声波装置及制造该声波装置的方法与流程

本公开涉及一种声波装置及制造该声波装置的方法。

背景技术：

带通滤波器是从各种频带中仅选择所需频带内的信号以发送和接收所选择的信号的通信装置中的关键组件。

近年来，声波装置已被广泛地用作这种带通滤波器。在声波装置中，通过将压电介电材料沉积在作为半导体基板的硅晶圆上并利用压电介电材料的压电特性而诱发谐振，而将薄膜元件形成为滤波器。

声波装置的示例可包括表面声波(saw)滤波器、体声波(baw)滤波器等。

多个声波装置可安装在基板上并用作应用中的模块，而所述应用可包括移动通信装置中的又小巧又轻质的滤波器、化学和生物装置中的又小巧又轻质的滤波器、振荡器、声谐振质量传感器等。

技术实现要素：

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述选择的构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面中，一种声波装置包括声波发生器、支撑部分、保护构件和嵌入所述保护构件中的至少一个无源元件。所述声波发生器设置在基板的表面上。所述支撑部分沿着所述声波发生器的外周设置在所述基板上。所述保护构件结合到所述支撑部分并被设置为与所述声波发生器分开间隔。

所述保护构件可包括覆盖所述声波发生器的上部的基板。

所述保护构件可包括绝缘构件，并且所述至少一个无源元件可包括嵌入所述绝缘构件中的电感器图案。

所述声波装置还可包括设置为贯穿所述支撑部分和所述保护构件的连接导体。所述电感器图案可通过所述连接导体电连接到所述声波发生器。

所述连接导体可具有连接到所述基板的一端和结合到连接端子的另一端。

所述声波装置还可包括：多个连接端子，设置在所述保护构件的外表面上，并且将所述基板和主板彼此电连接；以及至少一个支撑端子，设置在所述主板和所述保护构件之间，以支撑所述保护构件。

所述支撑端子和所述连接端子可利用同一材料形成，并且所述支撑端子和所述连接端子可结合到所述主板。

所述支撑端子可以是不电连接到所述基板的虚拟端子。

所述支撑端子可设置在与形成所述声波发生器的区域对应的区域中。

所述声波装置还可包括沿着所述保护构件和所述支撑部分的表面设置的气密膜，以防止水分或异物进入所述声波发生器。

所述气密膜可利用无机绝缘膜或薄膜形成。

在另一总体方面中，一种制造声波装置的方法包括：准备其一个表面上设置有声波发生器的基板；在所述基板上沿着所述声波发生器的外周设置支撑部分；以及通过在绝缘构件中嵌入至少一个无源元件而形成保护构件，并将所述保护构件结合到所述支撑部分，使得所述保护构件与所述声波发生器分开间隔。

在所述绝缘构件中嵌入所述至少一个无源元件可包括：在承载基板上设置所述绝缘构件的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上按照图案形成所述至少一个无源元件；以及在所述至少一个无源元件上设置所述绝缘构件的第二绝缘层，将所述保护构件结合到所述支撑部分可包括将形成在所述承载基板上的结构转移到所述基板上。

在所述绝缘构件中嵌入所述至少一个无源元件可包括：在所述支撑部分上设置第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成电感器图案；以及在所述电感器图案上形成第二绝缘层。

所述方法还可包括在所述保护构件上形成连接端子和支撑端子。

所述方法还可包括沿着所述保护构件和所述支撑部分的表面形成气密膜。

在另一总体方面中，一种声波装置包括声波发生器、支撑部分和绝缘层。所述声波发生器设置在基板的表面上。所述支撑部分沿着所述声波发生器的外周设置在所述基板上。所述绝缘层结合到所述支撑部分并被设置为与所述声波发生器分开预定间隔。无源元件嵌入各个绝缘层中。

所述绝缘层中的所述无源元件中的至少一个可包括电感器图案。

所述声波装置还可包括贯穿所述支撑部分和所述绝缘层的连接导体。所述电感器图案可通过所述连接导体电连接到所述声波发生器。

所述连接导体可包括连接到所述基板的一端和结合到连接端子的另一端。

通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将是明显的。

附图说明

图1是示意性地示出声波装置的示例的截面图；

图2至图5是示意性地示出制造声波装置的方法的示例的示图；

图6和图7是示意性地示出制造声波装置的方法的另一示例的示图；以及

图8是示意性地示出声波装置的另一示例的截面图。

在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此所描述的操作的顺序仅仅是示例，其并不限于在此所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。

在此所描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此所描述的示例。更确切地说，已经提供了在此所描述的示例仅用于示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的诸多可行方式中的一些方式。

在整个说明书中，当元件(诸如，层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

如在此所使用的，术语“和/或”包括所列出的相关项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。

尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分相区分。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此所描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。

为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间关系术语，以描述如附图所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间关系术语意图除了包含在附图中所描绘的方位之外，还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件在“上方”或“上面”的元件随后将相对于另一元件在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位而包括“上方”和“下方”两种方位。所述装置还可以以其他方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并将对在此使用的空间关系术语做出相应的解释。

在此使用的术语仅用于描述各种示例，并非用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数的形式也意图包括复数的形式。术语“包括”、“包含”和“具有”列举存在的所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此所描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间出现的形状上的改变。

图1是示意地示出声波装置的示例的截面图。

参照图1，声波装置包括基板100、支撑部分200和保护构件300。这里，声波装置包括使允许的频带通过的滤波器元件，诸如表面声波滤波器、体声波滤波器、双工器等。

在声波装置为saw滤波器的示例中，基板100可被设置为压电基板，而在声波装置为baw滤波器的示例中，可使用si基板。例如，基板100可利用诸如litao3、linbo3、li2b4o7、sio2、硅等的单晶体形成。可与上述材料一起使用锆钛酸铅(pzt)基多晶体或氧化锌(zno)薄膜。

然而，用于声波装置的基板100不限于上述示例，并可用本领域中广泛使用的各种基板替代。

声波发生器110可形成在基板100的表面上。声波发生器110可包括叉指换能器(idt)电极或压电薄膜谐振器，叉指换能器(idt)电极或压电薄膜谐振器将电信号转换为机械信号或者将机械信号转换为电信号。

例如，在声波装置用作表面声波(saw)滤波器的情况下，声波发生器110可被设置为金属电极。在声波装置用作体声波(baw)滤波器的示例中，声波发生器110可按照压电元件和电极堆叠的结构的形式形成。

声波发生器110可形成为压电薄膜谐振器，在压电薄膜谐振器中，压电薄膜被堆叠。因此，声波发生器110可通过按照下电极、压电层和上电极的顺序向上堆叠而形成谐振部。

然而，本公开的构造不限于此。在声波发生器110为idt电极的情况下，声波发生器110可利用铝或铜形成，并可形成为多个电极按照梳子的形式交替交叉的结构。在这种情况下，声波发生器110可以通过在基板100上形成金属层并通过光刻法将金属层加工成预定的电极形式而形成。

此外，支撑部分200和电极构件118设置在基板100的表面上。支撑部分200可形成为覆盖连接到声波发生器110的电极构件118。然而，支撑部分200不限于此，而是还可被设置为使得电极构件118的一部分或全部暴露到外部。

支撑部分200可连续地形成为围绕声波发生器110的外周。然而，支撑部分200不限于此，也可将多个支撑部分设置为沿着声波发生器110的外周彼此分开。

支撑部分200可利用诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，支撑部分200的材料不限于此，根据需要，支撑部分200也可利用金属材料形成。

此外,支撑部分200可在基板100的表面上突出预定高度。在这种情况下，支撑部分200的突出高度可大于声波发生器110的高度。因此，可在声波发生器110和置于支撑部分200上的保护构件300之间形成间隙。

然而，根据本示例的支撑部分200的结构不限于上述构造，其可被不同地改变，而只要是在保护构件300和声波发生器110之间形成间隙的结构即可。

至少一个连接导体220设置在支撑部分200中。连接导体220可具有导电性并被设置为贯穿支撑部分200。

连接导体220可贯穿将稍后描述的保护构件300，并可电连接到基板100的电极构件118。

作为与连接导体220结合的部分的电极构件118可通过形成在基板100中的布线图案(未示出)电连接到声波发生器110。

保护构件300可保护声波发生器110不受外部环境影响。保护构件300可形成为完全覆盖声波发生器110的上部。

保护构件300可形成为平坦基板，并可置于支撑部分200上以抵接支撑部分200的上表面的全部或一部分。

保护构件300可被设置为通过支撑部分200而与声波发生器110分开。因此，可通过支撑部分200在声波发生器110和保护构件300之间形成空的空间或空隙，当声波装置被驱动时，空的空间可用作声波发生器110的谐振器容纳空间。结果，当声波发生器110谐振时，谐振声波发生器110被容纳在谐振器容纳空间内且不接触保护构件300。

此外，根据本示例的保护构件300可包括：绝缘构件310，在绝缘构件310中堆叠多个绝缘层；以及至少一个元件，嵌入到绝缘构件310中。根据本示例，嵌入到绝缘构件310中的元件可以是利用布线图案形成的电感器320(在下文中，称为电感器图案)。

绝缘构件310用于执行层间绝缘并保护电感器图案320。绝缘构件310可包括诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性树脂、阻焊剂、光可固化树脂等。此外，为了提供刚性，还可使用具有浸渍在上述树脂中的诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料的半固化片。

此外，为了调整电感器图案320的电感，包括磁性物质的磁性材料也可用作绝缘构件310。

电感器图案320可设置在绝缘构件310中。本示例示出电感器图案320形成为涡旋形状的示例，但电感器图案320可形成为各种形状，诸如螺旋形状、曲折形状等，只要其提供所需的电感即可。

此外，还可形成多个电感器图案320，在这种情况下，多个电感器图案可彼此并联连接或彼此串联连接。根据本示例，电感器图案320可包括与基板100相邻设置的第一电感器图案321和设置在第一电感器图案321的外部的第二电感器图案322。

第一电感器图案321和第二电感器图案322可彼此连接而作为单个电感器操作。然而，第一电感器图案321和第二电感器图案322不限于此，还可彼此独立地操作。

电感器图案320的两端都可连接到连接导体220。

作为被设置为贯穿支撑部分200和绝缘构件310的导电构件的连接导体220可具有连接到基板100的一端和结合到连接端子500的另一端。

因此，连接导体220可将连接端子500和声波发生器110彼此电连接。此外，电感器图案320可通过连接导体220电连接到连接端子500或声波发生器110。

连接导体220可通过利用导电材料填充贯穿保护构件300和支撑部分200的通孔或将导电材料施加到该通孔的内表面上而形成。

形成连接导体220的导电材料可以是铜(cu)、银(ag)、金(au)、镍(ni)、铂(pt)、铅(pd)或其合金，但不限于此。

连接端子500可设置在保护构件300的外表面上，并可通过连接导体220电连接到声波发生器110。

连接端子500可将其上安装有声波装置的主板(或封装板)和声波装置彼此电连接或物理连接。

连接端子500可按照焊料球或焊料凸块的形式形成，但不限于此。

接着，将参照图2至图5描述制造图1中所示的声波装置的方法。

首先，如图2中所示，在承载基板10上形成金属层20(s01)。这里，金属层20可利用铜(cu)形成。此外，可通过诸如粘合带的结合构件15将金属层20设置在承载基板10上。

接着，在第一掩膜层30形成在金属层20上后，可部分地蚀刻第一掩膜层30以形成用于形成第一电感器图案321的第一图案p1(s02)。第一图案p1可按照贯穿第一掩膜层30的形式形成。

第一掩膜层30可利用干膜光阻剂(dfr)或光阻剂(pr)形成，但不限于此。

此外，由于第一图案p1形成在第一掩膜层30上，因此金属层20的一部分可通过第一图案p1暴露到外部。

接着，可通过在第一掩膜层30的第一图案p1中填充导电材料而形成第一电感器图案321(s03)。可通过镀覆工艺或丝印刷法执行当前操作。

接着，可除去第一掩膜层30(s04)。由此，在金属层20上仅剩下第一电感器图案321。

接着，可在金属层20上堆叠第一绝缘层311(s05)。如上所述，第一绝缘层311的材料可以是诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性树脂、阻焊剂、光可固化树脂等。此外，为了提供刚性，还可使用具有浸渍在上述树脂中的诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料的半固化片。

此外，为了调整电感器图案320的电感，还可使用包括磁性物质的磁性材料形成第一绝缘层311或稍后描述的其他绝缘层。

根据本示例，第一绝缘层311可使第一电感器图案321完全嵌入。然而，第一电感器图案在第一绝缘层311中的嵌入不限于此，可以不同地变型。例如，第一绝缘层311可形成为使得第一电感器图案321的一部分暴露到第一绝缘层311的外部。

接着，在第一绝缘层311中形成开口op(s06)。开口op可按照完全贯穿第一绝缘层311的形式形成。结果，金属层20通过开口op暴露到外部。开口op可随后用于形成连接导体220。

同时，参照附图，本示例中，开口op可形成在与第一电感器图案321一起形成的导体图案中。然而，开口op不限于此，也可形成在没有导体图案的区域中。

接着，如图3所示，在第一绝缘层311上形成支撑层200a。支撑层200a形成为覆盖第一绝缘层311的整体，但也可根据需要形成为部分地覆盖第一绝缘层311。

支撑层200a可随后形成为支撑部分200。因此，支撑层200a可利用诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，支撑层200a的材料不限于此，根据需要，支撑层200a也可利用金属材料形成。

接着，可通过除去支撑层200a的不需要部分而形成支撑部分200(s08)。在该操作期间，可通过部分地除去支撑部分200的内部部分而使上述开口op敞开。

接着，在准备好其上形成有声波发生器110的基板100之后，可将形成在承载基板10上的结构转移到基板100(s09)。在这种情况下，所述结构被转移而使得支撑部分200与基板100接触。

如果完成转移，则可除去承载基板10(s10)。结果，金属层20可暴露到外部。在该操作中，也可与承载基板10一同除去结合构件15。

接着，可除去金属层20(s11)。结果，第一电感器图案321可暴露到外部。可通过蚀刻法除去金属层20，但不限于此。

接着，如图4中所示，可在第一绝缘层311和第一电感器图案321上堆叠第二绝缘层312(s12)。在当前操作中堆叠的第二绝缘层312可利用与第一绝缘层311的材料相同的材料形成，但也可根据需要利用不同的材料形成。

接着，可通过除去第二绝缘层312的一部分使开口op敞开(s13)，并且可随后在第二绝缘层312上设置第二掩膜层31(s14)。当前操作中的第二掩膜层31可利用与上述第一掩膜层30的材料相同的材料(例如，dfr)形成，但不限于此。

接着，可将第二掩膜层31图案化以形成第二图案p2并使开口op敞开。此外，可通过在第二图案p2和开口op中填充导电材料而形成第二电感器图案322和连接导体220(s15)。可通过镀覆工艺或丝印刷法执行当前操作，但不限于此。

接着，可除去第二掩膜层31(s16)。结果，第二电感器图案322和连接导体220可暴露到外部。

接着，如图5中所示，可在第二绝缘层312上堆叠第三绝缘层313，以使第二电感器图案322和连接导体220嵌入(s17)。

接着，可通过除去第三绝缘层313的一部分而使连接导体220暴露(s18)，并且可随后针对暴露的连接导体220执行表面处理(s19)。作为表面处理，可执行形成镀层360的工艺，但表面处理不限于此。

接着，可通过在暴露的连接导体220上形成连接端子500而完成图1中所示的声波装置。

尽管在本示例中，将在承载基板10上形成直到支撑部分200以及然后将支撑部分200转移到基板100的方法示出为示例，但是本公开的构造不限于此。各种变型是可行的。例如，在支撑部分200并非形成在承载基板10上而是直接形成在基板100上之后，形成在承载基板10上的结构可被转移到基板100的支撑部分200上。

此外，在本示例中，在承载基板10上形成第一电感器图案321而在基板100上形成第二电感器图案322，但第一电感器图案和第二电感器图案不限于此，而且可被不同地变型。例如，如在稍后描述的示例中，第一电感器图案321和第二电感器图案322两者可形成在承载基板10上或可形成在基板100上。

图6和图7是示意地示出根据本公开的另一示例的制造声波装置的方法的示图。

参照图6，在根据本示例的制造声波装置的方法中，可首先准备其上形成有声波发生器110和电极构件118的基板100(s001)。

接着，可在基板100上设置支撑部分200(s002)。在这种情况下，可在支撑部分200中形成使电极构件118暴露的至少一个开口op。

接着，可通过光刻法在绝缘层上顺次地形成第一电感器图案321和第二电感器图案322。

首先，在将第一绝缘层314设置在支撑部分200上之后，可通过部分地除去第一绝缘层314而使开口op敞开(s003)。

可按照平坦绝缘板的形式独立地制造第一绝缘层314，然后可在支撑部分200上堆叠第一绝缘层314。因此，可将第一绝缘层314结合到支撑部分200，以在声波发生器110上方完全覆盖声波发生器110。

接着，可在第一绝缘层314上形成第一电感器图案321(s004)。在该工艺中，还可通过在开口op中填充导电材料而一起形成连接导体220。可通过使用掩膜层(未示出)形成图案以及接下来将导电材料设置在图案中来执行当前操作，但不限于此。

接着，通过在第一电感器图案321上堆叠第二绝缘层315而可使第一电感器图案321嵌入(s005)。

接着，可在第二绝缘层315上形成第二电感器图案322(s006)。

在形成第二电感器图案322的过程期间，可一起执行通过在第二绝缘层315的开口op中填充导电材料而形成连接导体220的工艺。可通过使用掩膜层(未示出)形成图案以及接下来将导电材料设置在图案中来执行当前操作。然而，当前操作不限于此。

接着，可通过在第二电感器图案322上堆叠第三绝缘层316而使第二电感器图案322完全嵌入(s007)。此外，可通过部分地除去第三绝缘层316而使连接导体220部分地暴露。

之后，可通过对暴露的连接导体220的表面执行表面处理而形成镀层360(s008)，并且可通过在镀层360上形成连接端子500而完成声波装置(s009)。

图8是示意地示出根据本公开的另一示例的声波装置的截面图。

参照图8，根据本示例的声波装置可包括至少一个支撑端子510。

与连接端子500一样，支撑端子510可设置在保护构件300上，但可以不电连接到连接导体220或基板100，并且可按照虚拟端子的形式形成。然而，根据需要，支撑端子510还可电连接到基板100的接地。

支撑端子510可利用与连接端子的材料相同的材料形成。例如，支撑端子510可按照焊料球、焊料凸块等形式形成，且在一些情况下，还可使用铜(cu)柱、锡(sn)柱等。然而，支撑端子510不限于此。

在声波装置中，根据本示例，由于保护构件300利用树脂材料形成，因此保护构件300的刚性可能不足。例如，在声波装置安装在主板(或封装板)上且声波装置随后被包封的情况下，保护构件300可能会被包封剂所施加的压力损坏。

因此，根据本示例的声波装置可包括支撑端子510以补偿保护构件300的不足的刚性。

此外，在不存在支撑端子510的情况下，由压力而导致的保护构件300的变形可向保护构件的中央增大。因此，根据本示例的支撑端子510可设置在与形成声波发生器110的区域对应的区域中。

由于这种支撑端子510设置在主板(未示出)和保护构件300之间，并且当声波装置安装在主板上时结合到主板，因此保护构件300可被支撑端子510支撑并且保护构件的运动可被支撑端子510固定。

因此，支撑端子510可防止保护构件300由于成型内部压力导致变形或损坏。

此外，根据本示例的声波装置可包括气密膜400。

保护构件300的外表面和支撑部分200的外表面可被气密膜400包封。

气密膜400可沿着保护构件300的表面和支撑部分200的表面设置，并可防止水分和异物进入保护构件300和支撑部分200之间的空间。

根据本示例，气密膜400可仅设置在保护构件300和支撑部分200的外表面上。然而，气密膜400不限于此，并可根据需要变型。例如，气密膜400还可延伸以形成在基板100的外表面上。

尽管本示例示出了气密膜400沿着保护构件300的外表面形成的示例，但是根据需要气密膜400还可形成在保护构件300的绝缘构件310中。例如，气密膜400可形成在第一电感器图案321和第二电感器图案322之间(即，在第二绝缘层上)，或者还可形成在面对声波发生器的表面上。

这种气密膜400可利用无机绝缘膜或薄膜形成。例如，根据本示例的气密膜400可利用氮化硅(sixny)、二氧化硅(sio2)、硅氧氮化物(sioxny)、碳化硅(sic)、氮化铝(aln)、和氧化铝(al2o3)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合形成，并可按照单层或多层的形式形成。然而，气密膜400的材料不限于上述材料。

气密膜400可通过化学沉积法形成，并且可通过例如等离子体增强化学气相沉积(pecvd)来形成。然而，形成气密膜400的方法不限于此。

虽然，根据本示例，声波装置被构造为包括支撑端子510和气密膜400两者，但是声波装置不限于此，还可包括支撑端子510和气密膜400中的任意一者。

根据如上所述的本示例的声波装置可具有设置在保护构件中而不设置在基板中的诸如电感器的无源元件。在根据相关技术的声波装置中，无源元件形成在基板中，或设置为单独的组件并被安装在基板上。在这种情况下，存在基板的厚度增大或声波装置的整体区域增大的问题。

然而，由于根据本示例的声波装置具有设置在保护构件中的电感器，因此基板的厚度可显著减小，且声波装置的区域或尺寸可显著减小。

例如，根据本公开，嵌入于声波装置的绝缘构件中的元件并不限于电感器图案。嵌入绝缘构件中的元件可以是各种无源元件中的任意一种，并可包括，例如电容器或电感器。此外，各种变型是可行的。例如，电感器、电容器和电阻器可彼此组合以按照复杂的方式设置在绝缘构件中。

如上所述，根据本公开的示例，声波装置可具有设置在保护构件中而不设置在基板中的诸如电感器的无源元件。因此，声波装置的区域或尺寸可显著减小。

虽然本公开包括特定的示例，但是理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此所描述的示例将仅被视为描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、构架、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、构架、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包含于本公开中。