压合头的制作方法

本实用新型是关于一种压合头，其用以在该压合头接触或触压电子元件时，能够传导静电，以避免静电影响电子元件的电子性能，尤其是运用于半导体触压结合制造过程时，可避免静电影响集成电路的电子性能。

背景技术：

在制造、生产、组装、测试、存放、搬运电子元件等的过程中，静电会累积在设备之中，甚至在电子元件本身也会累积静电，当该设备与该电子元件相互接触时，产生了放电路径，使得电子元件或设备遭到静电放电的影响而损坏。

一种现有习知的压合头用以压合芯片于电路基板，然而当该压合头接触该芯片或压合该芯片及该电路基板时，会发生静电放电(electrostaticdischarge,esd)而导致该芯片损坏，因而影响该芯片的电子性能。

技术实现要素：

本发明的一种压合头，其主要目的用以避免发生静电放电(electrostaticdischarge,esd)而导致电子元件损坏，因而影响该电子元件的电子性能。

本实用新型的一种压合头，其包含压合基座及导电压合片，该导电压合片结合于该压合基座，且该导电压合片可选择性的拆离该压合基座，该导电压合片具有导电性，且该导电压合片由非单一金属材料制成，该导电压合片包含结合面及压合面，该结合面朝向于该压合基座的承载面，且显露出该压合面。

前述的压合头，其中该导电压合片的该结合面接触该承载面。

前述的压合头，其中该导电压合片包含多个导电颗粒，所述导电颗粒相互连接该而形成导电通路。

前述的压合头，其中所述导电颗粒的材料选自于碳化钛(tic)。

前述的压合头，其中该导电压合片包含基材所述导电颗粒被包埋于该基材中，且部分的所述导电颗粒显露于该压合面。

前述的压合头，其中该基材的材料选自于立方晶氮化硼(cbn)。

前述的压合头，其中部分的所述导电颗粒显露于该结合面。

前述的压合头，其中显露于该结合面的所述导电颗粒接触该压合基座的该承载面。

前述的压合头，其中该导电压合片与该压合基座电性连接。

前述的压合头，其中该压合基座为导电基座。

前述的压合头，其中该压合基座具有挡墙，该挡墙绕设于该承载面周边，该导电压合片的该结合面接触于该承载面，且被限位于该挡墙。

前述的压合头，其中该导电压合片具有至少一个第一通孔，该第一通孔的第一开口位于该压合面，该第一通孔为供气装置的气体通道。

前述的压合头，其中该第一通孔的第二开口位于该结合面。

前述的压合头，其中该压合基座具有至少一个第二通孔，该第二通孔的第三开口连通该第一通孔的该第二开口，该第二通孔用以连接该供气装置。

前述的压合头，其中该压合基座具有至少一个容置孔，该容置孔用以容置加热棒。

借由上述技术方案，本实用新型至少具有以下优点效果：当该导电压合片以该压合面接触该电子元件(如芯片)或压合二电子元件(如芯片及电路基板)时，该导电压合片能够将静电传导至该电子元件外部，以避免静电损坏该电子元件而影响该电子元件的电子性能。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1：本实用新型压合头的立体图。

图2：本实用新型压合头的分解立体图。

图3：本实用新型压合头的另一视角的分解立体图。

图4：本实用新型压合头的剖视图。

图5：本实用新型压合头的另一视角的剖视图。

【主要元件符号说明】

100：压合头110：压合基座

111：承载面112：挡墙

113：第二通孔113a：第三开口

114：容置孔120：导电压合片

121：结合面122：压合面

123：第一通孔123a：第一开口

123b：第二开口

具体实施方式

请参阅图1至图3，其为本实用新型的一种压合头100，该压合头100能被装设于自动化压接机台或手持握把(图未绘出)，该压合头100用以压接二电子元件(如芯片及电路基板)，图1至图3所揭露的该压合头100形状为本实用新型的一实施例，本实用新型的该压合头100不以图1至图3所揭露的形状为限制。

请参阅图1至图3，该压合头100包含压合基座110及导电压合片120，该导电压合片120结合于该压合基座110，且该导电压合片120可选择性的拆离该压合基座110，当该导电压合片120损坏时可将该导电压合片120拆离该压合基座110，并更换另一导电压合片120，该压合头100以该压合基座110设置于该自动化压接机台或该手持握把(图未绘出)，该导电压合片120用以接触该电子元件(如芯片)，该导电压合片120具有导电性，且该导电压合片120由非单一金属材料制成，在本实施例中，该导电压合片120包含多个导电颗粒(图未绘出)及基材(图未绘出)，所述导电颗粒相互连接而形成导电通路，所述导电颗粒被包埋于该基材中，所述导电颗粒的材料选自于碳化钛(tic)，该基材的材料选自于立方晶氮化硼(cbn)，且借由该导电压合片120具有塑性，因此可避免该导电压合片120触压该电子元件(如芯片)时，造成该电子元件(如芯片)损坏。

请参阅图1至图4，该导电压合片120包含结合面121及压合面122，该压合基座110具有承载面111，该压合面122用以接触该电子元件(如芯片)，该结合面121朝向于该压合基座110的该承载面111，在本实施例中，该导电压合片120的该结合面121接触该承载面111，并显露出该压合面122，较佳地，该压合基座110具有挡墙112，该挡墙112绕设于该承载面111周边，该导电压合片120被限位于该挡墙112，以避免该导电压合片120偏移该承载面111或脱离该压合基座110。

请参阅图1至图4，在本实施例中，部分的所述导电颗粒显露于该压合面122，显露于该压合面122的所述导电颗粒用以接触该电子元件(如芯片)，由所述相互连接的导电颗粒所形成的该导电通路用以将静电导引出该电子元件(如芯片)外部。

请参阅图1至图4，在本实施例中，部分的所述导电颗粒显露于该结合面121，显露于该结合面121的所述导电颗粒接触该压合基座110的该承载面111，且该压合基座110为导电基座，以使该导电压合片120与该压合基座110电性连接，由所述导电颗粒相互连接所形成的该导电通路电性连接该压合基座110。

请参阅图1至图3，静电导引装置(如导电线)可选择性地装设于该压合基座110及该导电压合片120，在不同的实施例中，当该压合基座110为非导电基座时，该静电导引装置(如导电线)装设于导电压合片120，并与所述导电颗粒相互连接所形成的该导电通路电性连接。

请参阅图1至图5，该导电压合片120具有至少一个第一通孔123，该第一通孔123具有第一开口123a及第二开口123b，该第一开口123a位于该压合面122，该第一通孔123为供气装置(图未绘出)的气体通道，该第一开口123a用以吸取该电子元件(如芯片)，在本实施例中，该第二开口123b位于该结合面121，较佳地，该压合基座110具有至少一个第二通孔113，该第二通孔113的第三开口113a连通该第一通孔123的该第二开口123b，该第二通孔113用以连接该供气装置，该供气装置借由该第一通孔123及该第二通孔113吸取该电子元件(如芯片)，以避免在进行压合制造过程中，该电子元件(如芯片)发生偏移而无法与另一电子元件(如电路基板)压合。

请参阅图1至图5，较佳地，该压合基座110具有至少一个容置孔114，该容置孔114用以容置加热棒(图未绘出)，该加热棒用以对该压合头100加热，以对该二电子元件(如芯片及电路基板)进行热压合制造过程。

请参阅图1、图4及图5，当进行压合制造过程时，该压合头100以该导电压合片120接触该电子元件(如芯片)或以该压合头100触压该二电子元件(如芯片及电路基板)时，借由该导电压合片120将静电引导至该电子元件(如芯片)外部，以避免静电影响该电子元件的电子性能。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。