1.一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于，工艺制作流程如下：
步骤a：基材下料，基材为pi材料，基材的厚度≥20μm；
步骤b：镭射钻孔，将基材进行镭射钻孔，最小孔径≥25μm；
步骤c：等离子处理，等离子处理基材孔内残胶和清洁基材表面；
步骤d：真空溅镀，在基材的表面和孔内真空溅镀上一层导电介质层；
步骤e：第一次镀铜，在基材的表面及孔内的导电介质层上镀上一层第一镀铜层，使基材的表面及孔内具备超薄的基底铜；
步骤f：第二次镀铜，在第一镀铜层的基础上进行加厚镀铜得到第二镀铜层，第二镀铜层的厚度依产品孔铜及细线路制作厚度要求，使基材的表面及孔内具备产品所需的孔铜及细线路所需的面铜；
步骤g：微蚀处理，在铜表面进行微蚀处理，微蚀粗化和清洁铜表面；
步骤h：真空贴膜，在铜表面上真空压合干膜，干膜的厚度10-20μm；
步骤i：线路曝光，将线路图形曝光转移到干膜上，采用ldi曝光机曝光或平行曝光机和玻璃菲林曝光；
步骤j：干膜显影，将干膜图形显影出，显影点为50-70％；
步骤k：蚀刻脱膜，真空蚀刻去除无干膜覆盖处的第一镀铜层和第二镀铜层，然后脱膜去除干膜层，显现出线路初步图形；
步骤l：闪蚀，闪蚀蚀刻去除非线路区域，将线路图形完全蚀刻出。
2.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：步骤b镭射钻孔中，最小孔径为50、75或100μm。
3.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：步骤d真空溅镀中，导电介质层为镍、铬、铜、钛、铝、钯或镉。
4.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：步骤d真空溅镀)中，导电介质层厚度为100-300nm。
5.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：步骤e第一次镀铜中，第一镀铜层的厚度为2-4μm。
6.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：步骤f第二次镀铜中，第二次镀铜层的厚度为6-8μm，两次镀铜总体面铜厚度为8-12μm。
7.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：步骤f第二次镀铜中，二次镀铜总体面铜厚度为9μm或12μm。
8.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：步骤h真空贴膜中，干膜的厚度为15μm，干膜解析度≤30μm。
9.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：步骤l闪蚀中，采用的闪蚀药水包含有蚀刻抑制剂，蚀刻抑制剂吸附在线路的顶面及侧面，线距处没有吸附或少量吸附蚀刻抑制剂，在闪蚀过程中，线距的导电介质层被快速蚀刻去除，线路的顶面及侧面因有蚀刻抑制剂保护被微量均匀蚀刻，得到所需的精细线路。
10.如权利要求1所述的一种精细线路的双面板制作方法，其特征在于：还包括设置在步骤j之后且位于步骤k之前的步骤m烘干和步骤n等离子处理，步骤m：烘干，烘干板子上水分，烘干温度80-120℃，烘干时间15-45min；步骤n：等离子处理，等离子处理去除线距处的干膜根部边缘残胶。