技术特征：
1.一种体声波谐振器滤波器，包括：串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间；第二分路体声波谐振器，分路电连接在所述串联体声波谐振器与地之间，并且所述第二分路体声波谐振器的谐振频率低于所述串联体声波谐振器的谐振频率；以及第一分路体声波谐振器，串联电连接到所述第二分路体声波谐振器，并且所述第一分路体声波谐振器的谐振频率高于所述第二分路体声波谐振器的所述谐振频率，其中，所述串联体声波谐振器和所述第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置在所述第一电极的上表面上；第二电极，设置在所述压电层的上表面上；以及沟槽，设置在所述第二电极的上表面中或所述第二电极上方，并且向下凹入。2.如权利要求1所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一分路体声波谐振器包括所述第一电极、所述压电层、所述第二电极和所述沟槽。3.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一分路体声波谐振器的所述谐振频率等于或高于所述串联体声波谐振器的所述谐振频率。4.如权利要求3所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽分别设置在所述第一分路体声波谐振器和所述串联体声波谐振器中。5.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽的宽度大于等于0.6μm且小于等于1.8μm。6.如权利要求5所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽的深度大于0nm且小于或等于100nm。7.如权利要求5所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一端口和所述第二端口之间的通带的带宽是200mhz或更大。8.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，与所述第一端口和所述第二端口之间的通带的最低频率相对应的衰减极点的频率为f，所述沟槽的宽度为w，并且w
×
f大于等于0.6
×
3.485(μm
×
ghz)且小于等于1.8
×
3.485(μm
×
ghz)。9.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的重叠面积为a，所述沟槽的宽度为w，并且w/a大于等于0.6/4900(μm/(μm)2)且小于等于1.8/4900(μm/(μm)2)。10.如权利要求1所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽在所述第二电极的所述上表面中朝向所述压电层凹入。11.如权利要求10所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第二电极包括在所述第二电极的所述上表面上向上凸出的框架，并且其中，所述沟槽的宽度小于所述框架的宽度。12.如权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第二分路体声波谐振器包括多个第二分路体声波谐振器，所述多个第二分路体声波谐振器分别设置在所述串联体声波谐振器与地之间的多个分路连接路径中，其中，所述第一分路体声波谐振器设置在所述多个分路连接路径的一部分中，并且所述多个分路连接路径中的其中设置有所述第一分路体声波谐振器的分路连接路径
设置在所述多个分路连接路径中的其中未设置所述第一分路体声波谐振器的多个分路连接路径之间。13.如权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第二分路体声波谐振器包括多个第二分路体声波谐振器，所述多个第二分路体声波谐振器分别设置在所述串联体声波谐振器与地之间的多个分路连接路径中，其中，所述第一分路体声波谐振器包括多个第一分路体声波谐振器，所述多个第一分路体声波谐振器串联电连接到所述多个第二分路体声波谐振器中的相应的第二分路体声波谐振器，并且所述多个第二分路体声波谐振器的数量大于所述多个第一分路体声波谐振器的数量。14.如权利要求13所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述多个分路连接路径中的其中设置有所述多个第一分路体声波谐振器中的一个的至少一个分路连接路径的电感大于所述多个分路连接路径中的剩余分路连接路径中的每个的电感。15.如权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一分路体声波谐振器包括所述沟槽，所述第二分路体声波谐振器包括沟槽，并且所述第二分路体声波谐振器的所述沟槽的宽度不同于所述第一分路体声波谐振器的所述沟槽的宽度。16.如权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第二分路体声波谐振器不包括沟槽。
技术总结
本公开提供一种体声波谐振器滤波器。体声波谐振器滤波器包括：串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间，射频信号通过第一端口和第二端口；第二分路体声波谐振器，分路电连接在串联体声波谐振器与地之间，并且第二分路体声波谐振器的谐振频率低于串联体声波谐振器的谐振频率；以及第一分路体声波谐振器，串联电连接到第二分路体声波谐振器并且具有高于第二分路体声波谐振器的谐振频率的谐振频率。串联体声波谐振器和第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置在第一电极的上表面上；第二电极，设置在压电层的上表面上；以及沟槽，形成在第二电极的上表面中或所述第二电极上方并且向下凹入。极上方并且向下凹入。极上方并且向下凹入。
技术研发人员：李泰京 朴赞喜 严在君
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：2021.07.23
技术公布日：2022/6/28