本发明涉及功率放大电路。
背景技术：
在移动电话等移动体通信设备中，为了放大向基站发送的无线频率(rf：radiofrequency)信号的功率而使用功率放大电路。功率放大电路中，使用用于向放大器提供偏置电压或偏置电流的偏置电路。例如，非专利文献1中，公开有使用了异质结双极型晶体管的发射极跟随的偏置电路。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：“evolutionofpoweramplifierformobileapplications”satoshitanaka,internationalmeetingforfutureofelectrondevices，kansai(imfedk),2013ieee，pp112-113
技术实现要素：
发明所要解决的技术问题
在功率放大电路中，随着输入功率的增大，偏置电流有可能增加、放大器的输出电流有可能增加。这种放大器的输出特性根据偏置电路的特性(例如，偏置电路的输出阻抗等)而变化。关于这点，在非专利文献1所公开的结构中，由于偏置电路的特性固定，因此放大器的输出特性也固定。因此，非专利文献1所公开的结构中，无法自由地对放大器的输出特性进行调整。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能对放大器的输出特性进行调整的功率放大电路。
用于解决技术问题的技术手段
本发明一个方面所涉及的功率放大电路，其包括：放大器，该放大器对输入信号进行放大，并输出放大信号；第1偏置电路，该第1偏置电路向放大器提供第1偏置电流或电压；第2偏置电路，该第2偏置电路向放大器提供第2偏置电流或电压；第1控制电路，该第1控制电路对第1偏置电流或电压进行控制；以及第2控制电路，该第2控制电路对第2偏置电流或电压进行控制，第1偏置电路的电流提供能力与第2偏置电路的电流提供能力不同。
发明效果
根据本发明，可以提供一种能对放大器的输出特性进行调整的功率放大电路。
附图说明
图1是示出本发明实施方式1所涉及的功率放大电路100的结构的图。
图2是示出本发明实施方式1所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100a)的图。
图3是示出本发明实施方式1所涉及的功率放大电路100中的放大器的输出特性的曲线。
图4是示出本发明实施方式1的变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100b)的图。
图5是示出本发明实施方式2所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100c)的图。
图6是示出本发明实施方式2的变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100d)的图。
图7是示出本发明实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100e)的图。
图8是示出本发明实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100f)的图。
图9是示出本发明实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100g)的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。图1是示出本发明实施方式1所涉及的功率放大电路100的结构的图。功率放大电路100例如在移动电话等移动体通信设备中，对输入的无线频率(rf：radiofrequency)信号进行放大，并输出放大信号。rf信号的频率例如为数ghz左右。
如图1所示，功率放大电路100包括晶体管110，控制电路120、122，偏置电路130、132，电感器140，以及匹配电路150、152。
晶体管110(放大器)对输入信号rfin进行放大并输出放大信号rfamp。晶体管例如可以使用异质结双极型晶体管(hbt：heterojunctionbipolartransistor)等双极型晶体管来构成。另外，也可以使用场效应晶体管(mosfet：metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)来代替hbt。
通过电感器140向晶体管110的集电极提供电源电压vcc0，通过匹配电路150向晶体管110的基极提供输入信号rfin，晶体管110的发射极接地。此外，从偏置电路130、132向晶体管110的基极提供偏置电流ibias1(第1偏置电流)、ibias2(第2偏置电流)。由此，从晶体管110的集电极输出根据偏置电流ibias1、ibias2对输入信号rfin进行放大后的放大信号rfamp。另外，放大器的级数不限于1级，也可以是2级以上。
控制电路120(第1控制电路)、122(第2控制电路)例如生成基准电流iref1(第1电流)、iref2(第2电流)，并将其提供至偏置电路130、132。控制电路120、122分别对基准电流iref1、iref2的电流量进行控制，从而对偏置电流ibias1、ibias2的电流量进行调整。
偏置电路130(第1偏置电路)、132(第2偏置电路)分别根据从控制电路120、122提供的基准电流iref1、iref2，向晶体管110的基极提供偏置电流ibias1、ibias2。在本实施方式中，偏置电路130的电流提供能力及输出阻抗不同于偏置电路132的电流提供能力及输出阻抗。另外，在本说明书中，偏置电路的电流提供能力是指偏置电路所能输出的电流量的最大值。由此，例如，对从偏置电路130、132提供的偏置电流ibias1、ibias2的比率进行调整，从而能使提供至晶体管110的基极的偏置电流(即，偏置电流ibias1、ibias2的合计量)的电流量发生各种变化。偏置电路130、132的结构的详情将在后文阐述。
电感器140设置在电源电压端子与晶体管110之间，抑制向rf信号的电源电路的耦合。
匹配电路(mn：matchingnetwork)150、151分别设置在晶体管110的前后，使前级的电路与晶体管110的阻抗匹配，或使晶体管110与后级的电路的阻抗匹配。匹配电路150、152例如使用电容器或电感器来构成。
图2是示出本发明实施方式1所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100a)的图。功率放大电路100a中，示出了控制电路120、122以及偏置电路130、132的具体的结构例(控制电路120a、122a以及偏置电路130a、132a)。
控制电路120a、122a例如分别具备可变电流源ja、jb。例如，可变电流源ja、jb可以分别根据从外部提供的控制信号使电流量变化。由此，控制电路120a、122a例如生成与具有rf信号的输出功率相对应的电流量的基准电流iref1、iref2并进行输出。
偏置电路130a例如包括晶体管tr1a、tr2a、tr3a(第1晶体管)、以及电阻元件r1a(第1电阻元件)。同样地，偏置电路132a例如包括晶体管tr1b、tr2b、tr3b(第2晶体管或第2双极型晶体管)、以及电阻元件r1b(第2电阻元件)。偏置电路130a、132a分别生成与从控制电路120a、122a输出的基准电流iref1、iref2的电流量相对应的偏置电流ibias1、ibias2，并将其提供至晶体管110的基极。另外，在本实施方式中偏置电路132a的结构与偏置电路130a相同，因此省略详细说明。
晶体管tr1a的集电极与基极相连接(之后称为二极管连接)，集电极被提供有基准电流iref1，基极与晶体管tr3a的基极相连接，发射极与晶体管tr2a的集电极相连接。晶体管tr2a进行二极管连接，集电极与晶体管tr1a的发射极相连接，发射极接地。由此，在晶体管tr1a的基极生成规定电平的电压(例如2.6v左右)。
晶体管tr3a(第1晶体管)的集电极被提供有电源电压vcc1，基极被提供有晶体管tr1a的基极电压，发射极与电阻元件r1a的一端相连接。此外，向晶体管tr3a的基极提供与基准电流iref1的电流量相对应的电流。由此，从晶体管tr3a的发射极输出与基准电流iref1相对应的偏置电流ibias1。另外，晶体管tr3a的基极电压(控制电压)的生成方法并不限于此，例如，也可以是根据从外部提供的控制信号能进行控制的可变电压。
电阻元件r1a(第1电阻元件)的一端与晶体管tr3a的发射极相连接，另一端与晶体管110的基极相连接。换言之，电阻元件r1a与晶体管tr3a的发射极串联连接，并与晶体管110的基极相连接。
在本实施方式中，偏置电路130a与偏置电路132a构成为输出阻抗不同，电流提供能力不同。具体而言，例如，对于晶体管tr3a及晶体管tr3b使用元件尺寸不同的晶体管，对于电阻元件r1a及电阻元件r1b使用电阻值不同的电阻元件，或者对控制电路120a、122a所生成的基准电流iref1、iref2的电流量进行调整等，从而能使偏置电路130a、132a各自的电流提供能力不同。另外，对于晶体管tr3a、tr3b，通过将一个晶体管的发射极面积设为比另一个晶体管的发射极面积要大，从而即使基极·发射极间电压相同，也能使流过该晶体管的电流增多。
通过上述结构，在功率放大电路100a中，对从偏置电路130a、132a提供的偏置电流ibias1、ibias2的电流量进行控制。由此，能使提供至晶体管110的基极的偏置电流(即，偏置电流ibias1及偏置电流ibias2的合计量)中的偏置电流ibias1、ibias2的比率发生各种变化，从而能对放大器的输出特性进行调整。另外，在本实施方式中，作为示例示出了对偏置电流进行调整的结构，然而也可以构成为对偏置电压进行调整，以代替对偏置电流进行调整。
图3是示出本发明实施方式1所涉及的功率放大电路100中的放大器的输出特性的曲线。具体而言，该曲线示出了如下情况时的放大器的输出特性，即：对于偏置电路130、132，仅使偏置电路130以最大基准电流iref1进行动作(ibias1)；仅使偏置电路132以最大基准电流iref2进行动作(ibias2)；使偏置电路130、132均以最大基准电流iref1、iref2进行动作(ibias1+ibias2)；以及调整基准电流iref1、iref2来使偏置电路130、132进行动作，以使得来自偏置电路130、132的基准电流成为规定的比率(ibias1’+ibias2’)。在该曲线中，纵轴表示晶体管110的集电极电流ic(ma)，横轴表示rf信号的输出功率pout(dbm)。
如图3所示，可知通过一并使用偏置电路130、132，从而能得到与仅使任意偏置电路动作的情况(ibias1或ibias2)不同的输出特性(ibias1+ibias2或ibias1’+ibias2’)。由此，通过一并使用电流提供能力不同的偏置电路，并对多个偏置电流进行合成，从而能得到将示出均以最大限度提供了偏置电流ibias1、ibias2的情况时的输出特性的曲线(ibias1+ibias2)设为最大的任意的输出特性。具体而言，例如，通过调整图2所示的可变电流源ja、jb的值，从而能对ibias1、ibias2的加权进行调整，并能实现ibias1’+ibias2’这样的偏置特性。在图3所示的曲线中，对于仅使偏置电路130动作的ibias1，放大器的增益较低、消耗电流较少。另一方面，仅使偏置电路132动作的ibias2与ibias1相比，曲线的倾斜较陡，放大器的增益较高、消耗电流较多。因此，通过使偏置电路130、132双方进行动作，并对ibias1及ibias2进行合成，从而能将增益及消耗电流调整为所希望的水平。
图4是示出本发明实施方式1的变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100b)的图。功率放大电路100b具备偏置电路130b、132b，以代替图2所示的偏置电路130a、132a。
偏置电路130b与图2所示的偏置电路130a相比，具备fet(fet1a、fet2a)，以代替晶体管tr1a、tr3a。此外，还具备晶体管tr4a。
fet(fet1a)的漏极与栅极相连接(之后称为二极管连接)，漏极被提供有基准电流iref1，栅极与fet(fet2a)的栅极的相连接，源极与晶体管tr2a的集电极相连接。由此，在fet(fet1a)的栅极生成规定电平的电压(例如，若将fet的阈值设为0.3v，则为1.6v左右)。
fet(fet2a)的漏极被提供有电源电压vcc1，栅极被提供有该规定电平的电压，源极与电阻元件r1a的一端相连接。另外，fet(fet1a、fet2a)可以是mosfet，也可以是hemt(highelectronmobilitytransistor：高电子迁移率晶体管)。在以下所说明的fet中也相同。
晶体管tr4a的集电极与电阻元件r1a的另一端相连接，基极与晶体管tr2a的基极相连接，发射极接地。偏置电路130b从电阻元件r1a与晶体管tr4a的集电极的连接点输出偏置电流ibias1。
偏置电路132b与图2所示的偏置电路132a相比，还具备晶体管tr4b。晶体管tr4b的集电极与电阻元件r1b的另一端相连接，基极与晶体管tr2b的基极相连接，发射极接地。由此，偏置电路132b从电阻元件r1b与晶体管tr4b的集电极的连接点输出偏置电流ibias2。
在上述结构中，功率放大电路100b与功率放大电路100a相同地，也能使偏置电流ibias1、ibias2的提供比率变化，并能对放大器的输出特性进行调整。此外，在根据rf信号的输出功率的增大而需要更多的偏置电流的情况下，偏置电路130b、132b能将流过晶体管tr4a、tr4b的电流预先分配至晶体管110的基极。由此，尤其在大信号输入时，能抑制因偏置电流的不足所引起的增益特性的劣化，并能使因增益特性的劣化而引发的失真的产生量降低。
图5是示出本发明实施方式2所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100c)的图。功率放大电路100c具备偏置电路130c，以代替图2所示的偏置电路130a。
偏置电路130c包括fet(fet3a)、晶体管tr5a、以及电阻元件r1a、r2a。
fet(fet3a)(第1晶体管)的漏极被提供有电源电压vcc1，栅极连接至控制电路120a的输出端子以及晶体管tr5a的集电极，源极与电阻元件r1a、r2a的一端相连接。向fet(fet3a)的栅极提供与流过晶体管tr5a的电流iadj相对应的电压。由此，从fet(fet3a)的源极输出与栅极·源极间电压相对应的电流。该电流根据电阻元件r1a、r2a的电阻值被分为偏置电流ibias1与偏置电流ibias1*，该偏置电流ibias1被提供至晶体管110的基极，该偏置电流ibias1*被提供至晶体管tr5a的基极。
晶体管tr5a(第3晶体管或第1双极型晶体管)的集电极被提供有基准电流iref1，基极与电阻元件2a的另一端相连接，发射极接地。通过电阻元件r2a向晶体管tr5a的基极提供偏置电流ibias1*。
电阻元件r1a的一端与fet(fet3a)的源极相连接，另一端与晶体管110的基极相连接。电阻元件r2a的一端与fet(fet3a)的源极相连接，另一端与晶体管tr5a的基极相连接。电阻元件r1a、r2a调整偏置电流ibias1、ibias1*的分配。
在偏置电路130c中，通过fet(fet3a)利用相同的结构向晶体管110以及晶体管tr5a分别提供偏置电流ibias1、ibias1*。此处，与偏置电流ibias1*成比例的电流iadj流过晶体管tr5a。
此外，对fet(fet3a)的栅极电压vga进行负反馈，使得电流iadj与由控制电路120a所提供的基准电流iref1成为大致相同的量。例如，在偏置电流ibias1的电流量增加了的情况下，因电阻元件r1a的电压下降导致fet(fet3a)的源极电压降低。因此，流过晶体管tr5a的电流iadj的电流量因基极电压的降低而降低。然而，晶体管tr5a进行动作，使得具有与基准电流iref1(控制电流)相同量的电流流过，因此流过晶体管tr5a的电流受到基准电流iref1的限制。由此，抑制了晶体管tr5a的集电极电压(＝fet(fet3a)的栅极电压vga)的下降，因此流过fet(fet3a)的电流量较为稳定。通过上述结构，即使因输入信号rfin的提供而引起偏置电流ibias1发生变动，但偏置电流ibias1*也会随着该变动而发生变动，动作点较为稳定。
在上述结构中，功率放大电路100c与功率放大电路100a相同地，也能使偏置电流ibias1、ibias2的提供比率变化，并能对放大器的输出特性进行调整。
图6是示出本发明实施方式2的变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100d)的图。功率放大电路100d具备偏置电路130d、132c，以代替图5所示的偏置电路130c、132a。
偏置电路130d在图5所示的偏置电路130c的结构的基础上还具备电容器c1a。
电容器c1a的一端与晶体管tr5a的集电极相连接，另一端与晶体管tr5a的基极相连接。
假设偏置电路130d不具备电容器c1a，此时，若输入信号rfin为大信号，则伴随着漏出至晶体管tr5a的基极的rf信号的振幅，晶体管tr5a的集电极电压发生变动。由此，rf信号的振幅的变动通过晶体管tr5a对控制电路120a的输出端子产生影响，控制电路120a输出的基准电流iref1会发生变动。具体而言，例如，存在以下情况，即，控制电路120a由电流源、及电流镜连接的mosfet构成，从该mosfet的漏极输出基准电流iref1。在该情况下，随着晶体管tr5a的集电极电压的上升，该mosfet的漏极·源极间电压下降，有可能存在无法输出具有所希望的电流量的基准电流的情况。
另一方面，在偏置电路130d的晶体管tr5a的基极·集电极间具备电容器c1a。此处，将电容器c1a的电容值设为cbc，将晶体管tr5a的电压增益设为gm，将从晶体管tr5a的集电极进行观察而得的控制电路120a侧的阻抗设为z。电容器c1a的结构成为与下述晶体管tr5a的基极进行ac接地的电容器等效的结构，该晶体管tr5a在从晶体管tr5a的基极进行观察时，因镜像效应(mirroreffect)而具有cbc的(1+gm×z)倍的电容值。因此，通过该电容器，能抑制伴随rf信号的振幅变化而变化的晶体管tr5a的基极电压的变动。由此，也能抑制晶体管tr5a的集电极电压的变动，因此能稳定地提供基准电流iref1。因此，在大信号输入时也能提供规定量的偏置电流ibias1。
偏置电路132c与偏置电路130d的结构相比，具备晶体管tr6b，以代替fet(fet3a)。此外，还具备电容器c2b。
晶体管tr6b的集电极被提供有电源电压vcc2，基极连接至控制电路122a的输出端子及晶体管tr5b(第4晶体管)的集电极，发射极与电阻元件r1b、r2b的一端相连接。由此，偏置电路130d中的fet(fet3a)或偏置电路132c中的晶体管tr6b(即，输出偏置电流的晶体管)可以是fet，也可以是双极型晶体管。
电容器c2b的一端与晶体管tr6b的发射极相连接，另一端提供有输入信号rfin。通过电容器c2b向晶体管tr6b的发射极提供输入信号rfin，从而使得晶体管tr6b的发射极电压根据输入信号rfin的振幅而变动。由此，在输入信号rfin为大信号时，在晶体管tr6b的发射极电压根据该输入信号的振幅而下降的情况下，晶体管tr6b导通，附加的偏置电流ibias2被提供至晶体管110的基极。
通过上述结构，在功率放大电路100d中，根据输入信号能对偏置电流ibias2的提供的有无进行控制。具体而言，例如，能对晶体管tr6b的基极电压vgb进行调整，使得输入信号rfin为小信号时晶体管tr6b截止，输入信号rfin为大信号时晶体管tr6b导通。由此，在输入信号rfin为大信号时附加地提供偏置电流ibias2，提供至晶体管110的基极的偏置电流的合计量得以增加。
在上述结构中，与功率放大电路100a相同地，也能使偏置电流ibias1、ibias2的提供比率变化，并能对放大器的输出特性进行调整。此外，功率放大电路100d中，在偏置电路130d、132c中抑制了晶体管tr5a、tr5b的集电极电压的变动，因此也抑制了基准电流iref1、iref2的变动。因此，与功率放大电路100c相比能稳定地提供偏置电流。
另外，由于电容器c1a、c1b能获得镜像效应，因此也能使用电容值相对较小的电容器。由此，抑制偏置电路的电路面积的增大，并能具备电容器c1a、c1b。优选将电容器c1a的电容值设为例如比fet(fet3)的栅极·源极间的寄生电容值要大，电容器c1b的电容值比晶体管tr6b的基极·发射极间的寄生电容值要大，且将电容器c1a、电容器c1b的电容值设为晶体管tr5a、tr5b适当地进行动作的程度的电容值(例如，2pf～6pf左右)。
图7是示出本发明实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100e)的图。功率放大电路100e具备偏置电路130e、132d，以代替图6所示的偏置电路130d、132c。
偏置电路130e、132d与图6所示的偏置电路130d、132c相比，分别具备电容器c3a、c3b，以代替电容器c1a、c1b。
电容器c3a的一端与晶体管tr5a的集电极相连接，另一端接地。即，电容器c3a对晶体管tr5a的集电极进行ac接地。由此，能抑制由rf信号的振幅所引起的晶体管tr5a的集电极电压的变动。因此，与功率放大电路100d相同地抑制了基准电流iref1的变动，即使在大信号输入时也能稳定地提供偏置电流ibias1。另外，关于偏置电路132d的电容器c3b，由于与偏置电路130e的电容器c3a相同，因此省略详细说明。
在上述结构中，功率放大电路100e与功率放大电路100a相同地，也能使偏置电流ibias1、ibias2的提供比率变化，并能对放大器的输出特性进行调整。此外，功率放大电路100e与功率放大电路100d相同地，能稳定地提供偏置电流ibias1、ibias2而与输入信号rfin的信号电平无关。
另外，由于电容器c3a、c3b无法获得上述镜像效应，因此需要比图6所示的电容器c1a、c1b更大的电容值。另一方面，电容器c3a、c3b与晶体管tr5a、tr5b的集电极进行ac接地，以代替与晶体管tr5a、tr5b的基极进行ac接地。因此，偏置电路130e、132d与偏置电路130d、132c不同，能抑制晶体管tr5a、tr5b的集电极电压(即，fet(fet3a)的栅极电压vga、晶体管tr6b的基极电压vgb)的变动，而不会对晶体管tr5a、tr5b的负反馈造成影响。
由此，偏置电路130e、132d维持由该负反馈实现的偏置电流ibias1、ibias2的调整功能，并能抑制由输入信号rfin的振幅所引起的基准电流iref1、iref2的变动。
图8是示出本发明实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100f)的图。功率放大电路100f具备偏置电路130f、132e，以代替图7所示的偏置电路130e、132d。
偏置电路130f、132e与图7所示的偏置电路130e、132d相比，分别具备电容器c4a、c4b，以代替电容器c3a、c3b。
电容器c4a的一端与fet(fet3a)的栅极相连接，另一端与fet(fet3a)的源极相连接。电容器c4a与图7所示的电容器c3a相同地，对由输入信号rfin的振幅所引起的晶体管tr5a的集电极电压(即，fet(fet3a)的栅极电压vga)的变动进行抑制。另外，关于偏置电路132e的电容器c4b，由于与偏置电路130f的电容器c4a相同，因此省略详细说明。
在上述结构中，功率放大电路100f与功率放大电路100a相同地，也能使偏置电流ibias1、ibias2的提供比率变化，并能对放大器的输出特性进行调整。此外，与功率放大电路100e相同地，能稳定地提供偏置电流ibias1、ibias2而与输入信号rfin的信号电平无关。
图9是示出本发明实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100g)的图。功率放大电路100g具备偏置电路130g，以代替图6所示的偏置电路130d。
偏置电路130g与图6所示的偏置电路130d相比，具备晶体管tr6a，以代替fet(fet3a)。如上所述，也可以利用双极型晶体管来构成偏置电路130d中的fet(fet3a)，以代替fet。
在上述结构中，功率放大电路100g也能得到与功率放大电路100d相同的效果。另外，在图7及图8所示的功率放大电路100e、100f中，与功率放大电路100g相同地，也可以使用双极型晶体管来代替偏置电路130e、130f所具备的fet(fet3a)。
以上，对本发明例示的实施方式进行了说明。功率放大电路100、100a～100g包括放大器、偏置电路130、132、以及对偏置电流或电压进行控制的控制电路120、122，偏置电路130的电流提供能力与偏置电路132的电流提供能力不同。由此，能使偏置电流ibias1、ibias2的提供比率变化，并能对放大器的输出特性进行调整。
此外，在功率放大电路100a中，偏置电路130、132具备晶体管tr3a、tr3b，晶体管tr3a的元件尺寸与晶体管tr3b的元件尺寸可以不同。由此，能使偏置电路130的电流提供能力与偏置电路132的电流提供能力不同。另外，偏置电路130、132的结构并不限于此。
此外，在功率放大电路100a～100g中，偏置电路130、132具备电阻元件r1a、r1b，电阻元件r1a的电阻值可以与电阻元件r1b的电阻值不同。由此，能使偏置电路130的电流提供能力与偏置电路132的电流提供能力不同。另外，偏置电路130、132的结构并不限于此。
此外，如图5～图9所示，偏置电路130还具备晶体管tr5a，并可以构成为对fet(fet3a)或晶体管tr6a进行负反馈。另外，偏置电路130的结构并不限于此。
此外，如图6～图9所示，偏置电路132还具备晶体管tr5b，并可以构成为对晶体管tr6b进行负反馈。另外，偏置电路132的结构并不限于此。
此外，在偏置电路130、132中输出偏置电流的晶体管并没有特别限定，例如，一个可以是fet而另一个是双极型晶体管，或者也可以均为双极型晶体管或均为fet。
另外，偏置电路130d～130g、132c～132e构成为均包含电容器c1a、c3a、c4a或c1b、c3b、c4b中的任意一个电容器，然而偏置电路130、132的结构并不限于此，也可以具备上述电容器c1a、c3a、c4a或c1b、c3b、c4b中的多个电容器。
此外，在功率放大电路由多级放大器构成的情况下，偏置电路130、132的结构可以适用于任意一级放大器。
此外，功率放大电路100a～100g中的偏置电路130、132的结构的组合为例示，也可以利用不同的组合来构成偏置电路130、132。另外，在本说明书中，示出了利用2个偏置电路来提供偏置电流的示例，然而偏置电路的数量并不限于此，也可以是3个以上。
上述所说明的各实施方式是为了便于理解本发明，但并非对本发明进行限定解释。本发明可以在不脱离其主旨的范围内进行变更或改良，并且本发明还包含与其等价的内容。即，只要在本领域技术人员对各实施方式进行适当的设计改变而得到的技术方案中包含本发明的特征，则认为其包含于本发明的范围内。例如，各实施方式所具有的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限于示例，能进行适当的改变。此外，各实施方式所具有的各要素能在技术上可实现的范围内进行组合，只要该组合包含本发明的特征则认为其也包含于本发明的范围中。
标号说明
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g功率放大电路
110、tr1a、tr1b、tr2a、tr2b、tr3a、tr3b、tr4a、tr4b、tr5a、tr5b、tr6a、tr6b晶体管
120、120a、122、122a控制电路
130、130a、130b、130c、130d、130e、130f、130g、132、132a、132b、132c、132d、132e偏置电路
140电感器
150、152匹配电路
fet1a、fet2a、fet3afet
r1a、r1b、r2a、r2b电阻元件
c1a、c1b、c2b、c3a、c3b、c4a、c4b电容器
ja、jb可变电流源