跨导线性化宽带LC型压控振荡器及可调电容阵列电路的制作方法

技术特征：

1.一种跨导线性化宽带LC型压控振荡器，包括LC振荡电路及可调电容阵列电路一；所述LC振荡电路用于产生振荡信号；其特征在于：

该LC振荡电路包括PMOS管一(MP1)、PMOS管二(MP2)、三端差分电感一(L1)和偏置电路；

所述PMOS管一(MP1)的栅极通过交流耦合电容一(C1)连接到PMOS管二(MP2)的漏极，PMOS管二(MP2)的栅极通过交流耦合电容二(C2)连接到PMOS管一(MP1)的漏极；三端差分电感一(L1)的对称两端分别与PMOS管一(MP1)的栅极和PMOS管二(MP2)的栅极连接，三端差分电感一(L1)的中间抽头端连接偏置电路；可调电容阵列电路一与三端差分电感一(L1)的对称两端并联连接。

2.根据权利要求1所述的跨导线性化宽带LC型压控振荡器，其特征在于：该LC振荡电路还包括三端差分电感二(L2)、电压控制可变电容三、四和可调电容阵列电路二；三端差分电感二(L2)的对称两端分别与PMOS管一(MP1)的漏极和PMOS管二(MP2)的漏极连接，三端差分电感二(L2)的中间抽头端接地；电压控制可变电容三、四的负端同时连接外部控制端口，电压控制可变电容三、四的正端分别与PMOS管一(MP1)的漏极和PMOS管二(MP2)的漏极连接；可调电容阵列电路二与三端差分电感二(L2)的对称两端并联连接。

3.根据权利要求1或2所述的跨导线性化宽带LC型压控振荡器，其特征在于：所述可调电容阵列电路一包括2^N个可调电容阵列子单元；N取≥1的正整数。

4.根据权利要求3所述的跨导线性化宽带LC型压控振荡器，其特征在于：所述可调电容阵列子单元由电容八、九、反相器一(11)、反相器二(12)、NMOS管三以及电阻一、二、三构成；电容八的一端和电容九的一端分别连接三端差分电感一(L1)的对称两端，电容八的另一端接到NMOS管三的漏极，电容九的另一端接到NMOS管三的源极；反相器一(11)的输入端接收外部数字控制信号，反相器一(11)的输出信号为反相器二(12)的输入信号，同时反相器一(11)的输出信号通过电阻一为NMOS管三的栅极提供控制信号，反相器二(12)的输出信号分别通过电阻二、三为NMOS管三的漏极和源极提供控制信号。

5.根据权利要求4所述的跨导线性化宽带LC型压控振荡器，其特征在于：所述偏置电路包括偏置电感和偏置电容；偏置电感与偏置电容并联连接，并联节点的一端接地，并联节点的另一端作为偏置电压输出端与三端差分电感一(L1)的中间抽头端连接。

6.根据权利要求1或2所述的跨导线性化宽带LC型压控振荡器，其特征在于：该LC振荡电路还包括电感三，该电感三的一端接电源，另一端同时与PMOS管一(MP1)、PMOS管二的源极连接。

7.一种构成压控振荡器的可调电容阵列电路，其特征在于：该可调电容阵列电路包括2^N个可调电容阵列子单元；N取≥1的正整数；所述可调电容阵列子单元由电容八、九、反相器一、二、NMOS管三以及电阻一、二、三构成；电容八的一端和电容九的一端分别连接对应的三端差分电感的对称两端，电容八的另一端接到NMOS管三的漏极，电容九的另一端接到NMOS管三的源极；反相器一(11)的输入端接收外部数字控制信号，反相器一(11)的输出信号为反相器二(12)的输入信号，同时反相器一(11)的输出信号通过电阻一为NMOS管三的栅极提供控制信号，反相器二(12)的输出信号分别通过电阻二、三为NMOS管三的漏极和源极提供控制信号。