1.一种陶瓷单模块，其特征在于，其包括：
陶瓷基体，为平面板状，其包括平行设置的第一表面和第二表面；
两个过孔阵列，设置于所述陶瓷基体上；每个所述过孔阵列包括多个平行设置的过孔；所述过孔贯穿所述的第一表面和第二表面；
过孔金属，填充于所述过孔中并被致密化处理；所述过孔金属在所述过孔中的填充度≥80％；
金属膜层，设置于所述陶瓷基体的第二表面上覆盖所述的过孔阵列；覆盖每个所述过孔阵列的金属膜层的面积为所述过孔阵列面积的1.2～1.3倍。
2.根据权利要求1所述的陶瓷单模块，其特征在于，所述过孔金属选择电阻率≤5.0×10-8ωm的高导电材料；和/或，所述金属膜层选择由电阻率≤5.0×10-8ωm的高导电材料制成；所述金属膜层的厚度为2～100μm。
3.根据权利要求2所述的陶瓷单模块，其特征在于，所述高导电材料选自银、铜、金、银合金、铜合金或金合金中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的陶瓷单模块，其特征在于，每个所述过孔阵列中包括2～20个过孔；每个所述过孔阵列中的过孔排列为矩形阵列结构、环形阵列结构或梅花阵列结构。
5.根据权利要求1所述的陶瓷单模块，其特征在于，所述陶瓷基体的材质为氧化铝、氧化锆、氧化锆增韧氧化铝、碳化硅、氮化铝或氮化硅。
6.根据权利要求1所述的陶瓷单模块，其特征在于，所述过孔为圆柱形通孔，其直径为0.05mm～0.5mm。
7.根据权利要求1所述的陶瓷单模块，其特征在于，所述第一表面的粗糙度ra≤10nm。
8.一种阵列式过孔陶瓷基板，其特征在于，其包括：
平铺排列的多个陶瓷单模块，所述陶瓷单模块为根据权利要求1至7任一项所述的陶瓷单模块；多个所述陶瓷单模块中的陶瓷基体一体化成型；
定位孔，用于所述陶瓷基体的定位。
9.一种阵列式过孔陶瓷基板的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
1)在陶瓷基体上加工定位孔和过孔阵列；所述陶瓷基体为平面板状，其包括平行设置的第一表面和第二表面；每个所述过孔阵列包括多个平行设置的过孔；所述过孔和所述定位孔贯穿所述的第一表面和第二表面；
2)通过所述定位孔为所述陶瓷基体定位；通过真空吸附或挤压注射的方式向所述的过孔中填充过孔金属；
3)在陶瓷基体的第二表面上涂覆金属膜层使其覆盖所述过孔阵列；覆盖每个所述过孔阵列的金属膜层的面积为所述过孔阵列面积的1.2～1.3倍；
4)将涂覆金属膜层的陶瓷基体于高温下烧结，降温，出炉，得阵列式过孔陶瓷基板；所述过孔金属在所述过孔中的填充度≥80％。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤2)所述真空吸附的真空度为-0.1mpa；或者，步骤2)所述挤压注射的压力为1～10kpa。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤3)所述涂覆金属膜层采用丝网覆膜；步骤4)所述烧结的工艺温度为500～1300℃。
12.根据权利要求9所述的种阵列式过孔陶瓷基板制备方法，其特征在于，步骤4)之后还包括对所述第一表面进行研磨抛光处理的步骤；所述第一表面的粗糙度ra≤10nm。
13.一种陶瓷单模块的制备方法，其特征在于，将权利要求9至12所述方法制备的阵列式过孔陶瓷基板进行划片裁切。
14.一种薄膜混合集成电路封接模块，包括单模块，其特征在于，所述单模块为权利要求1至7任一项所述的单模块。
15.根据权利要求14所述的薄膜混合集成电路封接模块，其特征在于，其包括多模块；所述多模块由平铺排列的多个如权利要求1至7任一项所述的陶瓷单模块组成；多个所述陶瓷单模块中的陶瓷基体一体化成型。
16.一种igbt模块，包括单模块，其特征在于，所述单模块为权利要求1至7任一项所述的单模块。
17.根据权利要求16所述的igbt模块，其特征在于，其包括多模块；所述多模块由平铺排列的多个如权利要求1至7任一项所述的陶瓷单模块组成；多个所述陶瓷单模块中的陶瓷基体一体化成型。