用于安装发光装置的多层构造的制作方法

本公开整体涉及可安装发光装置的构造以及与此类构造相关的系统和方法。

背景技术：

发光装置(LED)和/或其他装置可安装在切割或形成为单装置单元或多装置单元的基板上。设置在基板上的导电垫电连接到LED的端子。

技术实现要素：

用于安装发光半导体装置(LESD)的柔性多层构造包括柔性电介质基板，该柔性电介质基板包括相反的顶部主表面和底部主表面以及位于顶部主表面上的LESD安装区域。导电间隔开的第一垫和第二垫设置在LESD安装区域中，以用于电连接到被接纳在LESD安装区域中的LESD的对应的导电第一端子和第二端子。第一垫和第二垫限定两者间的凹槽，该凹槽具有小于约250微米的最大宽度和最大深度d。电绝缘反射材料至少部分地填充凹槽至大于约0.7d且小于约1.2d的最大厚度以及小于约270微米的最大宽度。

一些实施方案涉及用于被划分成多个柔性多层构造的柔性多层系统。每个柔性多层构造被配置用于安装不同的发光半导体装置。柔性多层系统包括柔性电介质基板，该柔性电介质基板包括相反的顶部主表面和底部主表面。导电层形成于电介质基板的顶部主表面上。该导电层限定沿第一方向纵向延伸的一个或多个间隔开的平行较宽的第一凹槽以及沿正交的第二方向纵向延伸的一个或多个间隔开的平行较窄的第二凹槽。每个较窄的第二凹槽与至少一个较宽的第一凹槽流体连通。每个第一凹槽和第二凹槽至少部分地填充有电绝缘反射材料。

一些实施方案涉及用于被划分成多个柔性多层构造的柔性多层系统。每个柔性多层构造被配置用于安装不同的发光半导体装置。柔性多层系统包括沿第一方向纵向延伸的多个间隔开的平行第一凹槽以及沿不同的第二方向纵向延伸的多个间隔开的平行第二凹槽。每个第二凹槽比每个第一凹槽窄，并且与至少一个第一凹槽连通。每个第一凹槽和第二凹槽至少部分地填充有电绝缘反射材料。

根据一些实施方案，柔性多层系统包括柔性电介质基板，该柔性电介质基板包括相反的顶部主表面和底部主表面。图案化导电层设置在顶部表面上并且限定多个间隔开的毛细管凹槽。每个毛细管凹槽具有宽度w和深度d。电绝缘反射材料设置在多个毛细管凹槽内。多个贮存器区域由图案化导电层限定。每个贮存器区域流体联接到一个或多个毛细管凹槽。每个贮存器区域被配置成保持一定量的电绝缘反射材料以至少部分地填充与其流体联接的一个或多个毛细管凹槽，使得一个或多个毛细管凹槽中的反射材料的最大厚度大于约0.7d且小于约1.2d，并且一个或多个毛细管凹槽中的反射材料的最大宽度小于约1.1w。每个毛细管凹槽的宽度和深度提供电绝缘反射材料在毛细管凹槽内的毛细管运动。

一些实施方案涉及用于安装电子装置的柔性多层构造。柔性多层构造包括导电间隔开的第一垫和第二垫，所述第一垫和第二垫用于电连接到电子装置的对应的导电第一端子和第二端子。第一垫和第二垫限定两者间的毛细管凹槽，该毛细管凹槽通过毛细管作用至少部分地填充有电绝缘反射材料。

一些实施方案涉及制造用于安装一个或多个发光半导体装置的一个或多个多层构造的方法。图案化导电层形成于电介质基板的顶部主表面上。该图案化导电层限定较宽的第一凹槽以及与较宽的第一凹槽连通的较窄的第二凹槽。电绝缘反射材料的溶液沉积于较宽的第一凹槽中。较窄的第二凹槽足够窄以提供毛细管作用，使得沉积于较宽的第一凹槽中的反射材料的溶液通过毛细管作用流动到较窄的第二凹槽中，并且至少部分地填充较窄的第二凹槽。

本申请的这些方面和其他方面通过下文的具体实施方式将显而易见。然而，在任何情况下都不应将上述发明内容理解为是对要求保护的主题的限制，该主题仅仅由所附权利要求限定。

附图说明

图1A提供了根据一些实施方案用于安装电子装置诸如发光半导体装置(LESD)的柔性多层构造的剖视图；

图1B示出了与图1A相同的多层构造，其中LESD安装到多层构造；

图1C示出了根据一些实施方案的多层构造的俯视图；

图2A和图2B示出了根据一些实施方案的可被划分成多个多层构造以用于安装单个LESD的多层系统；

图2C示出了划分图2A和图2B的多层系统所得到的多层构造；

图3A和图3B示出了根据一些实施方案的可被划分成多个多层构造以用于安装多个LESD的多层系统；

图3C示出了划分图3A和图3B的多层系统所得到的多层构造；以及

图4是示出根据一些实施方案的制造用于安装一个或多个LESD的多层构造的方法的流程图。

附图未必按照比例绘制。附图中使用的相似数字指示相似的部件。然而，应当理解，在给定附图中使用数字指示部件并非旨在限制另一附图中用相同数字标记的部件。

具体实施方式

本文所公开的实施方案涉及用于安装发光半导体装置(LESD)的构造。在被配置成安装LESD的构造中，支撑基板可吸收从LESD芯片发射的光。另外，在LESD发射紫外线(UV)的情况下，从LESD发射的UV光可趋于随时间推移而降解基板，特别是对于发射高强度光的LESD而言。光的吸收和/或基板材料的降解可通过基板表面的具有吸收减少涂层的涂覆部分来减少，同时使导电垫保持基本上洁净以附接LESD。然而，当导电垫是紧密间隔的时，标准涂覆工艺诸如丝网印刷法是次优的，因为不能实现期望的沉积分辨率。本文所公开的实施方案涉及用于通过毛细管运动将反射材料施加在导电垫之间的方法。

图1A提供了柔性多层构造100的剖视图，该柔性多层构造用于安装诸如LESD的电子装置。图1B示出了与图1A相同的多层构造100，其中LESD 119安装到多层构造100。构造100包括柔性基板110，该柔性基板包括电介质部分116(例如，包含聚酰亚胺膜(PI))，并且可包括导电部分115(例如，包含铜)。柔性基板110具有相反的顶部主表面110b和底部主表面110a，以及顶部主表面110b上的一个或多个LESD安装区域110c。导电间隔开的第一垫121和第二垫122设置在LESD安装区域110c中，并且被配置用于电连接到LESD 119的对应的导电第一端子和第二端子141、142(参见图1B)。相邻的第一垫和第二垫121、122限定两者间具有最大宽度w和最大深度d的毛细管凹槽135。该凹槽135被配置成使得其可通过毛细管作用至少部分地填充有电绝缘反射材料130。

如图1A和图1B所示，在一些实施方案中，垫121、122可包括便于定位LESD 119的基准150。

在各种实施方案中，凹槽135的最大宽度可小于约250微米、小于约200微米、小于约150微米、小于约100微米、小于约80微米、小于约60微米或甚至小于约40微米。例如，凹槽的深度d可在约10微米至80微米的范围内，或者在约10微米至70微米的范围内。在一些实施方案中，填充的反射材料130的最大宽度小于约260微米。填充的反射材料130的最大宽度可小于约1.1w，这意味着反射材料130可设置在凹槽135中并且略微延伸到凹槽135的任一侧上的导电垫121、122中一者或两者的顶部表面上。在一些情况下，当反射材料130至少部分地填充凹槽135时，一些反射材料130设置在第一垫和/或第二垫的顶部表面上。反射材料130在一个或两个导电垫121、122的顶部表面上的放置被限制在凹槽135的30微米内、20微米内或甚至15微米内。

在凹槽135的侧边缘136、137内填充反射材料130上的位置处，柔性多层构造100在光谱的可见光范围内可具有小于约25％或小于约20％的平均光学透射率。在凹槽135的侧边缘136、137内填充反射材料130上的位置处，柔性多层构造100在光谱的可见光范围内可具有大于约70％或大于约80％的平均光学反射率。

在凹槽135的侧边缘136、137内的位置处，填充反射材料130可使柔性多层构造100的平均光学透射率增加至少60％或至少70％。反射材料130的顶部表面131可为平坦的，或者可朝向凹槽135的底部表面138凹入，或者可远离凹槽135的底部表面138凸出。

如本文更详细地讨论，在一些实施方案中，每个毛细管凹槽135可流体连接到可装载有反射材料的一个或多个贮存器区域。沉积于贮存器区域中的反射材料在毛细管力作用下沿着毛细管凹槽移动。贮存器区域比凹槽的宽度w宽。例如，毛细管凹槽135的宽度可比贮存器区域的宽度小至少约70％。

图1C示出了根据一些实施方案的多层构造160的俯视图。每个毛细管凹槽175在相反的第一凹槽端和第二凹槽端161、162之间延伸并且与一个或多个贮存器区域163相交。在第一凹槽端和第二凹槽端161、162中的至少一者处的凹槽175宽度可比第一凹槽端与第二凹槽端161、162之间的一个或多个点163处的凹槽135的宽度小至少约70％。沿着凹槽175的较宽点163是贮存器区域。尽管图1C示出了多个贮存器区域，但在一些实施方案中，仅一个贮存器区域例如在第一凹槽端与第二凹槽端之间的凹槽中点处与凹槽相交。

如图2A至图2C和图3A至图3C的俯视图所示，柔性多层系统200、300可被配置成被划分为多个柔性多层构造290、390。每个柔性多层构造290、390被配置用于安装一个或多个不同装置，例如一个或多个LESD。单个装置可安装在图2C所示的柔性多层构造290上。多个装置可安装在图3C所示的柔性多层构造390上。

根据一些实施方案，柔性多层系统200、300包括柔性电介质基板，该柔性电介质基板包括相反的顶部主表面和底部主表面(参见图1，元件110、110b、110a)。图案化导电层220设置在柔性电介质基板的顶部表面上并且限定多个间隔开的毛细管凹槽240、340，每个毛细管凹槽240、340具有宽度w和深度d。电绝缘反射材料250、350设置在多个毛细管凹槽240、340内。每个毛细管凹槽240、340的宽度和深度支撑电绝缘反射材料250、350在毛细管凹槽240、340内的毛细管流动。一个或多个贮存器区域230、330流体连接到毛细管凹槽240、340中的一者或多者。贮存器区域230、330在图2A至图3C中被示出为凹槽。然而，只要一个或多个贮存器区域230、330能够保持一定量的电绝缘反射材料250、350以至少部分地填充与它们流体连接的一个或多个毛细管凹槽240、340，使反射材料的最大厚度大于约0.7d且小于约1.2d，并且使得反射材料的最大宽度小于约1.1w，则贮存器区域230、330可具有任何合适的形状。

每个贮存器区域230、330具有足够大的面积，使得贮存器区域230、330能够用反射材料250、350的溶液可靠地丝网印刷而不会将溶液印刷到贮存器区域230、330的侧边缘231、232、331、332之外。每个毛细管凹槽240、340足够窄，使得它不能够用反射材料250、350的溶液可靠地丝网印刷而不会将溶液印刷到凹槽240、340的侧边缘241、242、341、342之外。例如，在一些实施方案中，每个较宽的第一凹槽230、330的最小宽度可为至少400微米。在一些实施方案中，每个较窄的第二凹槽240、340的最大宽度可为至多200微米。

如图2A至图3C所示，多个贮存器区域230、330可包括沿第一方向(y)延伸的多个间隔开的平行较宽的凹槽，并且多个毛细管凹槽240、340可包括沿与第一方向不同的第二(x)方向延伸的多个较窄的平行凹槽。在一些实施方案中，每个第一凹槽和第二凹槽230、330、240、340填充有反射材料250、350。

如参考图1A的剖视图以及图2A和图3A的俯视图最佳理解的那样，柔性多层系统200、300包括柔性电介质基板110，该柔性电介质基板包括相反的顶部主表面110b和底部主表面110b。导电层220、320形成于电介质基板110的顶部主表面上。导电层220、320限定沿第一(y)方向纵向延伸的一个或多个间隔开的平行较宽的第一凹槽230、330。一个或多个间隔开的平行较窄的第二凹槽240、340沿正交的第二(x)方向纵向延伸。每个较窄的第二凹槽240、340与至少一个较宽的第一凹槽230、330流体连通。电绝缘反射材料250、350至少部分地填充每个第一凹槽230、330和第二凹槽240、340。

每个第一凹槽230、330和第二凹槽240、340沿深度方向延伸到电介质基板110的顶部主表面110b(参见图1A)。例如，在一些实施方案中，一个或多个间隔开的平行较宽的第一凹槽230、330可包括至少20个间隔开的平行较宽的第一凹槽。例如，在一些实施方案中，一个或多个间隔开的平行较窄的第二凹槽240、340包括至少50个间隔开的平行较窄的第二凹槽。

通过沿着虚线299、399切割，柔性多层系统200、300可被划分成多个柔性多层构造290、390。每个构造290、390包括LESD安装区域291、391，所述LESD安装区域包括较窄的第二凹槽240、340的一部分。构造290、390在第二凹槽240、340的第一例向侧上具有导电层220、320的第一部分261、361，并且在第二凹槽240、340的相反的第二侧向侧上具有导电层220、320的第二部分262、362。如图2C所示，在一些具体实施中，较窄的第二凹槽240延伸到柔性多层构造290的边缘292、293。第一导电部分261、361和第二导电部分262、362彼此电隔离并且形成导电间隔开的相应的第一垫和第二垫，该第一垫和第二垫用于电连接到被接纳在LESD安装区域291、391中的LESD的对应的导电第一端子和第二端子。反射材料250、350至少部分地填充第二凹槽240、340并且被配置成反射由LESD发射的光。

图4是示出根据各种实施方案制造用于安装一个或多个发光半导体装置(LESD)的多层构造的方法的流程图。图案化导电层形成410在包含电介质材料的基板的顶部主表面上。例如，柔性基板可包含聚酰亚胺(PI)、热塑性PI、芳族聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、多环烯烃、聚砜(PSU)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、环氧树脂和热塑性电介质材料中的一种或多种。

图案化导电层限定贮存器区域以及与贮存器区域流体连通的毛细管凹槽。形成图案化导电层可涉及平版印刷工艺、电镀工艺、印刷工艺、涂覆工艺和蚀刻工艺中的一种或多种。例如，贮存器区域可包括较宽的第一凹槽，并且毛细管凹槽可包括较窄的第二凹槽。每个较窄的第二凹槽与至少一个较宽的第一凹槽连通。例如，在一些实施方案中，每个较宽的第一凹槽沿第一方向纵向延伸，并且每个较窄的第二凹槽沿不同的第二方向纵向延伸。

将电绝缘反射材料的溶液沉积420在较宽的第一凹槽中，例如通过将溶液丝网印刷在较宽的第一凹槽中。例如，电绝缘反射材料可包含环氧树脂、聚氯酯、聚酰亚胺和多晶硅中的一种或多种。在一些具体实施中，电绝缘反射材料的溶液是基本上无溶剂的，或者电绝缘反射材料的溶液包含小于约5重量％的溶剂。

每个较窄的第二凹槽足够窄以提供溶液的毛细管运动，使得沉积于较宽的第一凹槽中的反射材料的溶液通过毛细管流动而流动到与较宽的第一凹槽连通的较窄的第二凹槽中，并且至少部分地填充较窄的第二凹槽。

在一些具体实施中，电绝缘反射材料的溶液可被预固化或以其他方式预处理，以在其沉积到较宽的第二凹槽中之前达到期望的粘度。例如，预处理可应用于电绝缘反射材料，直到电绝缘反射材料的粘度增加到约600至800泊或者在约500和800泊之间。预处理溶液的步骤将溶液的粘度增加至同时允许溶液的丝网印刷和毛细管运动的粘度。在一些实施方案中，预处理电绝缘反射材料涉及通过将溶液加热到约40至60摄氏度范围内的温度例如约50摄氏度或者加热约2至4小时的时间段来预固化溶液，以在沉积之前增加溶液的粘度。

任选地，在将反射材料沉积到较宽的第一凹槽(贮存器区域)中以及在沉积的反射材料毛细管流动到较窄的第二凹槽(毛细管凹槽)中期间，可将电介质基板的温度保持在高于室温的温度下。例如，在沉积和/或毛细管流动期间，电介质基板的温度可保持在约30至80摄氏度的范围内、约40至70摄氏度的范围内、约45至70摄氏度的范围内或约50至70摄氏度的范围内。将电介质基板的温度保持在高于室温的温度可使沉积的反射材料向较窄的第二凹槽的毛细管流动速度增加至少10倍、至少50倍或甚至至少100倍。

任选地，电绝缘反射材料可至少第二次沉积430于较宽的第一凹槽中。第二次沉积的溶液通过毛细管作用进一步填充较窄的第二凹槽。在将反射材料第二次沉积于较宽的第一凹槽中以及在沉积的反射材料毛细管流动到较窄的第二凹槽中期间，可将电介质基板保持在高于室温的温度下。第二次沉积反射材料将增大反射材料在较宽的第一凹槽和较窄的第二凹槽中的厚度。然而，反射材料的厚度可在较宽的第一凹槽中增加更多，在较窄的第二凹槽中增加更少。

在将反射材料沉积于较宽的第一凹槽中并且在沉积的反射材料毛细管流动到较窄的第二凹槽中之后，反射材料固化440。在一些具体实施中，固化步骤包括将反射材料的温度增加到约130至约170摄氏度或者增加到约140至约170摄氏度，并且将升高的温度保持约1至3小时。在一些具体实施中，固化步骤包括将反射材料暴露于UV辐射。

图案化导电层具有设置在一个或多个较宽的第一凹槽中的反射材料，并且一个或多个较窄的凹槽可例如通过切割被划分450成多个单个或多个装置多层构造。每个多层构造可包括至少部分地填充有电绝缘反射材料的至少一个较窄的第二凹槽的一部分。在一些具体实施中，较窄的第二凹槽的填充部分延伸到柔性多层构造的第一边缘和第二边缘中的至少一者。在一些具体实施中，较窄的第二凹槽的填充部分延伸到柔性多层构造的第一边缘和第二边缘两者。

本文所公开的项目包括：

项目1.一种用于安装发光半导体装置(LESD)的柔性多层构造，该柔性多层构造包括：

柔性电介质基板，该柔性电介质基板包括相反的顶部主表面和底部主表面，以及在顶部主表面上的LESD安装区域；

设置在LESD安装区域中的导电间隔开的第一垫和第二垫，所述第一垫和第二垫用于电连接到被接纳在LESD安装区域中的LESD的对应的导电第一端子和第二端子，所述第一垫和第二垫限定两者间的凹槽，该凹槽具有小于约250微米的最大宽度和最大深度d；以及

电绝缘反射材料，该电绝缘反射材料至少部分地填充凹槽至大于约0.7d且小于约1.2d的最大厚度以及小于约270微米的最大宽度。

项目2.根据项目1所述的柔性多层构造，其中凹槽的最大宽度小于约200微米。

项目3.根据项目1所述的柔性多层构造，其中凹槽的最大宽度小于约150微米。

项目4.根据项目1所述的柔性多层构造，其中凹槽的最大宽度小于约100微米。

项目5.根据项目1所述的柔性多层构造，其中凹槽的最大宽度小于约80微米。

项目6.根据项目1所述的柔性多层构造，其中凹槽的最大宽度小于约60微米。

项目7.根据项目1所述的柔性多层构造，其中凹槽的最大宽度小于约40微米。

项目8.根据项目1所述的柔性多层构造，其中d在约10微米至80微米的范围内。

项目9.根据项目1所述的柔性多层构造，其中d在约10微米至70微米的范围内。

项目10.根据项目1所述的柔性多层构造，其中填充的反射材料的最大宽度小于约260微米。

项目11.根据项目1所述的柔性多层构造，其中凹槽的最大宽度为w，并且填充的反射材料的最大宽度小于约1.1w。

项目12.根据项目1至11中任一项所述的柔性多层构造，其中如果当反射材料至少部分地填充凹槽时，一些反射材料被放置在第一垫或第二垫的顶部表面上，该放置被限制在凹槽的30微米内。

项目13.根据项目1至11中任一项所述的柔性多层构造，其中如果当反射材料至少部分地填充凹槽时，一些反射材料被放置在第一垫或第二垫的顶部表面上，该放置被限制在凹槽的20微米内。

项目14.根据项目1至11中任一项所述的柔性多层构造，其中如果当反射材料至少部分地填充凹槽时，一些反射材料被放置在第一垫或第二垫的顶部表面上，该放置被限制在凹槽的15微米内。

项目15.根据项目1至14中任一项所述的柔性多层构造，其中反射材料通过毛细管作用至少部分地填充凹槽。

项目16.根据项目1至15中任一项所述的柔性多层构造，该柔性多层构造在凹槽的侧边缘内填充反射材料上的位置处在光谱的可见光范围内具有小于约25％的平均光学透射率。

项目17.根据项目1至15中任一项所述的柔性多层构造，该柔性多层构造在凹槽的侧边缘内填充反射材料上的位置处在光谱的可见光范围内具有小于约20％的平均光学透射率。

项目18.根据项目1至17中任一项所述的柔性多层构造，该柔性多层构造在凹槽的侧边缘内填充反射材料上的位置处在光谱的可见光范围内具有大于约70％的平均光学反射率。

项目19.根据项目1至17中任一项所述的柔性多层构造，该柔性多层构造在凹槽的侧边缘内填充反射材料上的位置处在光谱的可见光范围内具有大于约80％的平均光学反射率。

项目20.根据项目1至19中任一项所述的柔性多层构造，其中填充的反射材料在凹槽的侧边缘内的位置处使柔性多层构造的平均光学透射率增加至少60％。

项目21.根据项目1至19中任一项所述的柔性多层构造，其中填充的反射材料在凹槽的侧边缘内的位置处使柔性多层构造的平均光学透射率增加至少70％。

项目22.根据项目1至21中任一项所述的柔性多层构造，其中反射材料的顶部表面远离凹槽的底部表面凸出。

项目23.根据项目1至22中任一项所述的柔性多层构造，其中凹槽在相反的第一凹槽端与第二凹槽端之间延伸，在第一凹槽端和第二凹槽端中的至少一者处的凹槽宽度比在第一凹槽端与第二凹槽端之间的中间点处的凹槽宽度小至少约70％。

项目24.一种用于被划分成多个柔性多层构造的柔性多层系统，每个柔性多层构造用于安装不同的发光半导体装置(LESD)，该柔性多层系统包括：

柔性电介质基板，该柔性电介质基板包括相反的顶部主表面和底部主表面；

形成于电介质基板的顶部主表面上的导电层，该导电层限定

沿第一方向纵向延伸的一个或多个间隔开的平行较宽的第一凹槽；以及

沿正交的第二方向纵向延伸的一个或多个间隔开的平行较窄的第二凹槽，每个较窄的第二凹槽与至少一个较宽的第一凹槽连通；以及

电绝缘反射材料，该电绝缘反射材料至少部分地填充每个第一凹槽和第二凹槽。

项目25.根据项目24所述的柔性多层系统，其中每个第一凹槽和第二凹槽沿深度方向延伸到电介质基板的顶部主表面。

项目26.根据项目24至25中任一项所述的柔性多层系统，其中所述一个或多个间隔开的平行较宽的第一凹槽包括至少20个间隔开的平行较宽的第一凹槽。

项目27.根据项目24至25中任一项所述的柔性多层系统，其中所述一个或多个间隔开的平行较窄的第二凹槽包括至少50个间隔开的平行较窄的第二凹槽。

项目28.根据项目24至27中任一项所述的柔性多层系统，其中每个较宽的第一凹槽足够宽，使得它能够用反射材料的溶液可靠地丝网印刷而不会将溶液印刷到第一凹槽的侧边缘之外。

项目29.根据项目24至28中任一项所述的柔性多层系统，其中每个较窄的第二凹槽足够窄，使得它不能够用反射材料的溶液可靠地丝网印刷而不会将溶液印刷到第一凹槽的侧边缘之外。

项目30.根据项目24至29中任一项所述的柔性多层系统，其中每个较宽的第一凹槽的最小宽度为至少400微米，并且每个较窄的第二凹槽的最大宽度为至多200微米。

项目31.根据权利要求24至30中任一项所述的柔性多层系统，其中当所述柔性多层系统被划分成多个柔性多层构造时，每个构造包括LESD安装区域，所述LESD安装区域包括所述一个或多个较窄的第二凹槽中的一个较窄的第二凹槽，所述较窄的第二凹槽具有在所述第二凹槽的第一例向侧上的所述导电层的第一部分以及在所述第二凹槽的相反的第二侧向侧上的所述导电层的第二部分，所述第一导电部分和所述第二导电部分彼此电隔离并且形成导电间隔开的相应的第一垫和第二垫，该第一垫和第二垫用于电连接到被接纳在所述LESD安装区域中的LESD的对应的导电第一端子和第二端子，所述反射材料至少部分地填充被配置成反射由LESD发射的光的所述第二凹槽。

项目32.根据权利要求24至31中任一项所述的柔性多层系统，其中当所述柔性多层系统被划分成多个柔性多层构造时，每个柔性多层构造包括至少部分地填充有所述电绝缘反射材料的至少一个较窄的第二凹槽的一部分，所述较窄的第二凹槽的所述填充部分延伸到所述柔性多层构造的第一边缘和第二边缘中的至少一者。

项目33.根据项目24至31中任一项所述的柔性多层系统，其中当柔性多层系统被划分成多个柔性多层构造时，每个柔性多层构造包括至少部分地填充有电绝缘反射材料的至少一个较窄的第二凹槽的一部分，所述较窄的第二凹槽的填充部分延伸到柔性多层构造的第一边缘和第二边缘中的两者。

项目34.一种用于被划分成多个柔性多层构造的柔性多层系统，每个柔性多层构造用于安装不同的发光半导体装置(LESD)，该柔性多层系统包括沿第一方向纵向延伸的多个间隔开的平行第一凹槽以及沿不同的第二方向纵向延伸的多个间隔开的平行第二凹槽，每个第二凹槽比每个第一凹槽窄并且与至少一个第一凹槽连通，每个第一凹槽和第二凹槽至少部分地填充有电绝缘反射材料。

项目35.一种柔性多层系统，包括：

柔性电介质基板，该柔性电介质基板包括相反的顶部主表面和底部主表面；

图案化导电层，该图案化导电层设置在顶部表面上并且限定多个间隔开的毛细管凹槽，每个毛细管凹槽具有宽度w和深度d；

电绝缘反射材料，该电绝缘反射材料设置在多个毛细管凹槽内；以及

由图案化导电层限定的多个贮存器区域，每个贮存器区域流体联接到毛细管凹槽中的一个或多个，并且被配置成保持一定量的电绝缘反射材料以至少部分地填充一个或多个毛细管凹槽，使得一个或多个毛细管凹槽中的反射材料的最大厚度大于约0.7d且小于约1.2d，并且一个或多个毛细管凹槽中的反射材料的最大宽度小于约1.1w，其中每个毛细管凹槽的宽度和深度提供电绝缘反射材料在毛细管凹槽内的毛细管运动。

项目36.根据项目35所述的柔性多层系统，其中：

每个贮存器区域具有足够大的面积，使得贮存器区域能够用反射材料的溶液可靠地丝网印刷而不会将溶液印刷到贮存器区域的侧边缘之外；并且

每个毛细管凹槽足够窄，使得它不能够用反射材料的溶液可靠地丝网印刷而不会将溶液印刷到凹槽的侧边缘之外。项目37.根据项目35至36中任一项所述的柔性多层系统，其中：

多个贮存器区域包括沿第一方向延伸的多个间隔开的平行较宽的凹槽；并且

多个毛细管凹槽包括沿与第一方向不同的第二方向延伸的多个较窄的平行凹槽。

项目38.一种柔性多层构造，该柔性多层构造用于安装电子装置并且包括导电间隔开的第一垫和第二垫，所述第一垫和第二垫用于电连接到电子装置的对应的导电第一端子和第二端子，第一垫和第二垫限定两者间的毛细管凹槽，该毛细管凹槽通过毛细管作用至少部分地填充有电绝缘反射材料。

项目39.根据权利要求38所述的柔性多层构造，其中：

毛细管凹槽具有小于约250微米的最大宽度和最大深度d；并且

电绝缘反射材料将毛细管凹槽填充至大于约0.7d且小于约1.2d最大厚度。

项目40.根据项目38至39中任一项所述的柔性多层构造，其中毛细管凹槽的最大宽度为w，并且填充反射材料的最大宽度小于约1.1w。

项目41.根据项目38至40中任一项所述的柔性多层构造，其中导电间隔开的第一垫和第二垫设置在电介质基板上，并且毛细管凹槽延伸到电介质基板的至少一个边缘。

项目42.一种制造用于安装一个或多个发光半导体装置(LESD)的一个或多个多层构造的方法，该方法包括：

提供柔性电介质基板；

在电介质基板的顶部主表面上形成图案化导电层，该图案化导电层限定：

较宽的第一凹槽；以及

与较宽的第一凹槽连通的较窄的第二凹槽；以及

将电绝缘反射材料的溶液沉积于较宽的第一凹槽中，较窄的第二凹槽足够窄以提供毛细管作用，使得沉积于较宽的第一凹槽中的反射材料的溶液通过毛细管作用流动到较窄的第二凹槽中，并且至少部分地填充较窄的第二凹槽。

项目43.根据项目42所述的方法，其中柔性基板包含聚酰亚胺(PI)、热塑性PI、芳族聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、多环烯烃、聚砜(PSU)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、环氧树脂和热塑性电介质材料中的一种或多种。

项目44.根据项目42至43中任一项所述的方法，其中对导电层进行图案化的步骤包括平版印刷工艺、电镀工艺、印刷工艺、涂覆工艺和蚀刻工艺中的一种或多种。

项目45.根据项目42至44中任一项所述的方法，其中将反射材料的溶液沉积于较宽的第一凹槽中的步骤包括将溶液丝网印刷在较宽的第一凹槽中。

项目46.根据项目42至45中任一项所述的方法，其中电绝缘反射材料的溶液是基本上无溶剂的。

项目47.根据项目42至45中任一项所述的方法，其中电绝缘反射材料的溶液包含小于5重量％的溶剂。

项目48.根据项目42至47中任一项所述的方法，还包括预固化电绝缘反射材料的溶液以增加溶液粘度的步骤。

项目49.根据项目48所述的方法，其中预固化溶液的步骤包括加热溶液。

项目50.根据项目49所述的方法，其中加热溶液的步骤包括将溶液的温度升高到约40至60摄氏度。

项目51.根据项目49所述的方法，其中加热溶液的步骤包括将溶液的温度升高到约50摄氏度。

项目52.根据项目49所述的方法，其中将溶液加热约2至4小时。

项目53.根据项目42至52中任一项所述的方法，还包括以下步骤：在将反射材料沉积于较宽的第一凹槽中以及在沉积的反射材料毛细管流动到较窄的第二凹槽中期间，将电介质基板的温度保持在高于室温的温度下。

项目54.根据项目53所述的方法，其中电介质基板的温度保持在约30至80摄氏度的范围内。

项目55.根据项目53所述的方法，其中电介质基板的温度保持在约40至70摄氏度的范围内。

项目56.根据项目53所述的方法，其中电介质基板的温度保持在约45至70摄氏度的范围内。

项目57.根据项目53所述的方法，其中电介质基板的温度保持在约50至70摄氏度的范围内。

项目58.根据项目53所述的方法，其中将电介质基板的温度保持在高于室温的温度下的步骤使沉积的反射材料向较窄的第二凹槽的毛细管流动速度增加至少10倍。

项目59.根据项目53所述的方法，其中将电介质基板的温度保持在高于室温的温度下的步骤使沉积的反射材料向较窄的第二凹槽的毛细管流动速度增加至少50倍。

项目60.根据项目53所述的方法，其中将电介质基板的温度保持在高于室温的温度下的步骤使沉积的反射材料向较窄的第二凹槽的毛细管流动速度增加至少100倍。

项目61.根据项目42至60中任一项所述的方法，还包括将电绝缘反射材料的溶液第二次沉积于较宽的第一凹槽中的步骤，沉积的溶液通过毛细管作用进一步填充较窄的第二凹槽。

项目62.根据项目61所述的方法，还包括在将反射材料第二次沉积于较宽的第一凹槽中以及在沉积的反射材料毛细管流动到较窄的第二凹槽中期间，将电介质基板的温度保持在高于室温的温度下。

项目63.根据项目61所述的方法，其中第二次沉积反射材料的步骤增加反射材料在较宽的第一凹槽和较窄的第二凹槽中的厚度。

项目64.根据项目63所述的方法，其中反射材料的厚度在较宽的第一凹槽中增加更多且在较窄的第二凹槽中增加更少。

项目65.根据项目42至64中任一项所述的方法，还包括以下步骤：在将反射材料沉积于较宽的第一凹槽中以及在沉积的反射材料毛细管流动到较窄的第二凹槽中之后，固化反射材料。

项目66.根据项目65所述的方法，其中固化步骤包括将反射材料的温度升高到约130至约170摄氏度。

项目67.根据项目66所述的方法，其中将升高的温度保持约1至3小时。

项目68.根据项目65所述的方法，其中固化步骤包括将反射材料的温度升高到约140至约170摄氏度。

项目67.根据项目65所述的方法，其中固化步骤包括将反射材料暴露于UV辐射。

项目68.根据项目42至67中任一项所述的方法，其中较宽的第一凹槽沿第一方向纵向延伸，并且较窄的第二凹槽沿不同的第二方向纵向延伸。

项目69.根据项目42至68中任一项所述的方法，其中图案化导电层限定：

多个较宽的第一凹槽；以及

多个较窄的第二凹槽，每个较窄的第二凹槽与至少一个较宽的第一凹槽连通。

项目70.根据项目69所述的方法，其中沉积电绝缘反射材料的溶液的步骤包括：将溶液沉积于每个较宽的第一凹槽中，较窄的第二凹槽足够窄以提供毛细管作用使得沉积于每个较宽的第一凹槽中的反射材料的溶液通过毛细管作用流动到与较宽的第一凹槽连通的至少一个较窄的第二凹槽中，并且至少部分地填充至少一个较窄的第二凹槽。

项目71.根据项目42至70中任一项所述的方法，其中电绝缘反射材料包含环氧树脂、聚氯酯、聚酰亚胺和多晶硅中的一种或多种。

项目72.根据项目42至71中任一项所述的方法，还包括将其上形成有图案化导电层的柔性电介质基板划分成多个多层构造。

该发明的各种变型和更改对于本领域中的技术人员都是显而易见的，并且应当理解，该公开的范围不局限于本文所阐述的例示性实施例。例如，阅读者应当认为一个公开的实施方案中的特征可同样应用于所有其他公开实施方案，除非另外指明。