1.一种应用于K波段的下变频混频电路，其特征在于，包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第一保护模块、第一分流模块、第二分流模块、第二保护模块以及用于将接收的第一射频信号和第二射频信号转换为电流信号的射频跨导模块；
所述射频跨导模块的第一输出端分别与所述第一场效应管的第一端、所述第二场效应管的第一端以及所述第一分流模块的第一端连接，所述射频跨导模块的第二输出端分别与所述第三场效应管的第一端、所述第四场效应管的第一端以及所述第二分流模块的第一端连接，所述第一场效应管的控制端和所述第四场效应管的控制端均与第一电源连接，并均用于接收第一本振信号，所述第二场效应管的控制端和所述第三场效应管的控制端均与所述第一电源连接，并均用于接收第二本振信号，以使得第一至第四场效应管将各自控制端接收的信号与各自第一端接收的信号进行混频；所述第一场效应管的第二端与所述第三场效应管的第二端连接，连接后的公共端用于输出第一目标信号并且与所述第一保护模块的第一端连接，所述第二场效应管的第二端与所述第四场效应管的第二端连接，连接后的公共端用于输出第二目标信号并且与所述第二保护模块的第一端连接；第一保护模块、第一分流模块、第二分流模块以及第二保护模块的第二端均与第二电源的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的应用于K波段的下变频混频电路，其特征在于，还包括：
具有第一微带线和第二微带线的巴伦转换电路，所述第一微带线与所述第二微带线均为正八边形且大小相同，所述第一微带线的中心点与所述第二微带线的中心点的连线垂直于所述第一微带线构成的平面以及所述第二微带线构成的平面；
所述第一微带线的第一端接地，所述第一微带线的第二端用于接收单端射频信号，所述第二微带线的第一端接地，所述第二微带线的第二端用于输出所述第一射频信号，所述第二微带线的第三端用于输出所述第二射频信号。
3.根据权利要求1所述的应用于K波段的下变频混频电路，其特征在于，所述第一分流模块和所述第二分流模块均为滑动变阻器。
4.根据权利要求1所述的应用于K波段的下变频混频电路，其特征在于，所述第一保护模块包括第一电阻和第一电容，所述第一电阻的第一端与所述第一电容的第一端连接，其公共端作为所述第一保护模块的第一端，所述第一电阻的第二端与所述第一电容的第二端连接，其公共端作为所述第一保护模块的第二端；
所述第二保护模块包括第四电阻和第二电容，所述第四电阻的第一端与所述第二电容的第一端连接，其公共端作为所述第二保护模块的第一端，所述第四电阻的第二端与所述第二电容的第二端连接，其公共端作为所述第二保护模块的第二端。
5.根据权利要求4所述的应用于K波段的下变频混频电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值与所述第四电阻的阻值相等，所述第一电容的电容值与所述第二电容的电容值相等。
6.根据权利要求1至5任一项所述的K波段的下变频混频电路，其特征在于，所述第一场效应管与所述第三场效应管连接后的公共端用于通过第一源跟随缓冲电路输出所述第一目标信号，所述第二场效应管与所述第四场效应管连接后的公共端用于通过第二源跟随缓冲电路输出所述第二目标信号。
7.根据权利要求6所述的应用于K波段的下变频混频电路，其特征在于，所述第一源跟随缓冲电路包括第三电容以及第五场效应管，所述第一场效应管与所述第三场效应管连接后的公共端与所述第五场效应管的控制端连接，所述第五场效应管的第一端与所述第三电容的第一端连接，所述第五场效应管的第二端与所述第二电源连接，所述第三电容的第二端用于输出所述第一目标信号；
所述第二源跟随缓冲电路包括第四电容以及第六场效应管，所述第二场效应管与所述第四场效应管连接后的公共端与所述第六场效应管的控制端连接，所述第六场效应管的第一端与所述第四电容的第一端连接，所述第六场效应管的第二端与所述第二电源连接，所述第四电容的第二端用于输出所述第二目标信号。
8.根据权利要求7所述的应用于K波段的下变频混频电路，其特征在于，所述射频跨导模块包括：第七场效应管、第八场效应管以及第九场效应管；
所述第七场效应管的控制端用于接收所述第一射频信号以使得所述第七场效应管的第二端作为所述射频跨导模块的第一输出端，所述第八场效应管的控制端用于接收所述第二射频信号，以使得所述第八场效应管的第二端作为所述射频跨导模块的第二输出端，所述第七场效应管的第一端以及所述第八场效应管的第一端均与所述第九场效应管的第二端连接，所述第九场效应管的第一端接地，所述第九场效应管的控制端与第三电源连接以使得所述第九场效应管控制所述第七场效应管和所述第八场效应管导通。
9.根据权利要求8所述的应用于K波段的下变频混频电路，其特征在于，各个所述场效应管均为N沟道场效应管，各个所述场效应管的第一端为源极，第二端为漏极，控制端为栅极。
10.一种混频器，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的应用于K波段的下变频混频电路。