本发明的多个方式涉及有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置。本申请要求基于2015年12月3日在日本提出申请的特愿2015-236929号的优先权，在此引用其内容。
背景技术：
：一直以来，有机电致发光元件(有机EL元件)作为次世代显示技术的候补而不断被开发。有机EL元件存在发光效率低的问题。为了改善该情况，有在制作于基板侧的凹部内形成反射层以提高光取出效率的方法。在反射电极与有机层和透明电极层之间需要形成用于填充凹部的树脂层(填充层)，存在制造工序数增加和在树脂层产生膜厚不均等的问题。此外，树脂层在相邻的子像素彼此间的广区域中也被形成，因此膜厚变厚。于是，减少在凹部以外的区域存在的树脂层时，需要处理时间，且发生膜厚不均。此外，当形成树脂层时树脂材料的涂敷量多时，成为成形精度下降的原因。因此，虽然也存在增加旋转涂敷的转速使涂层膜厚变薄的方法，但这存在极限。在专利文献1中记载了具有支承基板、在支承基板上分别作为独立的显示像素发出光的多个有机EL元件和将从多个有机EL元件向支承基板侧发出的光反射的光反射层的结构。特别是，光反射层具有多个凹部，该多个凹部与多个有机EL元件隔着光透过性绝缘膜分别分开，使反射光朝向各自对应的有机EL元件。利用该结构，能够有效地利用从显示元件发出的光。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-62400号公报技术实现要素：发明要解决的技术问题在现有的结构中，采用为了反射有机EL元件的光而具有反射层，在凹部与有机EL元件之间隔着多个光透过性绝缘膜的构造，在该树脂层的成形工序时膜厚变厚。当树脂层的膜厚变厚时，存在向横向散射的光变多，光取出效率下降的问题。本发明的一个方式是，鉴于上述现有技术的问题点而提出，其目的在于提供能够缩短制造工艺并且能够提高光的取出效率的有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置。用于解决问题的技术方案本发明的一个方式的有机电致发光装置具有：基材；设置在上述基材上，在上表面设置有凹部的绝缘层；和发光元件，其具有：至少设置于上述凹部的表面的反射层；隔着上述反射层填充于上述凹部的内侧的具有光透过性的填充层；至少设置于上述填充层的上层侧的具有光透过性的第一电极；设置于上述第一电极的上层的至少包含发光层的有机层；设置于上述有机层的上层侧的具有光透过性的第二电极；和至少覆盖上述第一电极的端部的边缘覆盖层，具有相互被分割开的多个单位发光区域，在相邻的上述单位发光区域彼此之间的上述绝缘层设置有挖入部，在上述挖入部的内侧至少设置有上述填充层。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，上述凹部的位置上的上述填充层的上表面位于比包含上述反射层的上表面的平面靠上方的位置。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，上述凹部的位置上的上述填充层的上表面位于比包含上述反射层的上表面的平面靠下方的位置。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，在上述挖入部的位置，上述基材经由形成于上述绝缘层的第一贯通孔露出。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，在上述挖入部的内侧设置有覆盖上述反射层和上述第一电极的端部的边缘覆盖层。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，上述反射层的端部以位于上述挖入部的内侧的方式形成。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，具有能够对每个上述单位发光区域独立地进行发光控制的有源元件。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，在上述挖入部的内侧，上述有源元件的电极配线和上述反射层隔着绝缘膜设置。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，上述基材经由形成于上述电极配线的第二贯通孔露出。本发明的一个方式的有机电致发光装置中可以是，上述挖入部的宽度大于上述凹部的直径。本发明的一个方式的有机电致发光装置的制造方法包括：在设置在基材上的绝缘层形成凹部和挖入部的工序；至少沿上述凹部的表面形成反射层的工序；在上述凹部的内侧隔着上述反射层形成具有光透过性的填充层的工序；至少在上述填充层的上层侧形成具有光透过性的第一电极的工序；在上述第一电极的上层侧形成至少包含发光层的有机层的工序；和在上述有机层的上层侧形成具有光透过性和光透过性和光反射性的第二电极的工序，在形成上述凹部和上述挖入部的工序中，在相互被分割开的上述单位发光区域内形成上述凹部，在相邻的上述单位发光区域彼此之间形成上述挖入部。本发明的一个方式的有机电致发光装置的制造方法可以是，在形成上述填充层的工序中，对在上述基材上形成的光透过性树脂膜实施灰化处理，使上述凹部和上述挖入部的位置上的上述反射层的至少一部分露出的制造方法。本发明的一个方式的有机电致发光装置的制造方法可以是，在形成上述挖入部的工序中，使上述挖入部的位置上的上述绝缘层的膜厚方向贯通的上述制造方法。本发明的一个方式的有机电致发光装置的制造方法可以是，具有在上述基材上形成能够对每个上述单位发光区域独立地进行发光控制的有源元件的工序，在该工序中，使上述挖入部的位置上的上述有源元件的电极配线的膜厚方向贯通的制造方法。本发明的一个方式的照明装置具有：基材；设置在上述基材上，在上表面设置有凹部的绝缘层；和发光元件，其具有：至少设置于上述凹部的表面的反射层；隔着上述反射层填充于上述凹部的内侧的具有光透过性的填充层；至少设置于上述填充层的上层侧的具有光透过性的第一电极；设置于上述第一电极的上层的至少包含发光层的有机层；设置于上述有机层的上层侧的具有光透过性的第二电极；和至少覆盖上述第一电极的端部的边缘覆盖层，具有相互被分割开的多个单位发光区域，在相邻的上述单位发光区域彼此之间的上述绝缘层设置有挖入部，在上述挖入部的内侧至少设置有上述填充层。本发明的一个方式的显示装置具有：基材；设置在上述基材上，在上表面设置有凹部的绝缘层；和发光元件，其具有：至少设置于上述凹部的表面的反射层；隔着上述反射层填充于上述凹部的内侧的具有光透过性的填充层；至少设置于上述填充层的上层侧的具有光透过性的第一电极；设置于上述第一电极的上层的至少包含发光层的有机层；设置于上述有机层的上层侧的具有光透过性的第二电极；和至少覆盖上述第一电极的端部的边缘覆盖层，具有相互被分割开的多个单位发光区域，在相邻的上述单位发光区域彼此之间的上述绝缘层设置有挖入部，在上述挖入部的内侧至少设置有上述填充层。发明效果根据本发明的多个方式，能够提供能够缩短制造工艺并且能够提高光的取出效率的有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置。附图说明图1是表示第一实施方式的有机EL装置的显示区域的图。图2是表示第一实施方式的有机EL装置的1个像素的平面图。图3是放大表示图2的子像素的一部分的平面图。图4是表示子像素间的结构的图，是沿图2的A-A’线的截面图。图5A是表示子像素内的凹部构造的详情的截面图。图5B是表示有机EL装置的具体的结构例的图。图6A是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的第一图。图6B是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的第二图。图6C是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的第三图。图6D是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的第四图。图7A是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的第一图。图7B是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的第二图。图7C是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的第三图。图8A是表示在发光区域设置有凹部构造的比较例的有机EL元件的截面图。图8B是表示在发光区域的凹部构造和非发光区域设置有挖入构造的实施例的有机EL元件的图。图9是局部表示第二实施方式的有机EL装置的子像素间构造的截面图。图10是局部放大表示第二实施方式的有机EL装置的凹部构造的部分截面图。图11是局部放大表示第二实施方式的有机EL装置的挖入构造的部分截面图。图12A是表示第二实施方式的制造方法的一部分(填充层形成工序)的第一图。图12B是表示第二实施方式的制造方法的一部分(填充层形成工序)的第二图。图13A是表示实施例的结构的图。图13B是表示比较例的结构的图。图14是局部表示第三实施方式的有机EL装置的子像素间构造的截面图。图15(A)、(B)是用于说明挖入构造的制造方法的图。图16是局部表示第四实施方式的有机EL装置的子像素间构造的截面图。图17是表示第四实施方式的有机EL装置的发光光谱的图表。具体实施方式以下，说明作为本发明的一实施方式的有机电致发光装置(有机EL装置)。本发明的各实施方式的有机EL装置是采用微腔共振构造的顶部出射方式的有机EL装置的一个例子。另外，在以下的各附图中，为了使各构成要素容易看到，根据不同的构成要素使尺寸的比例尺不同而进行表示。此外，光的取出方向是附图的上方。[第一实施方式]首先说明第一实施方式的有机EL装置。图1是表示第一实施方式的有机EL装置的显示区域的图。图2是表示第一实施方式的有机EL装置的1个像素的平面图。图3是放大表示图2的子像素的一部分的平面图。图4是表示子像素间的结构的图，是沿图2的A-A’线的截面图。本实施方式的有机EL装置(有机电致发光装置、照明装置、显示装置)100，如图1所示，具有相互被分割开的多个单位发光区域11。此处，具有包括与RGB对应的多个单位发光区域11的显示区域10。各单位发光区域11沿y轴条状地延长，沿x轴按RGB的顺序反复排列。图1中，表示了RGB的各单位发光区域11条状排列的例子，但本实施方式并不限定于此，RGB的各单位发光区域11的排列能够为马赛克排列、三角排列等现有技术中公知的RGB像素排列。RGB的各单位发光区域11能够用作通过同时射出红色光、绿色光、蓝色光而生成白色光的照明装置。但是，有机EL装置100的用途并不限定于照明装置。例如，在使与红色、绿色、蓝色对应的各单位发光区域11分别为图2所示的红色的子像素11R、绿色的子像素11G、蓝色的子像素11B，由这些3个子像素11R、11G、11B构成1个像素的显示装置，能够应用有机EL装置100。另外，在不区别子像素11R、11G、11B时，仅表示为子像素11。此处，作为一个例子，各子像素11的尺寸全部相同，为0.078mm×0.026mm，1个像素P的尺寸为90μm×90μm。在各子像素11R、11G、11B形成有多个图3所示的俯视圆形的凹部9。凹部9的直径φ例如为5～7μm左右。多个凹部9以7μm节距在纵横方向上规则地配置，成为格子状。凹部9的密度是，多个凹部9的全面积在子像素11内的发光区域U所占的比例为70％左右。本实施方式的有机EL装置100，如图4所示，具有显示面板(未图示)，该显示面板包括：TFT阵列基板101；对显示区域中的多个子像素11以规定排列设置的多个薄膜晶体管(未图示)；与各薄膜晶体管连接的各种配线(未图示)；和以覆盖多个薄膜晶体管和各种配线的方式设置的密封基板(未图示)。薄膜晶体管和有机EL元件(发光元件)30经由反射层3和接触部205(图2)电连接。将1个像素1分割为3个子像素11，各子像素11彼此独立地被驱动，因此根据使各子像素11的发光的方式，能够显示任意的颜色。如图4所示，TFT阵列基板101包括基板2、反射层3、第一电极4、含有发光层的有机层5、第二电极6和边缘覆盖层13，具有按子像素11设置的有机EL元件30。具体地说，基板2包括基材7和基底层(未图示)。在基材7的上表面，从基材7侧起依次层叠有TFT层8、平坦化树脂层(树脂层)19、反射层3、第一电极4、边缘覆盖层13、含有发光层的有机层5和第二电极6。有机EL元件30在形成于平坦化树脂层(绝缘层)19的多个凹部(第一凹部)9上形成，包括反射层3、填充层12、第一电极4、含有发光层的有机层5、第二电极6。有机EL装置100是顶部出射型的有机EL装置，从发光层发出的光从第二电极6(光射出面)侧射出。作为基材7，例如使用玻璃基板或挠性的聚酰亚胺基板。另外，有机EL装置100是顶部出射型的有机EL装置，因此基材7并非必须具有光透过性，例如可以是硅基板等半导体基板。平坦化树脂层19由具有感光性的树脂例如丙烯酸、环氧、聚酰亚胺等树脂构成。当在平坦化树脂层19的材料中使用感光性树脂时，对于后述的凹部9的形成方法是优选的。但是，在采用后述形成方法以外的方法时，平坦化树脂层19的构成材料并非必须具有感光性。并且，平坦化树脂层19的构成材料可以不是树脂，而使用无机材料。平坦化树脂层19的膜厚例如设定为4μm。在平坦化树脂层19，在子像素11内的发光区域U形成有多个凹部9。各凹部9在平坦化树脂层19的上表面19a向上部开口，其截面形状为圆弧状。即，各凹部9的内表面成为立体的球面的一部分。另外，并不限于圆弧形状。凹部9的深度例如设定为1μm。在平坦化树脂层19，在相邻的子像素11的发光区域U彼此之间，形成有俯视时为矩形形状的挖入部22。挖入部22能够由使用光掩模的公知的部分曝光制作。挖入部22从平坦化树脂层19的上表面19a在膜厚方向上往下挖而形成，其深度比凹部9的深度大。挖入部22的深度例如设定为3μm。由此，挖入部22的平坦化树脂层的膜厚例如为1μm。此外，挖入部22的纵横方向的开口宽度例如设定为78μm×10μm。挖入部22在平坦化树脂层19的上表面19a向上部开口，截面形状为梯形形状。另外，并不限定于梯形形状。反射层3对每个子像素11设置，在各子像素11的发光区域U内形成。反射层3如图5A和图6A～图6D所示，在包含多个凹部9的内面的平坦化树脂层19的上表面19a上形成。此时，可以遍及多个凹部9连续形成，也可以按凹部9不连接地形成。作为反射层3的构成材料，例如优选使用铝、银等反射性高的金属。本实施方式的情况下，反射层3例如由膜厚100nm的铝蒸镀膜构成。反射层3不仅设置于凹部9的内侧也设置于挖入部22的内侧。具体地说，反射层3的端部3A位于挖入部22内。反射层3的端部3A延伸至挖入部22的底部22b上，在该底部22b，与相邻的其它子像素11设置的反射层3的端部3A以规定的距离相对。填充层12隔着反射层3分别填充于各凹部9和挖入部22的各内侧。填充层12以覆盖反射层3的上表面3a的方式设置于基板2的表面整体。本实施方式的填充层12的上表面12a位于比包含反射层3的上表面3a的平面Q高的位置。平坦面的填充层12的上表面12a与包含反射层3的上表面3a的平面Q的距离，即填充层的最小膜厚例如设定为1μm。填充层12由具有光透过性的树脂构成。具体地说，作为填充层12的材料，使用透过率为95％的丙烯酸类树脂。本实施方式的填充层12的折射率例如为1.5。多个第一电极4按每个子像素11设置。第一电极4形成在填充层12的上表面12a上，设置在子像素11的除周缘之外的区域。因此，从设置于相邻的子像素11的第一电极4彼此之间，露出填充层12的上表面12a的一部分。本实施方式的情况下，第一电极4隔着填充层12设置在反射层3上，在各子像素11的发光区域U的外侧电导通。具体地说，如图2所示，在设置于各子像素11的发光区域U的外侧的接触部205，第一电极4和反射层3导通。接触部205连通至薄膜晶体管(未图示)，反射层3和薄膜晶体管经由该接触部205导通(图2)。第一电极4是例如由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等透明导电膜构成的透明电极，具有光透过性。本实施方式的情况下，第一电极4例如由膜厚120nm的ITO构成。第一电极4作为用于向有机层5注入空穴的阳极起作用。边缘覆盖层13如图4所示，设置在相邻的子像素11的边界部分、发光区域U彼此之间。边缘覆盖层13形成在填充层12上，分别同时覆盖设置于相邻的各子像素11的各第一电极4的端部4A。作为边缘覆盖层13，能够使用与上述填充层12相同的材料，利用通常的光刻蚀工艺形成。利用边缘覆盖层13，将发光区域U限定为规定图案。有机层5跨相邻的子像素而形成，层叠在发光区域U内的第一电极4和非发光区域T内的边缘覆盖层13上。有机层5是具有空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层的包括有机材料的层叠体。在后面叙述构成有机层5的各层的详细的结构和功能。第二电极6遍及有机层5的上表面地层叠。本实施方式的情况下，第二电极6是通过例如膜厚1nm的镁银(MgAg)和膜厚19nm的银(Ag)的蒸镀成膜构成的半透明电极，具有半透过反射性。第二电极6作为用于向有机层5注入电子的阴极起作用。另外，作为第二电极6，例如可以使用由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等透明导电膜构成的透明电极。此时，作为一个例子将ITO膜以膜厚70nm成膜。本实施方式中，子像素11内的形成有凹部9的发光区域U中，被第一电极4和第二电极6夹着的区域构成微腔共振构造。从发光层发出的光在第一电极4与第二电极6之间多重反射。此时，从发光层发出的光中特定的波长成分变强。此外，图4中虽然省略了图示，但在第二电极6的上表面，层叠有被称为盖层的光学调整层。另外，在使第二电极6为透明电极时，也可以不设置上述盖层。图5A是表示子像素内的凹部构造的详情的截面图。此处，放大表示构成有机EL元件30的多个凹部构造中的一个。此外，3个子像素11R、11G、11B中的有机EL元件30的凹部构造仅是空穴注入层的膜厚不同，基本结构是相同的。如图5A所示，在凹部构造(光取出构造)中，有机层5设置在第一电极4的上层。有机层5由从第一电极4侧层叠有空穴注入层14、空穴输送层15、发光层16、电子输送层17、电子注入层18的层叠膜构成。但是，发光层16以外的部分根据需要适当插入即可。此外，输送层和注入层可以兼用一层。本实施方式中，如上所述，例示了空穴注入层14、空穴输送层15、发光层16、电子输送层17和电子注入层18的5层构造的有机层。并且，根据需要，也可以适当添加空穴阻挡层、电子阻挡层等用于阻止电荷向相反侧的电极移动的层。空穴注入层14是具有提高从第一电极4向发光层16的空穴注入效率的功能的层。作为空穴注入层14的材料，例如使用苯精、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、恶唑、蒽、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮杂三亚苯或它们的派生物、或聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、硫茂类化合物或苯胺类化合物等杂环共轭化合物的单体、低聚体或聚合体等，在这些有机材料中混合钼氧化物。有机材料和钼氧化物的混合比率是，例如有机材料为80％左右，钼氧化物为20％左右。空穴输送层15是具有提高从第一电极4向发光层16的空穴输送效率的功能的层。在空穴输送层15，使用与空穴注入层14同样的有机材料。另外，空穴注入层14和空穴输送层15可以一体化，也可以形成为独立的层。发光层16具有使从第一电极4侧注入的空穴和从第二电极6侧注入的电子复合，在使能量失活时射出光的功能。发光层16的材料例如由基质材料和掺杂材料构成。还可以含有辅助材料。基质材料在发光层16中的构成材料中含有的比率最高。例如基质材料和掺杂材料的混合比率是，基质材料为90％左右，掺杂材料为10％左右。基质材料具有使发光层16的成膜容易，并且将发光层16维持为膜的状态的功能。由此，基质材料要求是成膜后不易发生结晶化，不易发生化学变化的稳定的化合物。此外，具有在第一电极4与第二电极6之间施加有电场时在基质分子内发生载流子的复合，使激励能量向掺杂材料移动而使掺杂材料发光的功能。发光层16形成于各子像素区域，按RGB的每个颜色被分割。发光层16的厚度例如为60nm程度。作为发光层16的具体材料，能够举出含有低分子荧光色素、荧光性的高分子、金属络合物等发光效率高的材料的材料。作为发光层16的材料，例如能够举出蒽、萘、茚、菲、芘、丁省、苯并菲、蒽、苝、苉、荧蒽、醋菲烯、戊芬、戊省、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪或它们的派生物、3(8-喹啉)铝络合物，双(苯并喹啉)铍络合物、3(二苯甲酰甲基)菲咯啉铕络合物，二甲苯乙烯联苯等。电子输送层17具有提高从第二电极6各发光层16的电子输送效率的功能。作为电子输送层17的材料，例如能够使用喹啉、苝、菲咯啉、二苯乙稀、吡嗪、三唑、恶唑、噁二唑、芴酮或它们的派生物、金属络合物。具体地说，能够使用3(8-羟基喹啉)铝、蒽、萘、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、1,10-菲咯啉或它们的派生物、金属络合物等。电子输送层17的厚度例如为15nm程度。电子注入层18具有提高从第二电极6向发光层16的电子注入效率的功能。作为电子注入层18的材料，例如使用金属钙(Ca)、氟化锂(LiF)等化合物。另外，电子输送层17和电子注入层18可以一体化，也可以形成为独立的层。电子注入层18的厚度例如为0.5nm程度。微腔共振构造20具有利用在第一电极4与第二电极6之间发生的光的共振，增加特定波长的光的效果。本实施方式的情况下，从红色、绿色、蓝色的各子像素11R、11G、11B射出的光的波长各自不同。因此，第一电极4与第二电极6之间的光程长与各色的发光光谱峰值波长对应。以红色的子像素11R的光程长最长、蓝色的子像素11B的光程长最短、绿色的子像素11G的光程长为其中间的长度，分别设定光程长。使各子像素11R、11G、11B的微腔共振构造20的光程长各自不同的方法有多种，此处，从尽量抑制对电阻值的影响的观点出发，采用使空穴注入层14的厚度不同的方法。使红色的子像素11R的空穴注入层14的厚度为tHIL-R，使绿色的子像素11G的空穴注入层14的层厚为tHIL-G，使蓝色的子像素11B的空穴注入层14的层厚为tHIL-B时，tHIL-R>tHIL-G>tHIL-B。利用微腔共振构造20，从有机层5射出的光在第一电极4与第二电极6之间在规定的光学长的范围内反复被反射，与光程长对应的特定的波长的光共振而得以增强，而与光程长不对应的波长的光变弱。结果，取出到外部的光的光谱很陡且为高强度，亮度和色纯度得以提高。或者，在红色的子像素11R、绿色的子像素11G、蓝色的子像素11B的全部发光区域U中，可以使用射出白色光的相同的发光材料。此时，根据各子像素11R、11G、11B而不同的波长的光共振而增幅，结果从红色的子像素11R射出红色光，从绿色的子像素11G射出绿色光，从蓝色的子像素11B射出蓝色光。盖层21层叠在第二电极6的上表面。盖层21作为保护第二电极6的保护层起作用，并且作为光学调整层起作用。另外，在比第二电极6靠上层侧的位置，也可以添加滤色片。通过使从有机层5射出的光透过滤色片，能够提高色纯度。有机EL装置100的具体的结构例例如图5B所示。(有机EL装置的制造方法)以下，说明上述结构的有机EL装置的制造工序。图6A～图6D是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的图。图7A～图7C是表示第一实施方式的有机EL装置的制造工序的图。此处，图6A～图6D和图7A～图7C表示沿图2所示的B-B’线的截面。首先形成TFT阵列基板101。如图6A所示，在基材7上形成含有薄膜晶体管(有源元件)Tr等的TFT层8。薄膜晶体管Tr使用公知的方法形成，没有特别限定。接着，如图6B所示，在薄膜晶体管Tr上，作为透光性树脂膜24，将氮化硅以成为4μm的膜厚的方式用公知的CVD法成膜。此处，将图6A所示的基板浸入纯水的超声波清洗槽2分钟，用N2鼓风使其干燥，用150℃的大气烤炉使其干燥。之后，在基材7上通过旋转涂层法以转速1000rpm、旋转时间10秒涂敷感光性丙烯酸树脂(例如JAS100，JSR社制造)，在150℃的热盘中预焙2分钟。接着，利用紫外线曝光装置32，使用光掩模31将感光性丙烯酸类树脂层35曝光成为规定图案。曝光时间为1秒。本实施方式中，使用将直径4μm的图案以7μm节距配置的掩模。作为结束处理，凹部构造由于图案偏移而成为直径约5μm的图案，挖入构造曝光成为纵横78μm×10μm的规定图案。此处，光掩模31中与凹部构造对应的部分是透过率为15％的部分曝光用开口部31A，与挖入构造对应的部分是透过率为85％的部分曝光用开口部31B。此外，光掩模31中，与连接于TFT配线的接触孔H对应的部分在膜厚方向完全开口。之后，以浓度为百分之几的碱性显影液进行显影。具体地说，在0.1％的四甲基氢氧化铵(TMAH)中浸渍2分钟后水洗，得到图6C所示的规定的图案。之后，以200℃的大气烤炉烧制60分钟。这样，得到在每个子像素11具有多个凹部9，并且在发光区域U彼此之间具有挖入部22的平坦化树脂层19。从接触孔H预先使薄膜晶体管Tr的漏极电极15d的一部分露出。接着，在平坦化树脂层19上形成与各子像素11的颜色对应的有机EL元件30。首先，如图6D所示，跨在平坦化树脂层19形成的多个凹部9地形成反射层3。反射层3通过将铝(Al)形成为100nm的厚度，将其用公知的方法形成规定的图案而得到。利用公知的溅射法，将Al形成为100nm的厚度，在涂敷光致抗蚀剂后，进行曝光显影，用磷酸类蚀刻液蚀刻2分钟。之后，用剥离液除去抗蚀剂。由此在每个子像素11形成反射层3。此时，反射层3的端部3A形成为位于挖入部22内。接着，如图6D所示，在包含反射层3的平坦化树脂层19上，将正型的感光性丙烯酸类树脂用旋转涂层法涂敷，形成感光性丙烯酸类树脂层35。丙烯酸类树脂的涂敷如下：基板转速为1500rpm、旋转时间为20秒、在150℃的热盘焙烤2分钟。此外，使曝光时间为1秒。本实施方式中，多个凹部9的内侧全部用树脂材料填充，剩余的树脂材料流入挖入部22内。此时，感光性丙烯酸类树脂层35的膜厚比规定的膜厚大时，进行使用光掩模36的紫外线曝光。另外，也可以不是曝光、显影，而仅是灰化。的曝光、显影的情况下，进行使曝光强度下降的全面曝光。通过整体使曝光强度下降，不需要光掩模。在不使曝光强度下降时，使用没有主图案的半色调掩模。另一方面，在得到了规定的膜厚的情况下，能够省去曝光工序。感光性丙烯酸类树脂层35的厚度在预焙完成的时刻形成为1.0μm。对感光性丙烯酸类树脂层35进行了曝光后，用百分之几的碱性显影液显影2分钟，对其水洗、使其干燥，用200℃的烤炉按基材7烧制。更具体地说，在0.1％的四甲基氢氧化铵(TMAH)中浸渍2分钟而使图案显影后进行水洗，以N2鼓风使基板干燥，用200℃的烤炉烧制基板。这样，在包括按子像素11设置的多个凹部9和挖入部22的基板上形成填充层12，得到图7A所示的结构。接着，如图7A所示，作为包括透明电极的第一电极4，将IZO(IndiumZincOxide)膜以120nm的厚度且覆盖反射层3的方式形成于基板整面。即，用公知的溅射法将IZO膜形成为100nm的厚度。之后，将感光性光致抗蚀剂用旋转涂层法涂敷后进行预焙。然后，使用规定图案的光掩模和紫外线碌装置进行图案曝光，使光致抗蚀剂显影后，用草酸蚀刻2～4分钟。之后，用剥离液除去光致抗蚀剂，进行水洗、使其干燥。在本实施方式中，以第一电极4的端部4A位于挖入部22上的方式进行图案化。端部4A在挖入部22上与相邻的子像素11的第一电极4的端部4A隔开规定的距离地相对。反射层3和第一电极4在发光区域U的外侧与TFT配线等的驱动回路部分经由接触孔H电连接，由此，能够使各子像素11按规定的方式发光。接着，在填充层12上形成覆盖第一电极4的端部4A的作为边缘覆盖层13的丙烯酸类树脂膜。即，利用旋转涂层法将丙烯酸类树脂在预焙完成的时刻形成为2μm的厚度。对该树脂膜，用规定图案的光掩模和紫外线曝光装置进行图案曝光，用百分之几的碱类显影液进行显影。之后，进行了水洗、干燥后，用200℃的烤炉烧制1个小时。由此，形成图7B所示的边缘覆盖层13。此时，边缘覆盖层13位于挖入部22上，以一同覆盖相邻的子像素11的2个第一电极4的端部4A的方式形成图案。本实施方式中，利用边缘覆盖层13规定发光区域U。接着，如图7C所示，按图5B所示的结构形成有机层5。此处，利用公知的分涂法形成与红(R)、绿(G)、蓝(B)的各色对应的子像素11，组合R、G、B而形成1个像素。最后，以覆盖每个子像素11所形成的有机层5的方式，在边缘覆盖层13的上表面13a形成膜厚1nm的镁银(MgAg)和膜厚19nm的银(Ag)的蒸镀膜，形成第二电极6。像这样，在每个子像素11形成多个有机EL元件30。通过以上的工序，完成本实施方式的有机EL装置100。为了验证本实施方式的挖入构造的效果，本发明者的发明者们制作2种有机EL元件，对填充层形成时的涂敷膜的膜厚进行比较。实施例具有挖入构造，比较例不具有挖入构造。图8A是表示在发光区域设置有凹部构造的比较例的有机EL元件的截面图。图8B是表示在发光区域设置有凹部构造且在非发光区域设置有挖入构造的实施例的有机EL元件的图。如图8A所示，比较例的有机EL元件形成有凹部构造(光取出构造)，而且在凹部9内形成反射层3后，在凹部9内的反射层3上填充光透过性树脂材料而得到填充层12。此时，从凹部9溢出的光透过性树脂材料留在包含反射层3的平坦化树脂层19上，形成具有厚度的透光性树脂膜24。此外，不仅是发光区域U内，在作为相邻的子像素的边界部分的非发光区域T也形成该膜。对此，本实施例中如图8B所示，首先，对透光性树脂膜24的位于非发光区域T的区域进行全面曝光、显影，由此减小膜厚，形成挖入构造。在具体的实施例中，在相邻的子像素11的边界部分、发光区域U彼此之间的平坦化树脂层19预先形成有挖入部22。由此，在填充层形成工序中，在光透过性树脂材料的涂敷时能够使从凹部9溢出的光透过性树脂材料流入挖入部22内，能够抑制在平面Q上形成的透光性树脂膜24的膜厚。由此，在之后的工序中，能够减少去除透光性树脂膜24的膜厚的多余的树脂高度。结果，能够去除对树脂膜的曝光、显影工序，能够大幅减少制造工序。此外，能够使光透过性树脂材料的膜厚分布的不均变小。此外，即使在假设必须对透光性树脂膜24进行整面曝光、显影的情况下，也能够减少去除量因此曝光时间变短，能够缩短制造时间。另外，在产生了多余的膜厚时，对树脂膜的去除工序，也可以不是曝光、显影，而仅为灰化处理。将比较例的构造的光透过性树脂膜的膜厚和实施例的构造的光透过性树脂膜的膜厚分别表示于表1。此处，光透过性树脂膜的膜厚是指光透过性树脂膜的上表面与包含反射层3的上表面3a的平面Q之间的厚度。如表1所示，关于光透过性树脂膜的膜厚，在比较例的构造中膜厚为3μm，与此相对，实施例的构造中膜厚为1μm，是比较例的3分之1的厚度。如以上所述，根据本实施方式的结构，对位于子像素11之间的平坦化树脂层19预先施加挖掘，由此在填充层形成工序中，光透过性树脂材料流入挖入部22，因此发光区域U的透光性树脂膜24的膜厚变薄。由此，能够减少去除透光性树脂膜24的量，能够缩短用于去除的曝光时间。因此，能够抑制填充层12的膜厚(形成)不均的发生。此外，能够减少涂敷的树脂量，因此达到成本减少。此外，在不需要去除透光性树脂膜24时，能够减少其工序本身。这样，能够高效地得到发光效率高的低消費电力的有机EL装置100。[第二实施方式]接着，说明本发明的第二实施方式的有机EL装置。以下所示的本实施方式的有机EL装置的基本结构与上述第一实施方式大致同样，但有机EL元件的结构不同。由此，在以下的说明中，详细说明与之前的实施方式不同的部分，省略共同部分的说明。此外，在说明中使用的各附图中，对与图1～图5相同的构成要素标注相同的附图标记。图9是部分表示第二实施方式的有机EL装置的子像素间构造的截面图。图10是部分表示第二实施方式的有机EL装置的子像素间构造的部分截面图。图11是局部放大表示第二实施方式的有机EL装置的挖入构造的部分截面图。如图10所示，本实施方式的有机EL装置构成为，设置于凹部9和挖入部22中的填充层12的上表面12a位于比包含反射层3的平面Q低的位置。即，在凹部9和挖入部22的内侧的位置，第一电极4的下表面与填充层12的上表面12a接触。采用这样的结构时，如图10所示，从凹部9内的填充层12的上表面12a到反射层3的上表面3a的高度h1例如设定为0.1μm。另一方面，如图11所示，从挖入部22内的填充层12的上表面12a到反射层3的上表面3a的高度h2例如设定为1μm。第一电极4跨填充层12的上表面12a和反射层3的上表面3a而形成，且在凹部9和挖入部22各自的边缘的部分具有阶差。形成于各凹部9内的反射层3和第一电极4在平坦化树脂层19的上表面19a上在重叠的部分彼此电连接。在挖入部22的内侧，形成有同时覆盖相邻的各子像素11的各反射层3的端部3A和俯视中与它们重叠的各第一电极4的端部4A的边缘覆盖层13。(有机EL装置的制造方法)图12A、图12B是表示第二实施方式的制造方法的一部分(填充层形成工序)的图，图12A表示曝光、显影工序，图12B表示处理后的状态。首先，与第一实施方式同样，在基材(未图示)上形成TFT层(未图示)、平坦化树脂层19和反射层3，在反射层3的上表面3a，用旋转涂层法涂敷正型的感光性丙烯酸树脂材料。此时，树脂材料不仅流入凹部9内，也流入挖入部22内，因此能够使作为涂敷膜的感光性丙烯酸类树脂层35变薄(图12A)。之后，使用紫外线曝光装置32进行全面曝光、显影。接着，对感光性丙烯酸类树脂层35进行灰化处理。另外，也能够省去曝光、显影步骤，仅进行灰化处理。这样，如图12B所示，减小膜厚直至反射层3的上表面3a露出。具体地说，在本实施方式中，凹部9内的填充层12的上表面12a和挖入部22内的填充层12的上表面12a分别与平坦化树脂层19的上表面19a相同，或比其低。另外，此时使用的光掩模36中，与接触孔图案相比，凹部构造图案的部分较大。具体地说，是与接触孔图案相比整周约大1～2μm、直径约大2～4μm的图案。考虑到曝光时的光的回绕而设计光掩模。在多个凹部9和挖入部22的内侧分别形成填充层12后，在包含这些各个上表面12a的反射层3上形成包括氧化铟锌(IZO)的第一电极4。之后的工序与第一实施方式时相同，因此省略说明。根据本实施方式，利用挖入部22，能够使在感光性丙烯酸树脂的涂敷时产生的膜厚变薄。此外，在本实施方式中，还将感光性丙烯酸系树脂层35通过灰化处理进行去除，使凹部9和挖入部22内的填充层12的上表面12a比包含反射层3的平面Q低，由此第一电极4和反射层3在平坦化树脂层19的上表面19a上重叠的部分彼此电连接。此外，通过减少感光性丙烯酸树脂的膜厚，发光成分在沿着凹部9的壁面的反射层3的倾斜部分被反射而能够在显示面侧取出，能够提高光取出效果。为了验证本实施方式的有机EL元件的效果，本发明的发明者们制作2种有机EL元件，比较各自的亮度改善效果。图13A是表示实施例的结构的图，图13B是表示比较例的结构的图。图13A所示的实施例具有在凹部9和挖入部22的位置，填充层12的上表面12a比平面Q低的构造(第二实施方式的有机EL元件)。图13B所示的比较例具有填充层12的上表面12a在凹部9和挖入部22的各位置中一致的构造(第一实施方式的有机EL元件)。这些各元件的一定的电流值(10mA/m2)的亮度提高率表示于表2。比较例实施例光取出效率1.01.4如表2所示可知，以作为比较例的有机EL元件的光取出效率为基准时，实施例的有机EL元件的光取出效率约为比较例的1.4倍。可知，实施例的有机EL元件通过凹部内的反射电极的倾斜部分的反射，能够将发光成分向上方取出，因此能够进一步提高光取出效率。此外，在实施例中，边缘覆盖层13形成于挖入部22的内侧。因此，在与挖入部22的阶差部分，有机层5的膜厚变薄，因此在白色发光元件等的高精细显示面板中，具有能够减少串扰引起的显示不良的效果。[第三实施方式]接着说明本发明的第三实施方式的有机EL装置。以下所示的本实施方式的有机EL装置的基本结构与上述第一实施方式大致相同，但挖入构造不同。由此，在以下的说明中，详细说明与之前的实施方式不同的部分，省略对共同部分的说明。此外，在用于说明的各附图中，对与图1～图5A相同的构成要素标注相同的附图标记。图14是部分表示第三实施方式的有机EL装置的子像素间构造的截面图。图15(A)、(B)是用于说明挖入构造的制造方法的图。本实施例的有机EL装置中，如图14所示，在挖入部23的内侧设置有反射层3、第一电极4(端部4A)、边缘覆盖层13，不存在填充层12。即，本实施方式的平坦化树脂层19的挖入部23，由贯通膜厚方向的贯通孔(第一贯通孔)19A构成。贯通孔19A能够通过使用图15(A)所示的对透光性树脂膜24的与挖入部23(图15(B))对应的区域实施全曝光的掩模图案而得到。反射层3形成在与上述贯通孔19A对应的TFT层8的上表面8a上。因此，在本实施方式中，为了防止反射层3和薄膜晶体管Tr的电极配线的短路，在TFT层8与反射层3之间形成有绝缘性树脂膜(绝缘膜)34。作为绝缘性树脂膜34，使用SiO2膜和SiNx膜的层叠膜。边缘覆盖层13以不仅覆盖位于挖入部23的第一电极4的端部4A而且覆盖凹部9的沿壁面的倾斜部分的方式，形成为比第二实施方式大的宽度。另外，并不限定于该结构，也可以像第二实施方式的边缘覆盖层13那样形成有仅覆盖端部4A的大小。根据本实施方式的结构，通过将挖入部23形成于平坦化树脂层19的膜厚方向整体，能够设为具有深度的挖入构造。因此，能够更多地容纳在填充层12的形成工序时涂敷的树脂材料，能够进一步减小平面Q上的涂敷膜的膜厚。为了验证本实施方式的挖入构造的效果，本发明的发明者们，形成2种有机EL元件，比较填充层形成时的涂敷膜的膜厚。结果表示于表3。实施例具有挖入部由贯通孔构成的构造(第三实施方式的有机EL元件)。比较例具有挖入部由有底凹部构成的构造(第二实施方式的有机EL元件)。透光性树脂厚度比较例(留有绝缘树脂层)1μm实施例(没有绝缘树脂层)0.5μm如表3所示，关于光透过性树脂膜的膜厚，在比较例的结构中膜厚为1μm，与此相对，实施例的构造中膜厚为0.5μm，是比较例的一半的厚度。如以上所述，根据本实施方式的结构，能够进一步减少光透过性树脂膜的去除量，因此能够进一步缩短填充层形成工序的曝光时间。或者，也能够不进行曝光处理等，达到制造工序的减少。[第四实施方式]接着对本发明的第四实施方式使用有机EL装置进行说明。以下所示的本实施方式的有机EL装置的基本结构与上述第三实施方式大致相同，但挖入构造不同。由此，在以下的说明中，详细说明与之前的实施方式不同的部分，省略共同部分的说明。此外，在说明中使用的各附图中，对与图14共同的构成要素标注相同的附图标记。图16是部分表示第四实施方式的有机EL装置的子像素间构造的截面图。如图16所示，本实施方式的有机EL装置在位于挖入部23的TFT层8形成有贯通孔(第二贯通孔)8A。贯通孔8A的内周壁被层叠于TFT层8上的绝缘性树脂膜34覆盖，防止反射层3与薄膜晶体管的电极配线的短路。TFT层8的厚度为1μm，绝缘性树脂膜34的厚度也为1μm。TFT层8为了减少薄膜晶体管的配线抵抗而膜厚变厚，通过将该厚度用作阶差，能够增加挖入部23的容纳量。即，通过采用将形成于TFT层8的贯通孔8A包含于挖入部23的一部分的结构，在填充层形成时，能够增加树脂材料向挖入部23的流入量。结果能够进一步减少涂敷膜的去除量，进一步减少工序。此外，在本实施方式的结构中，边缘覆盖层13以一部分登至平面Q上的大小形成，但与第二实施方式同样，也可以形成为在挖入部23的内侧容纳边缘覆盖层的宽度方向整体的大小。图17是表示第四实施方式的有机EL装置的发光光谱的图表。此处，将在TFT层8形成有贯通孔8A的本实施方式的发光光谱用实线表示，将在TFT层8没有形成贯通孔8A的第三实施方式的发光光谱用虚线表示。如图17所示，在RGB任一个颜色的显示中，不会发生子像素间的泄漏点亮(串扰)，没有本来不应存在的波长的光谱。由此能够得到显示品质高的有机EL装置。以上，参照附图说明本发明的优选实施方式，但本发明并不限定于例子。本领域的技术人员在权利要求记载的技术思想的范围内，能够想到各种变更例或修改例，这些当然也属于本发明的技术范围。工业上的可利用性本发明的多个方式能够应用于需要能够缩短制造工艺并且提高光的取出效率的有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置等。附图标记说明3……反射层，3a、8a、12a、13a、19a……上表面，3A、4A……端部，4……第一电极，5……有机层，6……第二电极，7……基材，8A、19A……贯通孔，9……凹部，11……单位发光区域，12……填充层，13……边缘覆盖层，16……发光层，19……平坦化树脂层(绝缘层)，22、23……挖入部，30……有机EL元件(发光元件)，34……绝缘性树脂膜(绝缘膜)，Q……平面，Tr……薄膜晶体管(有源元件)。当前第1页1 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