技术特征：
技术总结
本发明涉及一种磁聚焦霍尔推力器长寿命设计下的磁路结构设计方法，属于霍尔推力器设计技术领域。所述方法首先将陶瓷放电通道壁面厚度、内磁屏和外磁屏的厚度均增加，提高推力器使用寿命，然后将陶瓷放电通道壁面后段调整为分段式结构或使减少陶瓷放电通道后段的陶瓷放电通道壁面的厚度，最终实现降低励磁效率损失。在设计结构中，内磁屏和外磁屏采用高导磁率、低热膨胀系数的软磁铁氧体材料替代DT4C纯铁。
技术研发人员：于达仁;宁中喜;夏国俊;李鸿;朱悉铭;刘星宇
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学
技术研发日：2018.03.14
技术公布日：2018.07.20