1.一种消除非线性的低噪声放大器，包括连接在输入端vin与放大电路的输入匹配网络和输出匹配网络，其特征在于：还包括放大电路、非线性消除电路和噪声消除电路；所述输入匹配网络采用lc谐振结构；所述非线性消除电路包括电流复用电感lc、第一耦合电容c2和第二nmos管m2，所述电流复用电感lc的一端连接第一nmos管m1的漏端，另一端连接第二nmos管m2的源端，所述第一耦合电容c2的两端分别连接到第一nmos管m1的漏极和第二nmos管m2的栅极；所述放大电路包括第一nmos管m1和第一偏置电阻r1，第一偏置电阻r1的两端分别连接第一偏置电压vbias1和第一nmos管m1的栅端；所述噪声消除电路包括第三nmos管m3、第二偏置电阻r2与第二耦合电容c3，第三nmos管m3的源极连接公共地、漏极直接连接到输出端vout，第二偏置电阻r2的两端分别连接在第三nmos管m3的栅极和第二偏置电压vbias2。
2.根据权利要求1所述的一种消除非线性的低噪声放大器，其特征在于：所述lc谐振结构包括输入电容c1、第一电感l1和第二耦合电容c3，所述输入电容c1、第一电感l1均连接第一nmos管m1的源端，第一电感l1的另一端接公共地，输入电容c1的另一端连接输入端vin；第二耦合电容c3的两端分别连接第一nmos管m1的源端和第三nmos管m3的栅端。
3.根据权利要求1所述的一种消除非线性的低噪声放大器，其特征在于：所述非线性消除电路中的第二nmos管m2的栅端连接电源电压vdd，其漏极通过第二电感l2接电源vdd。
4.根据权利要求1所述的一种消除非线性的低噪声放大器，其特征在于：所述放大电路中的第一nmos管m1的跨导的取值范围为[20m，100m]西门子，其取值根据gm＝1/rin确定，其中，gm表示第一nmos管m1的跨导，rin表示低噪声放大器的输入阻抗；第一偏置电阻r1取值根据芯片面积约束确定在千欧量级，vbias1的取值范围为[600m，800m]伏。
5.根据权利要求1所述的一种消除非线性的低噪声放大器，其特征在于：所述噪声消除电路中的第三nmos管m3工作在饱和区，第二偏置电阻r2取值与第一偏置电阻r1相同，vbias2的取值范围为[600m，800m]伏。
6.根据权利要求1所述的一种消除非线性的低噪声放大器，其特征在于：所述第一电感l1在1nh附近调节确定，输入电容c1和第二耦合电容c3均在1ph附近调节确定。
7.根据权利要求1所述的一种消除非线性的低噪声放大器，其特征在于：所述第二电感l2在6nh附近调节确定，电源电压vdd为1.2v，第二nmos管m2工作在饱和区。