衰减器(2)、第二压控衰减器(3)、合成器(4)、第一数控衰减器(5)和第二数控衰减器(6)；
射频信号输入所述第一数控衰减器(5)的输入端；所述第一数控衰减器(5)的输出端连接于所述第二数控衰减器(6)的输入端；所述第二数控衰减器(6)的输出端连接于90°功分器(1)的输入端；90°功分器(1)的两个输出端分别接入所述第一压控衰减器(2)的输入端和所述第二压控衰减器(3)的输入端；所述第一压控衰减器(2)的输出端和所述第二压控衰减器(3)的输出端分别连接于所述合成器(4)的两个输入端；所述合成器(4)的输出端输出射频信号。
2.如权利要求1所述的高精度高集成度的X波段幅相控制芯片，其特征在于，所述90°功分器(1)包括第一Lange耦合器(ACoupler1)；第一Lange耦合器(ACoupler1)的输入端作为所述90°功分器(1)的输入端；第一Lange耦合器(ACoupler1)的两个引出端分别作为所述90°功分器(1)的两个输出端。
3.如权利要求1所述的高精度高集成度的X波段幅相控制芯片，其特征在于，所述第一压控衰减器(2)和所述第二压控衰减器(3)的结构相同；所述第一压控衰减器(2)包括四个Lange耦合器(ACoupler2～ACoupler5)；四个Lange耦合器(ACoupler2～ACoupler5)中，每个Lange耦合器的引出端连接其相邻的另一个Lange耦合器的引出端，四个Lange耦合器(ACoupler2～ACoupler5)按序依次相连接成为口字形；第三Lange耦合器(ACoupler3)和第五Lange耦合器(ACoupler5)的每个输入端均分别连接有一个压控开关(JFET1～JFET4)；第二Lange耦合器(ACoupler2)的输入端作为压控衰减器的输入端；第四Lange耦合器(ACoupler2)的输入端作为压控衰减器的输出端。
4.如权利要求1所述的高精度高集成度的X波段幅相控制芯片，其特征在于，所述合成器(4)为Wilkinson合成器。
5.如权利要求1所述的高精度高集成度的X波段幅相控制芯片，其特征在于，所述第一数控衰减器(5)为16dB衰减器；所述第一数控衰减器(5)为π形衰减器。
6.如权利要求5所述的高精度高集成度的X波段幅相控制芯片，其特征在于，所述第一数控衰减器(5)包括π形电阻网络和与所述π形电阻网络相并联的直通路径；所述直通路径为一相串联的电阻组成的支路；所述支路的两端均连接有一个压控开关；还包括控制电路(7)，所述控制电路(7)控制压控开关的栅极电压。
7.如权利要求1所述的高精度高集成度的X波段幅相控制芯片，其特征在于，所述第二数控衰减器(6)为0.5db、1db衰减器；所述第二数控衰减器(6)为π形衰减器。
8.如权利要求7所述的高精度高集成度的X波段幅相控制芯片，其特征在于，所述第二数控衰减器(6)包括π形电阻网络，所述π形电阻网络包括一横向电阻和两个纵向电阻；所述横向电阻的两端分别串联有一个压控开关；还包括控制电路(7)，所述控制电路(7)控制压控开关的栅极电压。