一种开机电路及电子设备的制作方法

技术特征：

1.一种用于电子设备的开机电路，其特征在于，包括：

启动电平输入端子；

用于启动电子设备的输出端子；

其第一端与所述输入端子连接，第二端与所述输出端子连接的第一MOS管；

其一端与第一MOS管的控制端连接，另一端与地连接的延时导通单元；以及

其一端与启动电平输入端子连接，另一端与第一MOS管控制端连接的第一限流单元。

2.根据权利要求1所述的开机电路，其特征在于，所述第一MOS管为PMOS管，所述第一端为源极，所述第二端为漏极，所述控制端为栅极，所述第一限流单元为第一电阻器，所述延时导通单元为电容器，启动电平输入端子的逻辑高电平通过第一电阻器向电容器充电，使PMOS管导通，漏极输出逻辑高电平使电子设备开机。

3.根据权利要求2所述的开机电路，其特征在于，所述电容器充电时间与电子设备开机时间相等。

4.根据权利要求1所述的开机电路，其特征在于，所述开机电路还包括：

其控制端与第一MOS管的第二端连接的第二MOS管，所述第二MOS管的第一端接地，第二端与所述输出端子连接，以及

连接在第二MOS管第二端和电子设备系统电源之间的第二限流单元。

5.根据权利要求4所述的开机电路，其特征在于，所述第一MOS管为PMOS管，所述PMOS管的第一端为源极，所述PMOS管的第二端为漏极，所述控制端为栅极；所述第二MOS管为NMOS管，NMOS管的第一端为源极，NMOS管的第二端为漏极，NMOS管的控制端为栅极。

6.根据权利要求5所述的开机电路，其特征在于，所述第一限流单元为第一电阻器，所述第二限流单元为第二电阻器，所述延时导通单元为电容器，启动电平输入端子的逻辑高电平通过第一电阻器向电容器充电，使PMOS管导通，所述PMOS管漏极输出逻辑高电平至NMOS管栅极，使NMOS管导通，NMOS管漏极输出逻辑低电平使电子设备开机。

7.根据权利要求6所述的开机电路，其特征在于，所述第一电阻器阻值为1兆欧至5兆欧，第二电阻器阻值为1千欧至100千欧。

8.根据权利要求5所述的开机电路，其特征在于，所述NMOS管的栅极与源极间设有双向瞬态抑制二极管。

9.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的开机电路。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述开机电路中启动电平输入端子电压为电子设备接通电源或电子设备中电池的电压经适配器转换后的电压。