1.一种基于二次谐波交叉注入锁定技术的正交压控振荡器电路，其特征在于，包括两个差分电容电感压控振荡器电路、两个二次谐波注入结构电路、两根二次谐波处的1/4波长传输线和一个尾电流管；每个差分电容电感压控振荡器电路包括两个NMOS管、一个带中心抽头的电感、两个变容管、两个MIM电容和两个电阻,电感的一端作为差分电容电感压控振荡器的正相输出端，另一端作为差分电容电感压控振荡器的反相输出端，两个电阻的一端相互连接，并作为差分电容电感压控振荡器变容管偏置电压输入端，两个变容管的一端相互连接，并作为差分电容电感压控振荡器的控制电压输入端，两个NMOS管的源极相互连接并接地；所述二次谐波注入结构包括一个耦合电容、一个偏置电阻和一个注入管；所述注入管的漏极与差分电容电感压控振荡器的正相输出端连接，注入管的源极与差分电容电感压控振荡器的反相输出端连接，所述差分电容电感压控振荡器与尾电流管连接，所述尾电流管用来提供偏置电流，所述差分电容电感压控振荡器的电感的中心抽头与二次谐波处1/4波长传输线的一端连接，所述二次谐波处1/4波长传输线的另一端与尾电流管的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的一种基于二次谐波交叉注入锁定技术的正交压控振荡器电路，其特征在于：所述差分电容电感压控振荡器电路的两个NMOS管为第一NMOS管、第二NMOS管，所述两个变容管为第一变容管、第二变容管，所述两个MIM电容为第一电容、第二电容，所述两个电阻为第一电阻和第二电阻，所述第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极、第一MIM电容的一端和电感的一端相连，作为差分电容电感压控振荡器的正相输出端；第二NMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极、第二MIM电容的一端和电感的另一端相连，作为差分电容电感压控振荡器的反相输出端；第一电容的另一端、第一电阻的一端和第一变容管的一端相连；第二电容的另一端、第二电阻的一端和第二变容管的一端相连。
3.根据权利要求1所述的一种基于二次谐波交叉注入锁定技术的正交压控振荡器电路，其特征在于：所述二次谐波注入结构电路包括一个耦合电容、一个偏置电阻和一个注入管；所述耦合电容的一端作为信号注入端；所述耦合电容的另一端与偏置电阻的一端、注入管的栅极相连接；偏置电阻的另一端为偏置电压输入端。
4.根据权利要求1所述的一种基于二次谐波交叉注入锁定技术的正交压控振荡器电路，其特征在于：所述两个二次谐波注入结构电路和两个差分电容电感压控振荡器电路，将两个二次谐波注入结构电路的信号注入端交叉连接到另一个差分电容电感压控振荡器电路的电感的中心抽头。