本实用新型涉及无线信号处理技术领域，尤其涉及一种USB接口抗干扰电路。
背景技术：
电磁屏蔽箱是利用导电或者导磁材料制成的壳、板、套等各种形状的屏蔽体，将电磁能力限制在一定空间范围内用于抑制辐射干扰的金属体，并对传导和辐射进行处理以实现给被测无线通讯设备提供无干扰的测试环境的设备。在测试时，需对无线通讯设备输入测试信号，因此在屏蔽箱的箱体体壁设置各种转接口，常见的接口类型有USB接口、RJ45接口、HDMI接口等。因为电磁屏蔽箱的特殊应用，需要对这些接口实现电磁屏蔽。现有技术中缺乏一种应用于屏蔽箱USB接口抗电磁干扰的电路。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种应用于屏蔽箱的USB接口抗干扰电路。
本实用新型所采用的技术方案是：一种USB接口抗干扰电路，包括第一USB接口和第二USB接口，其包括VBUS线路、D-线路、D+线路以及GND线路，所述VBUS线路的一端与第一USB接口的VBUS脚连接，另一端与所述第二USB接口的VBUS脚连接；所述GND线路的一端与第一USB接口的GND脚连接，另一端与所述第二USB接口的GND脚连接；所述D-线路的一端与第一USB接口的D-脚连接，另一端与所述第二USB接口的D-脚连接；所述D+线路的一端与第一USB接口的D+脚连接，另一端与所述第二USB接口的D+脚连接；所述D-线路和D+线路上连接有共模电感，所述共模电感的第一绕组连接所述第一USB接口的D-脚和所述第二USB接口的D-脚，所述共模电感的第二绕组连接所述第一USB接口的D+脚和所述第二USB接口的D+脚，所述VBUS线路和地之间并联有若干电容，所述GND线路与地之间并联有若干电容。
进一步，所述VBUS线路和地之间并联有若干电容，所述电容包括穿心电容。
进一步，所述GND线路与地之间并联有若干电容，所述电容包括穿心电容。
进一步，所述D-线路和D+线路上连接有第一共模电感和第二共模电感，所述第一共模电感的第一绕组和第二共模电感的第一绕组串联于所述D-线路，所述第一共模电感的第一绕组和第二共模电感的第二绕组串联于所述D+线路。
进一步，所述D-线路上串联有穿心电容，该穿心电容位于所述第一共模电感与所述第二共模电感之间。
进一步，所述D+线路上串联有穿心电容，该穿心电容位于所述第一共模电感与所述第二共模电感之间。
本实用新型的有益效果是：本实用新型利用电容滤除USB接口上VBUS脚和GND脚的干扰波形，同时利用共模电感消除USB接口上D-脚和D+脚之间的共模干扰，有效的解决了屏蔽箱上USB接口的干扰问题，具有良好的经济及社会效益。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明：
图1是本实用新型一具体实施例中的电路原理图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
如图1所示，其示出了一种USB接口抗干扰电路，其包括第一USB接口JB1和第二USB接口JB2，其包括VBUS线路、D-线路、D+线路以及GND线路，第一USB接口JB1和第二USB接口JB2均为母座。
所述VBUS线路的一端与第一USB接口JB1的VBUS脚连接，另一端与所述第二USB接口JB2的VBUS脚连接，所述VBUS线路和地之间依次并联有电容CB1、电容CB2、电容CB3……电容CB11。所述GND线路的一端与第一USB接口JB1的GND脚连接，另一端与所述第二USB接口JB2的GND脚连接，所述GND线路与地之间依次并联有电容CB16、CB17、CB18……CB26。D-线路的一端与第一USB接口JB1的D-脚连接，另一端与所述第二USB接口JB2的D-脚连接；所述D+线路的一端与第一USB接口JB1的D+脚连接，另一端与所述第二USB接口JB2的D+脚连接；所述D-线路和D+线路上连接有第一共模电感LB1和第二共模电感LB2，所述第一共模电感LB1的第一绕组和第二共模电感LB2的第一绕组串联于所述D-线路，所述第一共模电感LB1的第二绕组和第二共模电感LB2的第二绕组串联于所述D+线路。共模电感(Common mode Choke)，也叫共模扼流圈，常用于电脑的开关电源中过滤共模的电磁干扰信号。共模电感具有EMI滤波的作用，用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射发射，利用共模电感消除USB接口上D-脚和D+脚之间的共模干扰，有效的解决了屏蔽箱上USB接口的干扰问题，具有良好的经济及社会效益。
作为优选的实施方式，所述D-线路上串联有电容CB12和电容CB13，电容CB12和电容CB13位于所述第一共模电感LB1与所述第二共模电感LB2之间。所述D+线路上串联有电容CB14和电容CB15，电容CB14和电容CB15位于所述第一共模电感LB1与所述第二共模电感LB2之间。优选的，所述电容CB12、电容CB13、电容CB14、电容CB15为穿心电容。
作为优选的实施方式，其中电容CB3、电容CB6、电容CB9为穿心电容，穿心式电容自电感较普通电容小得多，故而自谐振频率很高。同时，穿心式设计，也有效地防止了高频信号从输入端直接耦合到输出端。这种低通高阻的组合，在1GHz频率范围内，提供了极好的抑制效果。
作为优选的实施方式，其中电容CB18、电容CB21、电容CB24为穿心电容，穿心式电容自电感较普通电容小得多，故而自谐振频率很高。同时，穿心式设计，也有效地防止了高频信号从输入端直接耦合到输出端。这种低通高阻的组合，在1GHz频率范围内，提供了极好的抑制效果。
以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。